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स्याह (453)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर HTSUS तंग अफ़सस वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BR2506 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2506 2.7800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला 4-yrigh, BR-50 तमाम Rurir -50 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR2506 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 12.5 ए 10 µA @ 600 V 25 ए सिंगल फेज़ 600 वी
RBV3506 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV3506 2.8100
सराय
 ECAD 900 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV3506 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 17.5 ए 10 µA @ 600 V 35 ए सिंगल फेज़ 600 वी
KBL410 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL410 1.2300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, केबीएल तमाम Kbl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-KBL410 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 4 ए 10 µA @ 1000 V 4 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
1N5359B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5359B 0.1150
सराय
 ECAD 6 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5359BTR 8541.10.0000 3,000 1.2 वी @ 1 ए ५०० सदाबहार @ २.२ वी 24 वी 3.5 ओम
1N4751A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4751A 0.1800
सराय
 ECAD 29 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4751A 8541.10.0000 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 22.8 V 30 वी 40 ओम
BR1002 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1002 0.9400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, BR-10 BR1002 तमाम BR-10 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR1002 8541.10.0000 200 1.1 वी @ 5 ए 10 µa @ 200 वी 10 ए सिंगल फेज़ 200 वी
1N5226BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5226BULK 0.1800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5226BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 25 µa @ 1 वी 3.3 वी 28 ओम
1N5949BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5949BT/R 0.1300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1.5 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5949BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 76 V 100 वी 250 ओम
RBV1508 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1508 1.6000
सराय
 ECAD 800 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV1508 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 7.5 ए 10 µa @ 800 V 15 ए सिंगल फेज़ 800 वी
RBV1502 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1502 1.5100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV1502 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 7.5 ए 10 µa @ 200 वी 15 ए सिंगल फेज़ 200 वी
RBV1504 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1504 1.9000
सराय
 ECAD 600 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV1504 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 7.5 ए 10 µA @ 400 V 15 ए सिंगल फेज़ 400 वी
RBV5004 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5004 3.0000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV5004 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 25 ए 10 µA @ 400 V 50 ए सिंगल फेज़ 400 वी
RBV802 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV802 1.1500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV802 8541.10.0000 100 1 वी @ 4 ए 10 µa @ 200 वी 8 ए सिंगल फेज़ 200 वी
SK15 EIC SEMICONDUCTOR INC. SK15 0.1600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA schottky SMA (DO-214AC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-SK15TR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 500 एमवी @ 1 ए 500 µA @ 50 वी -40 ° C ~ 125 ° C 1 क -
BR804 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR804 0.9200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, BR-10 तमाम BR-10 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR804 8541.10.0000 200 1 वी @ 4 ए 10 µA @ 400 V 8 ए सिंगल फेज़ 400 वी
BR5006W EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5006W 3.7500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yirch, BR-50W तमाम BR-50W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR5006W 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 25 ए 10 µA @ 600 V 50 ए सिंगल फेज़ 600 वी
RBV5008 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5008 3.9300
सराय
 ECAD 620 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV5008 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 25 ए 10 µa @ 800 V 50 ए सिंगल फेज़ 800 वी
1N4759AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4759AT/R 0.0500
सराय
 ECAD 20 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4759AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 47.1 V 62 वी 125 ओम
1N4763A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4763A 0.0600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4763ATR 8541.10.0000 2,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 69.2 V 91 वी 250 ओम
BYD33MBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD33MBULK 0.2100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut कांपना Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BYD3333MBULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 1 ए 300 एनएस 1 @a @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.3 ए -
1N5392T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5392T/R 0.0400
सराय
 ECAD 60 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5392T/RTR 8541.10.0000 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
MR760 EIC SEMICONDUCTOR INC. MR760 0.7500
सराय
 ECAD 350 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से डी -6, lectun तमाम D6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-MR760 8541.10.0000 800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 900 mV @ 6 ए 25 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 22 ए -
FR102BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR102BULK 0.2100
सराय
 ECAD 38 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR102BULK 8541.10.0000 600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
3EZ150D5 EIC SEMICONDUCTOR INC. 3EZ150D5 0.2100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 3 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-3EZ150D5 8541.10.0000 500 1.5 वी @ 200 एमए ५०० पायल @ ११४ ओ 150 वी 550 ओम
KBL404 EIC SEMICONDUCTOR INC. Kbl404 1.1300
सराय
 ECAD 500 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, केबीएल तमाम Kbl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-KBL404 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 4 ए 10 µA @ 400 V 4 ए सिंगल फेज़ 400 वी
MR850T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Mr850t/r 0.1100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-MR850T/RTR 8541.10.0000 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.25 वी @ 3 ए 150 एनएस 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 28PF @ 4V, 1MHz
1N4744A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4744A 0.0650
सराय
 ECAD 100 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4744ATR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 11.4 V 15 वी 14 ओम
MR2504 EIC SEMICONDUCTOR INC. MR2504 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी ऑटोमोटिव कसना शिर सतह rurcur तमाम तमाम शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-MR2504 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1 वी @ 25 ए 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 25 ए -
RM11C-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. RM11C-BULK 0.2000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से डी -2, lectun तमाम डी 2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RM11C-BULK 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 920 mV @ 1.5 ए 10 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.2 ए 30pf @ 4v, 1MHz
AR2502 EIC SEMICONDUCTOR INC. AR2502 0.2800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी ऑटोमोटिव कसना शिर सतह rurcur तमाम तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-AR2502 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 25 ए 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 25 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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