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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RB215T-90NZC9 Rohm Semiconductor RB215T-90NZC9 3.2900
सराय
 ECAD 895 0.00000000 रोटी - नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB215 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB215T-90NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 20 ए 750 mV @ 10 ए 400 µA @ 90 V 150 ° C
PDZVTFTR2.0B Rohm Semiconductor Pdzvtftr2.0b 0.4400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr2.0 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 µA @ 500 एमवी 2.12 वी 25 ओम
PDZVTR15A Rohm Semiconductor PDZVTR15A 0.4500
सराय
 ECAD 948 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.12% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 PDZVTR15 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 11 वी 14.7 वी 10 ओम
RB851Y7HMT2R Rohm Semiconductor RB851Y7HMT2R -
सराय
 ECAD 3443 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 schottky EMD4 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB851Y7HMT2RTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 3 वी 30ma (डीसी) 460 mV @ 1 सना हुआ 700 पायल @ 1 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RSX051VA-30TR Rohm Semiconductor RSX051VA-30TR 0.1479
सराय
 ECAD 8896 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rsx051 schottky TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 390 एमवी @ 500 एमए 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
UDZLVFHTE-1756 Rohm Semiconductor UDZLVFHTE-1756 0.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 6.25% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F UDZLVFHTE-1756 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 @a @ 43 वी 56 वी
YFZVFHTR7.5B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr7.5b 0.4300
सराय
 ECAD 986 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 2.62% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr7.5 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.26 वी 8 ओम
BZX84C36VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C36VLYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 25 वी 36 वी 90 ओम
RB088BM-30FHTL Rohm Semiconductor RB088BM-30FHTL 1.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB088 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 10 ए 720 mV @ 5 ए 3 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RF501BM2STL Rohm Semiconductor RF501BM2STL 1.3400
सराय
 ECAD 60 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RF501 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 5 ए 25 एनएस 1 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RFV8BM6SFHTL Rohm Semiconductor RFV8BM6SFHTL 1.4300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfv8bm6 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 8 ए 45 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
BZX84C5V1LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C5V1LYT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
RF071L4STE25 Rohm Semiconductor RF071L4STE25 0.1009
सराय
 ECAD 4779 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RF071 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 700 एमए 25 एनएस 10 µA @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
1SS400GT2R Rohm Semiconductor 1SS400GT2R -
सराय
 ECAD 5938 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-723 1SS400 तमाम VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3PF @ 0.5V, 1MHz
PDZVTFTR12B Rohm Semiconductor Pdzvtftr12b 0.4400
सराय
 ECAD 17 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 6.25% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 PDZVTFTR12 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 9 वी 12.75 वी 8 ओम
PDZVTFTR5.6B Rohm Semiconductor Pdzvtftr5.6b 0.4400
सराय
 ECAD 11 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 6.25% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr5.6 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 1.5 V 5.95 वी 8 ओम
BZX84B7V5LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B7V5LFHT116 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 5 वी 7.5 वी 15 ओम
EDZFTE6116B Rohm Semiconductor Edzfte6116b -
सराय
 ECAD 4720 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzft 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFTE6116BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
GDZ8EPT2R6.8B Rohm Semiconductor Gdz8ept2r6.8b -
सराय
 ECAD 9434 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-GDZ8EPT2R6.8BTR Ear99 8541.10.0050 8,000
RF201L4SDDTE25 Rohm Semiconductor RF201L4SDDTE25 0.7600
सराय
 ECAD 644 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur DO-214AC, SMA RF201 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 1.5 ए 30 एनएस 1 µa @ 400 V 150 ° C 1.5 ए -
PTZTFTE2536B Rohm Semiconductor PTZTFTE2536B 0.4600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTFTE2536 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 27 V 38 वी 20 ओम
UFZVTE-1710B Rohm Semiconductor UFZVTE-1710B 0.3000
सराय
 ECAD 450 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 2.77% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 8 ओम
RFV8BGE6STL Rohm Semiconductor RFV8BGE6STL 1.5800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfv8bge6 तमाम TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 8 ए 45 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 8 ए -
KDZLVTR68 Rohm Semiconductor Kdzlvtr68 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी Kdzlv R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzlvtr68 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 @a @ 52 वी 68 वी 230 ओम
UFZVTE-179.1B Rohm Semiconductor UFZVTE-179.1b 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 2.66% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 8.87 वी 8 ओम
RBQ5RSM10BTL1 Rohm Semiconductor Rbq5rsm10btl1 1.0800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 700 एमवी @ 5 ए 140 µA @ 100 वी 150 ° C 5 ए -
YDZVFHTR10 Rohm Semiconductor Ydzvfhtr10 0.4500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Ydzvfhtr10 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 6 V 10 वी
STZ6.2NFHT146 Rohm Semiconductor STZ6.2NFHT146 0.4600
सराय
 ECAD 305 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 4.83% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Stz6.2 200 सभा Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 1 µa @ 3 वी 6.11 वी 60 ओम
RBQ20NS45ATL Rohm Semiconductor RBQ20NS45ATL 1.4000
सराय
 ECAD 889 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBQ20 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 20 ए 650 mV @ 10 ए 140 @a @ 45 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84C27VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C27VLYT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 7.04% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 सवार @ 19 वी 27 वी 80 ओम
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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