SIC
close

अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RSX068MP2STR Rohm Semiconductor RSX068MP2STR 0.5100
सराय
 ECAD 4355 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F schottky एस एस -123 fl तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 890 mV @ 2 ए 100 kay @ 200 वी 175 ° C 2 ए -
TFZVTR27B Rohm Semiconductor TFZVTR27B 0.3700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड TFZVTR27 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ २१ वी 27 वी 45 ओम
RR255LA-400TR Rohm Semiconductor RR255LA-400TR -
सराय
 ECAD 1251 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RR255LA-400TR Ear99 8541.10.0080 3,000
RB098BM-40FNSTL Rohm Semiconductor RB098BM-40FNSTL 1.1000
सराय
 ECAD 9231 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 schottky TO-252 - 3 (168 घंटे) 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 3 ए 770 mV @ 3 ए 1.5 µA @ 40 वी 175 ° C
SCS210KE2HRC Rohm Semiconductor SCS210KE2HRC -
सराय
 ECAD 1132 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS210 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 360 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 20 ए (डीसी) 1.55 वी @ 20 ए 400 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB238NS-30FHTL Rohm Semiconductor RB238NS-30FHTL 2.3700
सराय
 ECAD 9959 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB238 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 40 ए 750 एमवी @ 20 ए 12 @ ए @ 30 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84C4V3LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C4V3LYT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.98% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 1 वी 4.3 वी 90 ओम
BZX84C9V1LT116 Rohm Semiconductor BZX84C9V1LT116 0.2300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.04% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 15 ओम
TFZGTR5.1B Rohm Semiconductor Tfzgtr5.1b 0.0886
सराय
 ECAD 5337 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr5.1 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1.5 V 5.1 वी 20 ओम
RBS1MM40ATR Rohm Semiconductor RBS1MM40ATR 0.4800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBS1MM40 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 380 mV @ 1 ए 400 µA @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RBR2LAM60ATR Rohm Semiconductor RBR2ALM60ATR 0.5300
सराय
 ECAD 9429 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RBR2LAMB60 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 650 mV @ 2 ए 75 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
CDZVT2R24B Rohm Semiconductor Cdzvt2r24b 0.2400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.21% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 सवार @ 19 वी 24 वी 120 ओम
RR255M-400TR Rohm Semiconductor RR255M-400TR 0.2940
सराय
 ECAD 5287 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123 RR255 तमाम पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 980 एमवी @ 700 एमए 1 µa @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
BZX84C2V7LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C2V7LYT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.41% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 2.7 वी 100 ओम
RB088NS150FHTL Rohm Semiconductor RB088NS150FHTL 1.3100
सराय
 ECAD 112 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 10 ए 880 mV @ 5 ए 10.7 एनएस 15 µa @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBR2MM30ATFTR Rohm Semiconductor RBR2MM30ATFTR 0.3900
सराय
 ECAD 5540 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR2MM30 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 530 mV @ 2 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
BZX84B7V5LYT116 Rohm Semiconductor BZX84B7V5LYT116 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 5 वी 7.5 वी 15 ओम
RB160A30T-32 Rohm Semiconductor RB160A30T-32 -
सराय
 ECAD 3454 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-41, RB160 schottky एक प्रकार का होना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RSAC6.8CST2RA Rohm Semiconductor RSAC6.8CST2RA 0.4500
सराय
 ECAD 16 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 4% - सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rsac6.8 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 1 µa @ 30 V 7.02 वी
RB238NS150FHTL Rohm Semiconductor RB238NS150FHTL 2.5700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB238 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 40 ए 920 mV @ 20 ए 20.2 एनएस 30 µa @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB068VWM-40TR Rohm Semiconductor RB068VWM-40TR 0.4800
सराय
 ECAD 2305 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB068 schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 790 mV @ 2 ए ५०० सवार @ ४० वी 175 ° C 2 ए -
UDZWTE-1711B Rohm Semiconductor UDZWTE-1711b -
सराय
 ECAD 5727 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
UDZLVFHTE-1751 Rohm Semiconductor UDZLVFHTE-1751 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F UDZLVFHTE-1751 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 39 V 51 वी
RB521AS-30T2R Rohm Semiconductor RB521AS-30T2R -
सराय
 ECAD 4518 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं RB521 schottky VML2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 200 एमए 30 µa @ 10 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
BZX84B12VLT116 Rohm Semiconductor BZX84B12VLT116 0.2600
सराय
 ECAD 779 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 1.66% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
PTZTE254.3B Rohm Semiconductor PTZTE254.3b 0.2014
सराय
 ECAD 7040 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE254.3 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µA @ 1 वी 4.6 वी 15 ओम
UFZVTE-173.6B Rohm Semiconductor UFZVTE-173.6b 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 60 ओम
RB451UMFHTL Rohm Semiconductor RB451UMFHTL -
सराय
 ECAD 9359 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur एससी -85 RB451 schottky UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 450 एमवी @ 100 एमए 90 µA @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 6pf @ 10v, 1MHz
RSX101MM-30TR Rohm Semiconductor RSX101MM-30TR 0.4400
सराय
 ECAD 36 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F Rsx101 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 390 mV @ 1 ए 200 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RBR2MM40BTFTR Rohm Semiconductor RBR2MM40BTFTR 0.4300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR2MM40 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 2 ए 80 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें