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स्याह (453)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर HTSUS तंग अफ़सस वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
1N5240BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5240BT/R 0.0400
सराय
 ECAD 20 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5240BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 3 µa @ 8 V 10 वी 17 ओम
FR105T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Fr105t/r 0.0400
सराय
 ECAD 29 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR105T/RTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 1 ए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
SR1R EIC SEMICONDUCTOR INC. SR1R 0.2500
सराय
 ECAD 15 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-SR1RTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 2000 वी 3 वी @ 500 एमए 200 एनएस 5 µa @ 2000 V -40 ° C ~ 150 ° C 500ma 5pf @ 4v, 1MHz
RM11A-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. RM11A-BULK 0.1900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से डी -2, lectun तमाम डी 2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RM11A-BULK 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 920 mV @ 1.5 ए 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.2 ए 30pf @ 4v, 1MHz
1N4743BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4743BULK 0.1800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4743BULK 8541.10.0000 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 9.9 V 13 वी 10 ओम
2EZ15D5BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 2EZ15D5BULK 0.2100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 2 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-2EZ15D5BULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए ५०० पायल @ ११.४ वो 15 वी 7 ओम
FR304BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR304BULK 0.2100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR304BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 3 ए 150 एनएस 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
RM3A EIC SEMICONDUCTOR INC. Rm3a 0.0517
सराय
 ECAD 7 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-RM3ATR 8541.10.0000 1,250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 950 mV @ 2.5 ए 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 2.5a -
1N5381BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5381BULK 0.3800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5381BULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए 500 NA @ 98.8 V 130 वी 190 ओम
HER104BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her104bulk 0.2400
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER104BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µA @ 300 V -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
FR306BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR306BULK 0.2100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR306BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 3 ए 500 एनएस 10 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
1N5253BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5253BT/R 0.0400
सराय
 ECAD 60 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5253BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 सवार @ 19 वी 25 वी 35 ओम
1N5241BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5241BULK 0.1800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5241BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 2 @a @ 8.4 वी 11 वी 22 ओम
1N5246BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5246BT/R 0.0400
सराय
 ECAD 30 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5246BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 kaga @ 12 वी 16 वी 17 ओम
BR606 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR606 0.7600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yrigh, BR-6 तमाम बी rur -6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR606 8541.10.0000 200 1 वी @ 3 ए 10 µA @ 600 V 6 ए सिंगल फेज़ 600 वी
1N5401BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5401BULK 0.1800
सराय
 ECAD 14 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5401BULK 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 3 ए 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए 28PF @ 4V, 1MHz
FR102T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Fr102t/r 0.0300
सराय
 ECAD 25 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR102T/RTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
1N5248BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5248BULK 0.1800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5248BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 14 वी 18 वी 21 ओम
FR101BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR101BULK 0.2100
सराय
 ECAD 39 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR101BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
RBV2510 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2510 2.3100
सराय
 ECAD 600 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV2510 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 12.5 ए 10 µA @ 1000 V 25 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
BY299BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BY299BULK 0.2300
सराय
 ECAD 500 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT तमाम DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BY299BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 2 ए 250 एनएस 10 µa @ 800 V -50 ° C ~ 125 ° C 2 ए 28PF @ 4V, 1MHz
1N5231BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5231BULK 0.1800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5231BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 5 µa @ 2 वी 5.1 वी 17 ओम
SZ6015 EIC SEMICONDUCTOR INC. SZ6015 0.1052
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 5 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-SZ6015TR 8541.10.0000 3,000 1.2 वी @ 1 ए 1 µa @ 10.8 V 15 वी 2.5 ओम
HER303BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her303bulk 0.2500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER303BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 3 ए 50 एनएस 10 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 50pf @ 4v, 1MHz
1N5360BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360BBULK 0.4000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5360BULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए ५०० सना 25 वी 4 ओम
1N4747ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4747ABULK 0.1800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4747ABULK 8541.10.0000 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 15.2 V 20 वी 22 ओम
MR850BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. MR850BULK 0.2100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-MR850BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.25 वी @ 3 ए 150 एनएस 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 28PF @ 4V, 1MHz
1N746ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N746ABULK 0.2100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N746ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 3.3 वी 28 ओम
SF56-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. SF56-BULK 0.6700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-SF56-BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.7 वी @ 5 ए 35 एनएस 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 5 ए 50pf @ 4v, 1MHz
1N5357BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5357BULK 0.3800
सराय
 ECAD 12 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5357BULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए 500 NA @ 15.2 V 20 वी 3 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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