SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT8208AC-23-18E-33.000000 SiTime SIT8208AC-23-18E-33.000000 2.4400
सराय
ECAD 6906 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ३३ सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT9365AC-2B2-25N30.720000 SiTime SIT9365AC-2B2-25N30.720000 13.0000
सराय
ECAD 5480 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 30.72 तंग LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT8208AC-8F-33E-4.096000T SiTime SIT8208AC-8F-33E-4.096000T 3.7918
सराय
ECAD 5861 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ४.० ९ ६ तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AI-G1-28E-24.000000T SiTime SIT8208AI-G1-28E-24.000000T 1.8792
सराय
ECAD 2797 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 २४ सराय LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 20ppm - - 31ma
SIT1602BI-71-33N-74.176000 SiTime SIT1602BI-71-33N-74.176000 1.5100
सराय
ECAD 4812 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 74.176 अराध्य HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 4.5MA एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT3372AC-2B2-25NB148.351648 SiTime SIT3372AC-2B2-25NB148.351648 13.0000
सराय
ECAD 7087 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 148.351648 LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 25ppm ± 20ppm - -
SIT3372AC-4B2-28NB61.440000 SiTime SIT3372AC-4B2-28NB61.440000 13.0000
सराय
ECAD 5285 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 61.44 तंग एचसीएसएल 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 25ppm ± 20ppm - -
SIT3372AC-1B3-25NE173.370750 SiTime SIT3372AC-1B3-25NE173.370750 9.9000
सराय
ECAD 9604 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 173.37075 अय्योर LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 50ppm ± 45ppm - -
SIT3373AC-2B9-28NZ240.000000 SiTime SIT3373AC-2B9-28NZ240.000000 10.9200
सराय
ECAD 6547 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना २४० सराय LVDS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 1560ppm -
SIT9375AI-02B1-2510-322.265625E SiTime SIT9375AI-02B1-2510-322.265625E 5.9766
सराय
ECAD 8565 0.00000000 तमाम Sit9375 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO Sit9375 322.265625 LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1473-SIT9375AI-02B1-2510-322.265625ETR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 39ma एमईएमएस ± 20ppm - - -
SIT3372AI-4E3-25NU61.440000 SiTime SIT3372AI-4E3-25NU61.440000 10.2000
सराय
ECAD 6115 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 61.44 तंग एचसीएसएल 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 50ppm ± 3145ppm -
SIT1602BC-21-18N-4.096000 SiTime SIT1602BC-21-18N-4.096000 1.4800
सराय
ECAD 6583 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ४.० ९ ६ तंग HCMOS, LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 4.1MA एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT3372AI-2B3-28NY74.250000 SiTime SIT3372AI-2B3-28NY74.250000 10.1900
सराय
ECAD 1883 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 74.25 तंग LVDS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 50ppm ± 745ppm - -
SIT3372AC-2E9-33NZ35.437431 SiTime SIT3372AC-2E9-33NZ35.437431 10.9200
सराय
ECAD 7949 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 35.437431 सरायम LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm ± 1560ppm - -
SIT8008AI-11-XXE-100.000000 SiTime SIT8008AI-11-XXE-100.000000 1.5100
सराय
ECAD 4305 0.00000000 तमाम SIT8008 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 100 सराय HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - 4ma
SIT8208AC-22-33S-19.440000 SiTime SIT8208AC-22-33S-119.440000 3.1000
सराय
ECAD 7709 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 19.44 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT9120AI-1B1-XXE166.666660 SiTime SIT9120AI-1B1-XXE166.666660 5.5100
सराय
ECAD 2916 0.00000000 तमाम Sit9120 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 166.66666 LVPECL 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 69ma एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT8924BA-12-33E-33.333333 SiTime SIT8924BA-12-33E-33.33333333 4.7200
सराय
ECAD 1795 0.00000000 तमाम Sit8924b कांपना शिर -40 ° C ~ 125 ° C 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) XO Sit8924 33.333333 सोरहम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT1602BC-71-30E-66.660000 SiTime SIT1602BC-71-30E-66.660000 1.4800
सराय
ECAD 9523 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६६.६६ तंग HCMOS, LVCMOS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT3372AI-2E3-30NX77.760000 SiTime SIT3372AI-2E3-30NX77.760000 10.2000
सराय
ECAD 8977 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 77.76 सरायम LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 50ppm ± 345ppm - -
SIT3373AC-1E3-30NZ614.000000 SiTime SIT3373AC-1E3-30NZ614.000000 9.9000
सराय
ECAD 5450 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना ६१४ तंग LVPECL 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm ± 1545ppm -
SIT5156AECFD-28E0-16.367600 SiTime SIT5156AECFD-28E0-16.367600 48.9100
सराय
ECAD 5636 0.00000000 तमाम Sit5156, एलीट प पchurcution ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.042 "(1.06 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5156 16.3676 तंग सीन वेव 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 53ma एमईएमएस ± 2.5ppm - - 51ma
SIT3373AI-1E2-25NE364.800000 SiTime SIT3373AI-1E2-25NE364.800000 13.2900
सराय
ECAD 6736 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 364.8 अफ़रपद LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 70ppm -
SIT5156AI-FA-33VT-16.368000 SiTime SIT5156AI-FA-33VT-16.368000 44.2900
सराय
ECAD 2147 0.00000000 तमाम Sit5156, एलीट प पchurcution ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.042 "(1.06 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5156 16.368 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 57ma एमईएमएस ± 1ppm ± 6.25ppm - -
SIT9120AI-1D2-XXE75.000000 SiTime SIT9120AI-1D2-XXE75.000000 5.4600
सराय
ECAD 7191 0.00000000 तमाम Sit9120 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 75 सराय LVPECL 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 69ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT1602AIT72-18E-50.000000 SiTime SIT1602AIT72-18E-50.000000 1.4100
सराय
ECAD 5605 0.00000000 तमाम Sit1602 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ५० सभा LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 3.9ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT8208AI-8F-33S-38.400000X SiTime SIT8208AI-8F-33S-38.400000X 4.8668
सराय
ECAD 9861 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 38.4 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 70μA
SIT5156AE-FK-28VT-30.720000 SiTime SIT5156AE-FK-28VT-30.720000 60.4700
सराय
ECAD 8811 0.00000000 तमाम Sit5156, एलीट प पchurcution ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.042 "(1.06 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5156 30.72 तंग LVCMOS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 57ma एमईएमएस ± 500ppb ± 6.25ppm - -
SIT5155AICFK-33E0-10.000000 SiTime SIT5155AICFK-33E0-10.000000 51.5800
सराय
ECAD 1097 0.00000000 तमाम Sit5155, एलीट प lecturcution ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना 10 सराय सीन वेव 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक एमईएमएस ± 500ppb - -
SIT3373AI-1E3-25NX281.000000 SiTime SIT3373AI-1E3-25NX281.000000 10.2000
सराय
ECAD 6474 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 281 सराय LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm ± 345ppm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम