SIC
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स्याह (48)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम सवार तकनीकी सराफकस तंग रत्य तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
P3D06004G2 PN Junction Semiconductor P3D06004G2 2.1000
सराय
 ECAD 6325 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर To-263-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06004G2TR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 14 ए
P3D12020K2 PN Junction Semiconductor P3D12020K2 12.4100
सराय
 ECAD 5644 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D12020K2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 60 @a @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 51 ए
P3D06020I2 PN Junction Semiconductor P3D06020I2 8.8400
सराय
 ECAD 9682 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220i-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220i-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06020I2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 35 ए
P3D12020K3 PN Junction Semiconductor P3D12020K3 12.4100
सराय
 ECAD 1272 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-247-3 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D12020K3 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 70A
P3D06002T2 PN Junction Semiconductor P3D06002T2 2.1000
सराय
 ECAD 5217 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06002T2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 10 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए
P3D12005K2 PN Junction Semiconductor P3D12005K2 4.5000
सराय
 ECAD 6239 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D12005K2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 23 ए
P3D06006T2 PN Junction Semiconductor P3D06006T2 2.5000
सराय
 ECAD 2115 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06006T2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 23 ए
P3D12020G2 PN Junction Semiconductor P3D12020G2 12.4100
सराय
 ECAD 4772 0.00000000 जंक e जंकmun सेमीकंडक पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर To-263-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D12020G2TR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 60 @a @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 49 ए
P3D06008E2 PN Junction Semiconductor P3D06008E2 3.3300
सराय
 ECAD 2523 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर टू -252-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06008E2TR Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 36 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 22 ए
P3D06020T2 PN Junction Semiconductor P3D06020T2 8.8400
सराय
 ECAD 2609 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर - To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06020T2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.6 वी @ 20 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 45 ए 904pf @ 0v, 1MHz
P3D12010K3 PN Junction Semiconductor P3D12010K3 6.5400
सराय
 ECAD 3747 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-247-3 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D12010K3 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 46 ए
P3D06010F2 PN Junction Semiconductor P3D06010F2 4.1600
सराय
 ECAD 5570 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220f-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06010F2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 21 ए
P3D06010E2 PN Junction Semiconductor P3D06010E2 4.1600
सराय
 ECAD 8153 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर टू -252-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06010E2TR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 28 ए
P3D06006G2 PN Junction Semiconductor P3D06006G2 2.5000
सराय
 ECAD 3063 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर To-263-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06006G2TR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 21 ए
P3D06004E2 PN Junction Semiconductor P3D06004E2 2.1000
सराय
 ECAD 8434 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर से 252-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06004E2TR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 12 ए
P3D06006I2 PN Junction Semiconductor P3D06006I2 2.5000
सराय
 ECAD 8790 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220i-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220i-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06006I2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 18 ए
P3D06040K3 PN Junction Semiconductor P3D06040K3 13.8400
सराय
 ECAD 2820 0.00000000 ‘ पी 6 डी नली शिर To-247-3 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06040K3 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 100 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 106 ए
P3D06004T2 PN Junction Semiconductor P3D06004T2 2.1000
सराय
 ECAD 2096 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06004T2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 15 ए
P3D06020F2 PN Junction Semiconductor P3D06020F2 8.8400
सराय
 ECAD 7762 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220f-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06020F2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 29 ए
P3D06016I2 PN Junction Semiconductor P3D06016I2 7.7800
सराय
 ECAD 2155 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220i-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220i-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06016I2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 45 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 28 ए
P3D12020GS PN Junction Semiconductor P3D12020GS 12.4100
सराय
 ECAD 9668 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर To-263s Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263s तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D12020GSTR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 60 @a @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 50 ए
P3D06006F2 PN Junction Semiconductor P3D06006F2 2.5000
सराय
 ECAD 2548 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220f-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06006F2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 15 ए
P3D06008F2 PN Junction Semiconductor P3D06008F2 3.3300
सराय
 ECAD 6959 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220f-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06008F2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 36 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 18 ए
P6D12002E2 PN Junction Semiconductor P6D12002E2 2.6900
सराय
 ECAD 9835 0.00000000 ‘ पी 6 डी R टेप ray ryील (ther) शिर टू -252-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P6D12002E2TR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए
P3D06020P3 PN Junction Semiconductor P3D06020P3 8.8400
सराय
 ECAD 6681 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर Sic (सिलिकॉन antairchama) से 3PF-3 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06020P3 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 40 ए
P3D06010G2 PN Junction Semiconductor P3D06010G2 4.1600
सराय
 ECAD 5972 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर To-263-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06010G2TR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 30 ए
P3D12005E2 PN Junction Semiconductor P3D12005E2 4.5000
सराय
 ECAD 1816 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर टू -252-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D12005E2TR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 19 ए
P3D06002G2 PN Junction Semiconductor P3D06002G2 2.1000
सराय
 ECAD 4224 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर To-263-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06002G2TR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 10 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 7 ए
P3D12030K2 PN Junction Semiconductor P3D12030K2 14.9200
सराय
 ECAD 2635 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D12030K2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 65 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 57 ए
P3D06008I2 PN Junction Semiconductor P3D06008I2 3.3300
सराय
 ECAD 4460 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220i-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220i-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06008I2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 36 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 21 ए
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AD9208BBPZ-3000

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