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अमीर, क्योर, अयरा (193603)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIT5001AC-8E-33E0-65.016000T | 4.1270 |  | 4530 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5001 | 65.016 | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 31ma | |
 | SIT5001AC-GE-33N0-32.768000T | 3.9142 | | 6545 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5001 | 32.768 अराध्य | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5001AC-GE-33VB-40.000000T | 3.9142 | | 4041 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | Vctcxo | Sit5001 | 40 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
 | SIT5001AI-2E-33E0-27.000000T | 4.4967 | | 1373 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5001 | 27 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 31ma | |
| SIT5001AI-2E-33E0-48.000000T | 4.4967 | | 4016 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5001 | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 31ma | |
| SIT5001AI-2E-33N0-60.000000T | 4.4967 | | 2566 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5001 | 60 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5001AI-2E-33N0-62.000000T | 4.4967 | | 4270 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5001 | ६२ सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5001AI-2E-33VB-50.000000T | 4.4967 | | 8814 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | Vctcxo | Sit5001 | ५० सभा | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5001AI-2E-33VB-51.200000T | 4.4967 | | 4801 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | Vctcxo | Sit5001 | ५१.२ तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
 | SIT5001AI-3E-33VB-39.000000T | 4.7441 | | 5058 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | Vctcxo | Sit5001 | ३ ९ | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5001AI-8E-33N0-10.000000T | 4.7441 | | 4314 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5001 | 10 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5001AI-GE-33N0-50.000000T | 4.4967 | | 2861 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5001 | ५० सभा | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5001AI-GE-33N0-60.000000T | 4.4967 | | 1436 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5001 | 60 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5001AI-GE-33VB-27.000000T | 4.4967 | | 3563 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5001 | 27 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
 | SIT5002AC-8E-33VQ-125.000000T | 4.9383 | | 7058 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | Vctcxo | Sit5002 | १२५ सराय | HCMOS, LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5002AI-3E-25E0-125.000000T | 5.6778 | | 9553 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5002 | १२५ सराय | HCMOS, LVCMOS | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 31ma | |
| SIT5002AI-3E-33E0-125.000000T | 5.6778 | | 2614 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5002 | १२५ सराय | HCMOS, LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 31ma | |
| SIT5002AI-8E-18E0-133.330000T | 5.6778 | | 8034 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5002 | १३३.३३ सरायम | HCMOS, LVCMOS | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 30ma | |
| SIT5002AI-8E-33VQ-156.250000T | 7.3895 | | 9467 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | Vctcxo | Sit5002 | 156.25 तंग | HCMOS, LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
 | SIT5021AI-2DE-33E-100.000000T | 12.1336 | | 3685 | 0.00000000 | तमाम | Sit5021 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | कांपना | Sit5021 | 100 सराय | LVDS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 55ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 35ma | |
| SIT5021AI-2DE-33VM156.250000T | 13.4210 | | 1292 | 0.00000000 | तमाम | Sit5021 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | Vctcxo | Sit5021 | 156.25 तंग | LVDS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 55ma | एमईएमएस | ± 5ppm | ± 25ppm | - | - | |
| SIT8208AC-2F-33E-22.579200T | 3.6149 | | 1805 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 22.5792 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AC-2F-33E-4.000000T | 3.6149 | | 1068 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४ सभ्य | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AC-2F-33E-40.000000T | 3.6149 | | 3373 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 40 सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AC-3F-33E-66.666700T | 3.7918 | | 8388 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 66.6667 अय्योर | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AC-8F-25E-27.000000T | 3.7918 | | 4770 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
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| SIT8208ACF82-33E -19.200000T | 1.4864 | | 9307 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १ ९। | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabairay | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | 31ma |
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