SIC
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अमीर, क्योर, अयरा (193603)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT3372AI-4E9-33NX50.000000 SiTime SIT3372AI-4E9-33NX50.000000 11.2200
सराय
 ECAD 4249 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना ५० सभा एचसीएसएल 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 35ppm ± 360ppm - -
SIT2024BEAS3-33N-50.000000 SiTime SIT2024BEAS3-33N-50.000000 2.0300
सराय
 ECAD 6527 0.00000000 तमाम Sit2024b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C एईसी- Q100 0.114 "of x 0.063" डबthuthut (2.90 मिमी x 1.60 मिमी) 0.057 "(1.45 मिमी) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 XO ५० सभा LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 4.8ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT8208AC-2F-28E-66.660000Y SiTime SIT8208AC-2F-28E-66.660000Y 3.6149
सराय
 ECAD 7575 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६६.६६ तंग LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT5157AE-FD-30VT-100.000000 SiTime SIT5157AE-FD-30VT-100.000000 48.9100
सराय
 ECAD 6386 0.00000000 तमाम Sit5157, एलीट प पthurcution ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 105 ° C 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo 100 सराय LVCMOS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 2.5ppm ± 6.25ppm -
SIT3372AC-2E9-28NH10.000000 SiTime SIT3372AC-2E9-28NH10.000000 10.9200
सराय
 ECAD 6213 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 10 सराय LVDS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm ± 160ppm - -
SIT3372AI-2E2-28NZ25.000000 SiTime SIT3372AI-2E2-28NZ25.000000 13.1600
सराय
 ECAD 7111 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना २५ सभा LVDS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 25ppm ± 1570ppm - -
SIT1602BC-73-25N-38.400000 SiTime SIT1602BC-73-25N-38.400000 1.2600
सराय
 ECAD 1785 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 38.4 तंग HCMOS, LVCMOS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 4.2MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT3373AC-1E3-28NC256.000000 SiTime SIT3373AC-1E3-28NC256.000000 9.9000
सराय
 ECAD 1790 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना २५६ सराय LVPECL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT3372AI-4B2-30NB156.250000 SiTime SIT3372AI-4B2-30NB156.250000 13.2900
सराय
 ECAD 3703 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 156.25 तंग एचसीएसएल 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 25ppm ± 20ppm - -
SIT8209AI-G2-18S-133.333333Y SiTime SIT8209AI-G2-18S-133.333333Y -
सराय
 ECAD 6705 0.00000000 तमाम SIT8209 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 133.333333 सोरहम LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 10μA
SIT8008AC-12-33E-16.000000 SiTime SIT8008AC-12-33E-16.000000 1.3800
सराय
 ECAD 2924 0.00000000 तमाम SIT8008 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 16 सराय HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 25ppm - - 4ma
SIT3372AI-2B3-30NH96.000000 SiTime SIT3372AI-2B3-30NH96.000000 10.1900
सराय
 ECAD 8984 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 96 सराय LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 50ppm ± 145ppm - -
SIT3372AC-2E2-25NC50.000000 SiTime SIT3372AC-2E2-25NC50.000000 13.0100
सराय
 ECAD 3392 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना ५० सभा LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
SIT3372AC-2B9-33NU122.880000 SiTime SIT3372AC-2B9-33NU122.880000 10.9200
सराय
 ECAD 9455 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 122.88 अय्यहम LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm ± 3160ppm - -
SIT3372AC-2E9-25NU98.304000 SiTime SIT3372AC-2E9-25NU98.304000 10.9200
सराय
 ECAD 4054 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 98.304 तंग LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm ± 3160ppm - -
SIT3372AC-2B3-28NX155.520000 SiTime SIT3372AC-2B3-28NX155.520000 9.9000
सराय
 ECAD 7444 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 155.52 तंग LVDS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 50ppm ± 345ppm - -
SIT3373AC-1B9-28NH245.760000 SiTime SIT3373AC-1B9-28NH245.760000 10.9200
सराय
 ECAD 9160 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना २४५.7६ तंग LVPECL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 160ppm -
SIT3372AC-2E9-33NU51.200000 SiTime SIT3372AC-2E9-33NU51.200000 10.9200
सराय
 ECAD 4722 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना ५१.२ तंग LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm ± 3160ppm - -
SIT3372AC-1B2-25NU160.000000 SiTime SIT3372AC-1B2-25NU160.000000 13.0000
सराय
 ECAD 7041 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 160 तंग LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 25ppm ± 3170ppm - -
SIT3822AC-1C3-33EZ273.550000Y SiTime SIT3822AC-1C3-33EZ273.550000Y -
सराय
 ECAD 4576 0.00000000 तमाम Sit3822 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना Sit3822 273.55 तंग LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1473-SIT382222AC-1C3-33EZ273.550000Y Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 69ma एमईएमएस ± 50ppm ± 1545ppm -
SIT8209AC-G1-18S-166.666660 SiTime SIT8209AC-G1-18S-166.666660 3.2400
सराय
 ECAD 1651 0.00000000 तमाम SIT8209 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8209 166.66666 LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 31ma एमईएमएस ± 20ppm - - 70μA
SIT3372AI-1B3-25NC35.437431 SiTime SIT3372AI-1B3-25NC35.437431 8.5400
सराय
 ECAD 5111 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 35.437431 सरायम LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 50ppm ± 25ppm - -
SIT1602BC-82-25N-62.500000 SiTime SIT1602BC-82-25N-62.500000 1.4700
सराय
 ECAD 5017 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 62.5 तंग HCMOS, LVCMOS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 4.2MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT3373AC-2E2-25NC500.000000 SiTime SIT3373AC-2E2-25NC500.000000 13.0100
सराय
 ECAD 5860 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना ५०० तंग LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT9003AC-23-33EB-27.00000Y SiTime SIT9003AC-23-33EB-27.00000Y 1.1948
सराय
 ECAD 6164 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 27 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 4.1MA एमईएमएस ± 50ppm - - 4.3 एंडा
SIT3372AC-1E3-25NH61.440000 SiTime SIT3372AC-1E3-25NH61.440000 9.9000
सराय
 ECAD 1594 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 61.44 तंग LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 50ppm ± 145ppm - -
SIT3372AC-1B2-28NZ135.000000 SiTime SIT3372AC-1B2-28NZ135.000000 13.0000
सराय
 ECAD 1090 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना १३५ सराय LVPECL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 25ppm ± 1570ppm - -
SIT3808AI-D2-33EG-27.000000 SiTime SIT3808AI-D2-33EG-27.000000 6.9100
सराय
 ECAD 4783 0.00000000 तमाम Sit3808 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना Sit3808 27 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT8208AI-3F-18E-66.666600T SiTime SIT8208AI-3F-18E-66.666600T 4.1097
सराय
 ECAD 8214 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 66.6666 LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 30ma
SIT3373AC-4B3-30NH614.400000 SiTime SIT3373AC-4B3-30NH614.400000 9.9000
सराय
 ECAD 6172 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 614.4 तंग एचसीएसएल 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm ± 145ppm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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