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स्याह (453)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SN1K EIC SEMICONDUCTOR INC. SN1K 0.0382
सराय
 ECAD 45 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम SMA (DO-214AC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-SN1KTR 8541.10.0000 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1 वी @ 1 ए 2 µs 2 @a @ 800 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 30pf @ 4v, 1MHz
RBV1004 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1004 1.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV1004 8541.10.0000 100 1 वी @ 5 ए 10 µA @ 400 V 10 ए सिंगल फेज़ 400 वी
HER103BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her103bulk 0.2100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER103BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
1N4742A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4742A 0.0510
सराय
 ECAD 15 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4742ATR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 9.1 V 12 वी 9 ओम
1N5399T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5399T/R 0.0400
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5399T/RTR 8541.10.0000 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
1N5360B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360B 0.1150
सराय
 ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कड़ा शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5360B 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए ५०० सना 25 वी 4 ओम
HER301BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her301bulk 0.2400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER301BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 3 ए 50 एनएस 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 50pf @ 4v, 1MHz
1N4743T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4743T/R 0.0500
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4743T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 9.9 V 13 वी 10 ओम
1N4740ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4740ABULK 0.1800
सराय
 ECAD 21 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4740ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 7.6 V 10 वी 7 ओम
1N5350BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5350BBULK 0.3600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5350BULK Ear99 8541.10.0050 500 1.2 वी @ 1 ए 1 µa @ 9.9 V 13 वी 2.5 ओम
1N5341B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5341b 0.4360
सराय
 ECAD 24 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5341BTR 8541.10.0000 3,000 1.2 वी @ 1 ए 1 µa @ 3 वी 6.2 वी 1 ओम
BR5010 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5010 4.9000
सराय
 ECAD 600 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला 4-yrigh, BR-50 तमाम Rurir -50 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR5010 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 25 ए 10 µA @ 1000 V 50 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
1N5930BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5930BT/R 0.1300
सराय
 ECAD 40 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1.5 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5930BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 .a @ 12.2 वी 16 वी 10 ओम
1N5354BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5354BULK 0.3900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5354BULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए 500 NA @ 12.9 V 17 वी 2.5 ओम
FR106T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Fr106t/r 0.0400
सराय
 ECAD 35 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR106T/RTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
RBV606 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV606 1.1000
सराय
 ECAD 900 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV606 8541.10.0000 100 1 वी @ 3 ए 10 µA @ 600 V 6 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BYD13JBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD13JBULK 0.2100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut कांपना Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BYD13JBULK 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.05 वी @ 1 ए 1 @a @ 600 वी 175 ° C 1.4 ए -
FR301BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR301BULK 0.2100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR301BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 3 ए 150 एनएस 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
1N4741ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741ABULK 0.1800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4741ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 8.4 V 11 वी 8 ओम
1N5393 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5393 0.1800
सराय
 ECAD 60 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5393 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
1N4758AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4758AT/R 0.0600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4758AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 42.6 V 56 वी 110 ओम
RGP02-20E-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. RGP02-20E-BULK 0.2900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RGP02-20E-BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 2000 वी 1.8 वी @ 100 एमए 300 एनएस 5 µa @ 2000 V -65 ° C ~ 150 ° C 500ma 5pf @ 4v, 1MHz
1N5817BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5817BULK 0.2100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut schottky Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5817BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 1 ए 1 पायल @ 20 वी -65 ° C ~ 125 ° C 1 क 110pf @ 4v, 1MHz
HER302T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER302T/R 0.1700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER302T/RTR 8541.10.0000 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 3 ए 50 एनएस 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 50pf @ 4v, 1MHz
1N4005T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4005T/R 0.0300
सराय
 ECAD 75 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4005T/RTR 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
1N4744T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4744T/R 0.0400
सराय
 ECAD 15 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4744T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 11.4 V 15 वी 14 ओम
MR854T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Mr854t/r 0.1100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-MR854T/RTR 8541.10.0000 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 3 ए 150 एनएस 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 28PF @ 4V, 1MHz
10A05 EIC SEMICONDUCTOR INC. 10A05 0.2900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से डी -6, lectun तमाम D6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-10A05TR 800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1 वी @ 10 ए 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 10 ए 80pf @ 4v, 1MHz
1N4741AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741AT/R 0.0600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4741AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 8.4 V 11 वी 8 ओम
BR2504W EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2504W 2.5800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yirch, BR-50W तमाम BR-50W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR2504W 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 12.5 ए 10 µA @ 400 V 25 ए सिंगल फेज़ 400 वी
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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