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स्याह (453)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर HTSUS तंग अफ़सस वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
Z1200-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Z1200-T/R 0.0400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप rayr ryील (ther) शिर ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-Z1200-T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 @a @ 152 वी 200 वी 1900 ओम
1N4934BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4934BULK 0.1800
सराय
 ECAD 90 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4934BULK 8541.10.0000 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.2 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
RBV2501 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2501 1.6400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV2501 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 12.5 ए 10 µA @ 100 वी 25 ए सिंगल फेज़ 100 वी
1N5395T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5395T/R 0.0400
सराय
 ECAD 35 0.00000000 कांपोरी - R टेप rayr ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5395T/RTR 8541.10.0000 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
1N4933T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4933T/R 0.0400
सराय
 ECAD 70 0.00000000 कांपोरी - R टेप rayr ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4933T/RTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.2 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
1N4731AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4731AT/R 0.0500
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप rayr ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4731AT/RTR 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 4.3 वी 9 ओम
RBV806 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV806 1.2500
सराय
 ECAD 100 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV806 8541.10.0000 100 1 वी @ 4 ए 10 µA @ 600 V 8 ए सिंगल फेज़ 600 वी
HVR320BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HVR320BULK 0.7500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HVR320BULK 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 2000 वी 2.2 वी @ 3 ए 10 µa @ 2000 V -40 ° C ~ 150 ° C 3 ए 36pf @ 4v, 1MHz
RBV5002 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5002 1.8300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV5002 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 25 ए 10 µa @ 200 वी 50 ए सिंगल फेज़ 200 वी
BR1001 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1001 0.9500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, BR-10 BR1001 तमाम BR-10 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR1001 8541.10.0000 200 1.1 वी @ 5 ए 10 µA @ 100 वी 10 ए सिंगल फेज़ 100 वी
1N4730AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4730AT/R 0.1500
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप rayr ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4730AT/RTR 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 50 µa @ 1 वी 3.9 वी 9 ओम
BR2501 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2501 2.7400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला 4-yrigh, BR-50 तमाम Rurir -50 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR2501 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 12.5 ए 10 µA @ 100 वी 25 ए सिंगल फेज़ 100 वी
MBRA210L EIC SEMICONDUCTOR INC. Mbra210l 0.3900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA schottky SMA (DO-214AC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-MBRA210L 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 10 वी 350 mV @ 2 ए 700 µA @ 10 V -65 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
1N5338A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5338A 0.4100
सराय
 ECAD 9 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 10% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5338A 8541.10.0000 3,000 1.2 वी @ 1 ए 1 µA @ 1 वी 5.1 वी 1.5 ओम
1N4749BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749BULK 0.1800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4749BULK 8541.10.0000 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 18.2 V 24 वी 25 ओम
1N5818T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5818T/R 0.1000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप rayr ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut schottky Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5818T/RTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 1 ए 1 पायल @ 30 वी -65 ° C ~ 125 ° C 1 क 110pf @ 4v, 1MHz
1N4761AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4761AT/R 0.0500
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप rayr ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4761AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 56 V 75 वी 175 ओम
1N4738T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738T/R 0.0500
सराय
 ECAD 20 0.00000000 कांपोरी - R टेप rayr ryील (ther) शिर ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4738T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 6 V 8.2 वी 4.5 ओम
1N4005BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4005BULK 0.1300
सराय
 ECAD 7 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4005BULK 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
1N5361ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5361ABULK 0.2300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 10% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5361ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए ५०० सदाबहार @ १ ९। ४ 27 वी 5 ओम
1N4728ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4728ABULK 0.1500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4728ABULK 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 100 µA @ 1 वी 3.3 वी 10 ओम
FBR804 EIC SEMICONDUCTOR INC. FBR804 1.3800
सराय
 ECAD 200 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, BR-10 तमाम BR-10 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FBR804 8541.10.0000 200 1.3 वी @ 4 ए 10 µA @ 400 V 8 ए सिंगल फेज़ 400 वी
1N5822T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5822T/R 0.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - R टेप rayr ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5822T/RTR 8541.10.0000 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 525 mV @ 3 ए 2 सना हुआ @ 40 वी -65 ° C ~ 125 ° C 3 ए -
MR854BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. MR854BULK 0.2100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-MR854BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 3 ए 150 एनएस 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 28PF @ 4V, 1MHz
1N4732ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4732ABULK 0.1200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4732ABULK 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 4.7 वी 8 ओम
1N4006BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4006BULK 0.1300
सराय
 ECAD 48 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4006BULK 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
1N5230BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5230BT/R 0.0400
सराय
 ECAD 50 0.00000000 कांपोरी - R टेप rayr ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5230BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.1 वी @ 200 एमए 5 µa @ 2 वी 4.7 वी 19 ओम
1N4753ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4753ABULK 0.1800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4753ABULK 8541.10.0000 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 27.4 V 36 वी 50 ओम
KBL402 EIC SEMICONDUCTOR INC. Kbl402 1.1000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, केबीएल तमाम Kbl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-KBL402 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 4 ए 10 µa @ 200 वी 4 ए सिंगल फेज़ 200 वी
FR307T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Fr307t/r 0.1600
सराय
 ECAD 7 0.00000000 कांपोरी - R टेप rayr ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR307T/RTR 8541.10.0000 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 3 ए 500 एनएस 10 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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