SIC
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अफ़म (2089)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
1N3213R GeneSiC Semiconductor 1N3213R 7.0650
सराय
 ECAD 3434 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N3213R तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3213RGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.5 वी @ 15 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
S40V GeneSiC Semiconductor S40V 6.9421
सराय
 ECAD 3919 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S40VGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1400 वी 1.1 वी @ 40 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 160 ° C 40 ए -
GBJ35K GeneSiC Semiconductor GBJ35K 1.6410
सराय
 ECAD 4294 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ35 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ35K Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 17.5 ए 10 µa @ 800 V 35 ए सिंगल फेज़ 800 वी
MSRTA600120A GeneSiC Semiconductor MSRTA600120A 109.2000
सराय
 ECAD 9506 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला ३-मॉड MSRTA600120 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 600 ए (डीसी) 1.2 वी @ 600 ए 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF60040R GeneSiC Semiconductor MBRF60040R -
सराय
 ECAD 8038 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 40 वी 300 ए (डीसी) 650 mV @ 300 ए 10 सना हुआ @ 20 वी -40 ° C ~ 175 ° C
FR40KR05 GeneSiC Semiconductor FR40KR05 17.1300
सराय
 ECAD 78 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अफ़सीर Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1 वी @ 40 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 40 ए -
GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-214 3.2000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB GB02SLT12 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीओ -214 एए तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 1 ए 0 एनएस 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 131pf @ 1V, 1MHz
MBRT60030 GeneSiC Semiconductor MBRT60030 140.2020
सराय
 ECAD 2184 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT60030GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 300 ए 750 एमवी @ 300 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GE2X8MPS06D GeneSiC Semiconductor Ge2x8mps06d 5.1900
सराय
 ECAD 58 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 Ge2x8 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-GE2X8MPS06D Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 19 ए (डीसी) -55 ° C ~ 175 ° C
S85KR GeneSiC Semiconductor S85KR 11.8980
सराय
 ECAD 9142 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt S85K तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S85KRGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 85 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 180 ° C 85 ए -
MURTA400120R GeneSiC Semiconductor MURTA400120R 174.1546
सराय
 ECAD 9467 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MURTA400120 तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 1200 वी 200A 2.6 वी @ 200 ए 25 @a @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA30080D GeneSiC Semiconductor MSRTA30080D 159.9075
सराय
 ECAD 4263 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला कांपना MSRTA300 तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRTA30080D Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 800 वी 300 ए 1.1 वी @ 300 ए 20 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
150KR80A GeneSiC Semiconductor 150KR80A 35.5695
सराय
 ECAD 5582 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 150KR80AGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.33 वी @ 150 ए 32 सना -40 ° C ~ 200 ° C 150A -
MBRT12080R GeneSiC Semiconductor MBRT12080R 75.1110
सराय
 ECAD 2011 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT12080 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT12080RGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 60 ए 880 mV @ 60 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S85VR GeneSiC Semiconductor S85VR 15.2800
सराय
 ECAD 597 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt S85V तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1400 वी 1.1 वी @ 85 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 85 ए -
FR40BR02 GeneSiC Semiconductor FR40BR02 13.8360
सराय
 ECAD 2788 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr40br02gn Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 40 ए 200 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 40 ए -
MBR6020 GeneSiC Semiconductor MBR6020 20.2695
सराय
 ECAD 4290 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt schottky Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR6020GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 650 एमवी @ 60 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -65 ° C ~ 150 ° C 60 ए -
MSRT10080D GeneSiC Semiconductor MSRT10080D 87.1935
सराय
 ECAD 8568 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT100 तमाम तीन ray तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRT10080D Ear99 8541.10.0080 40 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 800 वी 100 ए 1.1 वी @ 100 ए 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR6DR05 GeneSiC Semiconductor FR6DR05 8.5020
सराय
 ECAD 7468 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr6dr05gn Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.4 वी @ 6 ए 500 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
MBRT20045R GeneSiC Semiconductor MBRT20045R 98.8155
सराय
 ECAD 8832 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT20045 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT20045RGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 45 वी 100 ए 750 mV @ 100 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S40K GeneSiC Semiconductor S40K 6.3770
सराय
 ECAD 5267 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S40KGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 40 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 190 ° C 40 ए -
1N3295AR GeneSiC Semiconductor 1N3295AR 33.5805
सराय
 ECAD 5665 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 1N3295AR तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3295ARGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.5 वी @ 100 ए 11 सना हुआ @ 1000 वी -40 ° C ~ 200 ° C 100 ए -
GBJ20G GeneSiC Semiconductor GBJ20G 0.9120
सराय
 ECAD 9792 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ20 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ20G Ear99 8541.10.0080 200 1 वी @ 10 ए 5 @a @ 400 वी 20 ए सिंगल फेज़ 400 वी
MSRTA300120D GeneSiC Semiconductor MSRTA300120D 159.9075
सराय
 ECAD 4570 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला कांपना MSRTA300 तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRTA300120D Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1200 वी 300 ए 1.1 वी @ 300 ए 20 µA @ 1200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GBJ25J GeneSiC Semiconductor GBJ25J 0.9795
सराय
 ECAD 1665 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ25 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ25J Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 ए 10 µA @ 600 V 25 ए सिंगल फेज़ 600 वी
GBJ6K GeneSiC Semiconductor Gbj6k 0.6645
सराय
 ECAD 1160 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ6 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ6K Ear99 8541.10.0080 200 1.05 वी @ 3 ए 5 µA @ 800 V 6 ए सिंगल फेज़ 800 वी
GBJ10M GeneSiC Semiconductor GBJ10M 0.7470
सराय
 ECAD 2675 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ10 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ10M Ear99 8541.10.0080 200 1.05 वी @ 5 ए 5 µA @ 1000 V 10 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
GBJ30B GeneSiC Semiconductor GBJ30B 1.1205
सराय
 ECAD 8713 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ30 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ30B Ear99 8541.10.0080 200 1.05 वी @ 15 ए 5 µA @ 100 वी 30 ए सिंगल फेज़ 100 वी
GBJ15B GeneSiC Semiconductor GBJ15B 0.7875
सराय
 ECAD 1800 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ15 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ15B Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 7.5 ए 10 µA @ 100 वी 15 ए सिंगल फेज़ 100 वी
GBL01 GeneSiC Semiconductor GBL01 2.9400
सराय
 ECAD 8872 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, जीबीएल तमाम जीबीएल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Gbl01gn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 4 ए 5 µA @ 100 वी 4 ए सिंगल फेज़ 100 वी
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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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