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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर HTSUS तंग अफ़सस वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SML4759A EIC SEMICONDUCTOR INC. Sml4759a 0.0462
सराय
ECAD 30 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब SMA (DO-214AC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-SML4759ATR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 47.1 V 62 वी 125 ओम
1N4742AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4742AT/R 0.0510
सराय
ECAD 15 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4742AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 9.1 V 12 वी 9 ओम
1N4740A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4740A 0.1050
सराय
ECAD 21 0.00000000 कांपोरी - कड़ा शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4740A 8541.10.0000 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 7.6 V 10 वी 7 ओम
1N4739AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4739AT/R 0.0800
सराय
ECAD 25 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4739AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 7 V 9.1 वी 5 ओम
1N4007C.B.O. EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4007c.bo 0.1300
सराय
ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4007c.bo 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
1N4007 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4007 0.1300
सराय
ECAD 17 0.00000000 कांपोरी - कड़ा शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4007 8541.10.0000 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
SB390-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. SB390-BULK 0.4000
सराय
ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-SB390-BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 790 mV @ 3 ए 500 µA @ 500 µv -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
1N4749AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749AT/R 0.0400
सराय
ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4749AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 18.2 V 24 वी 25 ओम
1N5233BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5233BT/R 0.0400
सराय
ECAD 20 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5233BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 5 µa @ 3.5 V 6 वी 7 ओम
BA158BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Ba158bulk 0.2100
सराय
ECAD 13 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BA158BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
1N4733AG EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4733AG 0.1800
सराय
ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4733AG 8541.10.0000 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 5.1 वी 7 ओम
1N5936BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5936BT/R 0.0600
सराय
ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1.5 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5936BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 .a @ 22.8 V 30 वी 26 ओम
1N5391BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5391BULK 0.1800
सराय
ECAD 19 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5391BULK 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
BR810 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR810 1.2200
सराय
ECAD 400 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, BR-10 तमाम BR-10 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-BR810 8541.10.0000 200 1 वी @ 4 ए 10 µA @ 1000 V 8 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
FR155T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Fr155t/r 0.0400
सराय
ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR155T/RTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.4 वी @ 1.5 ए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 25pf @ 4v, 1MHz
HER105BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her105bulk 0.2400
सराय
ECAD 9 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER105BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
1N4736ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736ABULK 0.1800
सराय
ECAD 13 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4736ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 4 वी 6.8 वी 3.5 ओम
1N5250BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5250BBULK 0.1800
सराय
ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5250BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 100 kaga @ 15 वी 20 वी 25 ओम
HER303T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER303T/R 0.1700
सराय
ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER303T/RTR 8541.10.0000 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 3 ए 50 एनएस 10 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 50pf @ 4v, 1MHz
1N5251BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5251BULK 0.1800
सराय
ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5251BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 17 वी 22 वी 29 ओम
1N5242BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5242BULK 0.1800
सराय
ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5242BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 9.1 V 12 वी 30 ओम
1N5817BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5817BULK 0.2100
सराय
ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut schottky Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5817BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 1 ए 1 पायल @ 20 वी -65 ° C ~ 125 ° C 1 क 110pf @ 4v, 1MHz
1N4758AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4758AT/R 0.0600
सराय
ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4758AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 42.6 V 56 वी 110 ओम
RGP02-20E-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. RGP02-20E-BULK 0.2900
सराय
ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RGP02-20E-BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 2000 वी 1.8 वी @ 100 एमए 300 एनएस 5 µa @ 2000 V -65 ° C ~ 150 ° C 500ma 5pf @ 4v, 1MHz
SN13 EIC SEMICONDUCTOR INC. SN13 0.0420
सराय
ECAD 50 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम SMA (DO-214AC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-SN13TR 8541.10.0000 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1300 वी 1 वी @ 1 ए 2 µs 2 @a @ 1300 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 30pf @ 4v, 1MHz
RBV1004 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1004 1.3800
सराय
ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV1004 8541.10.0000 100 1 वी @ 5 ए 10 µA @ 400 V 10 ए सिंगल फेज़ 400 वी
HER103BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her103bulk 0.2100
सराय
ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER103BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
SN1K EIC SEMICONDUCTOR INC. SN1K 0.0382
सराय
ECAD 45 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम SMA (DO-214AC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-SN1KTR 8541.10.0000 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1 वी @ 1 ए 2 µs 2 @a @ 800 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 30pf @ 4v, 1MHz
1N4745A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4745A 0.5750
सराय
ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4745ATR 8541.10.0000 4,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 @a @ 12.2 V 16 वी 16 ओम
1N5360B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360B 0.1150
सराय
ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कड़ा शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5360B 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए ५०० सना 25 वी 4 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम