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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - अधिकतम शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
RB078RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor RB078RSM10STFTL1 1.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन RB078 schottky To-277a तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 840 mV @ 5 ए 1.3 @a @ 100 वी 175 ° C 5 ए -
RB521G-30T2R Rohm Semiconductor RB521G-30T2R -
सराय
 ECAD 6149 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-723 RB521 schottky VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 350 एमवी @ 10 एमए 10 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
BAV70T216 Rohm Semiconductor BAV70T216 -
सराय
 ECAD 3527 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV70 तमाम SSD3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-BAV70T216TR शिर 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 70 वी 215ma (डीसी डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 2.5 µA @ 70 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB228NS-30FHTL Rohm Semiconductor RB228NS-30FHTL 2.0600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB228 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 30 ए 720 mV @ 15 ए 10 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UMZ8.2TFHT106 Rohm Semiconductor UMZ8.2TFHT106 0.5700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.37% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 UMZ8.2 200 सभा UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम कैथोड ५०० सदाबहार @ ५ वी 8.2 वी 30 ओम
RFN3BGE2STL Rohm Semiconductor RFN3BGE2STL 1.1300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfn3b तमाम TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 3 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 ° C 3 ए -
PTZTFTE2518B Rohm Semiconductor PTZTFTE2518B 0.6100
सराय
 ECAD 945 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.01% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 13 वी 19.15 वी 12 ओम
RB706UM-40TL Rohm Semiconductor RB706UM-40TL 0.3900
सराय
 ECAD 400 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -85 RB706 schottky UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 40 वी 30ma 370 mV @ 1 सना हुआ 1 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBR10BM60ATL Rohm Semiconductor RBR10BM60ATL 1.0900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR10 schottky TO-252 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 5 ए 650 एमवी @ 5 ए 200 @a @ 60 V 150 ° C
RBR1VWM30ATR Rohm Semiconductor RBR1VWM30ATR 0.4900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RBR1VWM schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 150 ° C 1 क -
KDZLVTR56 Rohm Semiconductor Kdzlvtr56 0.4500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.25% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzlvtr56 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 @a @ 43 वी 56 वी
UDZWTE-1730B Rohm Semiconductor UDZWTE-1730B -
सराय
 ECAD 4193 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
KDZVTR4.7B Rohm Semiconductor Kdzvtr4.7b 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr4.7 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 4.95 वी
CDZFHT2RA11B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra11b 0.4100
सराय
 ECAD 250 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, CDZFH R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.09% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzfht2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gapa @ 8 वी 10.99 वी 30 ओम
RB075BGE40STL Rohm Semiconductor RB075BGE40STL 1.5500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB075 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 750 एमवी @ 5 ए 5 µa @ 40 V 150 ° C 5 ए -
RLZTE-1111B Rohm Semiconductor RLZTE-111111b -
सराय
 ECAD 3204 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सदाबहार @ वी वी 11 वी 10 ओम
RB088BGE-60TL Rohm Semiconductor RB088BGE-60TL 1.6100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB088 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 5 ए 830 mV @ 5 ए 3 µa @ 60 V 150 ° C
EDZVT2R4.3B Rohm Semiconductor Edzvt2r4.3b 0.2900
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 100 ओम
RB068L150DDTE25 Rohm Semiconductor RB068L150DDTE25 0.5900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RB068 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB068L150DDTE25TR Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 810 mV @ 2 ए 3 µa @ 150 V 150 ° C 2 ए -
RFL60TZ6SGC13 Rohm Semiconductor RFL60TZ6SGC13 7.6400
सराय
 ECAD 653 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 RFL60 तमाम To-247ge तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFL60TZ6SGC13 Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 650 वी 1.5 वी @ 60 ए 75 एनएस 10 µA @ 650 V 175 ° C 60 ए -
1SS356TW11 Rohm Semiconductor 1SS356TW11 0.4200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 125 ° C (TJ) SC-90, SOD-323F 1SS356 UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 100 सवार 200 सभा 1.2pf @ 6v, 1MHz तंग - एकल 35V 900MOHM @ 2MA, 100MHz
RN142VMTE-17 Rohm Semiconductor RN142VMTE-17 0.3900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) SC-90, SOD-323F RN142 UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 100 सवार 0.45pf @ 1V, 1MHz पिन - एकल 60V 3OHM @ 3MA, 100MHz
ADZT15R5.1B Rohm Semiconductor Adzt15r5.1b 0.3900
सराय
 ECAD 14 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) 100 तंग DSN0603-2, SOD-962, SMD0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 2 @a @ 1.5 वी 5.1 वी
RFUH10TF6SC9 Rohm Semiconductor RFUH10TF6SC9 2.5600
सराय
 ECAD 978 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 Rfuh10 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFUH10TF6SC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 10 ए 25 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 10 ए -
KDZLVTFTR82 Rohm Semiconductor Kdzlvtftr82 0.4500
सराय
 ECAD 22 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzlvtftr82 1 डब एस एस -123 fl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 @a @ 63 वी 82 वी
BZX84B22VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B22VLYFHT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.82% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 15 वी 22 वी 55 ओम
BAS16T116 Rohm Semiconductor Bas16t116 -
सराय
 ECAD 9143 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas16 तमाम SSD3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-BAS16T116TR Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 ° C 100ma 3.5pf @ 6v, 1MHz
BAT54SHYFHT116 Rohm Semiconductor BAT54SHYFHT116 0.5300
सराय
 ECAD 14 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 30 वी 200ma (डीसी) 800 एमवी @ 100 एमए 50 एनएस 2 @a @ 25 वी 150 ° C
RB550VM-30FHTE-17 Rohm Semiconductor RB550VM-30FHTE-17 0.4500
सराय
 ECAD 3795 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB550 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 590 एमवी @ 500 एमए 35 µA @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
RB228NS100TL Rohm Semiconductor RB228NS100TL 2.0400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB228 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 15 ए 870 mV @ 5 ए 150 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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