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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
PTZTFTE252.0B Rohm Semiconductor PTZTFTE252.0B 0.6100
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.66% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 200 µA @ 500 एमवी 2.12 वी 25 ओम
MTZJT-726.2A Rohm Semiconductor MTZJT-726.2a -
सराय
ECAD 1111 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt726.2a Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 3 वी 6.2 वी 30 ओम
RBQ5RSM65BTFTL1 Rohm Semiconductor Rbq5rsm65btftl1 1.0800
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 65 वी 660 mV @ 5 ए 90 @a @ 65 V 150 ° C 5 ए -
UDZVTE-1730B Rohm Semiconductor UDZVTE-1730B 0.2700
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kay @ 23 वी 30 वी 200 ओम
MTZJT-7227C Rohm Semiconductor MTZJT-7227C -
सराय
ECAD 6217 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम MTZJT7227C Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सवार @ २१ वी 27 वी 45 ओम
RB088LAM-60TFTR Rohm Semiconductor RB088LAM-60TFTR 0.6700
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 4 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RF301BM2STL Rohm Semiconductor RF301BM2STL 0.3675
सराय
ECAD 3396 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RF301 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 930 mV @ 3 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
CDZVT2R3.9B Rohm Semiconductor Cdzvt2r3.9b 0.2700
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 3.9 वी 100 ओम
STZ6.8TFHT146 Rohm Semiconductor STZ6.8TFHT146 0.4400
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 4.93% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Stz6.8 200 सभा Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी 40 ओम
RB055L-60TE25 Rohm Semiconductor RB055L-60TE25 0.1979
सराय
ECAD 9259 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB055 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 680 mV @ 3 ए 70 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
BZX84B13VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B13VLYFHT116 0.4200
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.31% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 13 वी 30 ओम
RB225T100 Rohm Semiconductor RB225T100 1.2437
सराय
ECAD 9181 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB225 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 110 वी 15 ए 860 mV @ 15 ए 400 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UFZVTE-1736B Rohm Semiconductor UFZVTE-1736B 0.3900
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.61% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ २ वी वी 34.12 वी 75 ओम
BZX84C3V6LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V6LYT116 0.4200
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
RB095BGE-90TL Rohm Semiconductor RB095BGE-90TL 0.9200
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB095 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 - 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 6 ए 750 एमवी @ 3 ए 150 µA @ 90 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBS5LAM40ATR Rohm Semiconductor RBS5LAMB40ATR 0.4700
सराय
ECAD 610 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbs5llam40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 490 mV @ 5 ए 800 µA @ 20 वी 125 ° C 5 ए -
RB088NS100TL Rohm Semiconductor RB088NS100TL 1.6600
सराय
ECAD 198 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 5 ए 870 mV @ 5 ए 5 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB168L100DDTE25 Rohm Semiconductor RB168L100DDTE25 0.4800
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 810 mV @ 1 ए ४०० पायल @ १०० वी 150 ° C 1 क -
UDZWTE-173.3B Rohm Semiconductor UDZWTE-173.3b -
सराय
ECAD 7586 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
RB162MM-30TFTR Rohm Semiconductor RB162MM-30TFTR 0.4800
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB162 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 520 mV @ 1 ए 100 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RBE05SM20AT2RB Rohm Semiconductor RBE05SM20AT2RB -
सराय
ECAD 2182 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 schottky EMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RBE05SM20AT2RBTR Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 530 एमवी @ 500 एमए 150 @a @ 20 वी 125 ° C 500ma -
RB521ZS-30ZT2R Rohm Semiconductor RB521ZS-30ZT2R -
सराय
ECAD 1909 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) RB521 schottky GMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB521ZS-30ZT2RTR Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 370 एमवी @ 10 एमए 7 µa @ 10 वी 150 ° C 100ma -
RB520ZS-30T2R Rohm Semiconductor RB520ZS-30T2R -
सराय
ECAD 7355 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) RB520 schottky GMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 460 एमवी @ 10 एमए 300 पायल @ 10 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RB088BM200TL Rohm Semiconductor RB088BM200TL 1.7200
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB088 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 10 ए 880 mV @ 5 ए 7 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB520ZS-40T2R Rohm Semiconductor RB520ZS-40T2R -
सराय
ECAD 5992 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) RB520 schottky GMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB520ZS-40T2RTR Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 480 एमवी @ 10 एमए 2 @a @ 40 वी 150 ° C 100ma -
RB168VWM-30TFTR Rohm Semiconductor RB168VWM-30TFTR 0.5600
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 690 mV @ 1 ए ६०० सवार @ ३० वी 175 ° C 1 क -
YFZVFHTR39B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr39b 0.4300
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.52% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr39 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 gaba @ 30 वी 36.28 वी 85 ओम
RB228NS-60FHTL Rohm Semiconductor RB228NS-60FHTL 2.0600
सराय
ECAD 707 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB228 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 30 ए 830 mV @ 15 ए 10 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
EDZFHTE615.6B Rohm Semiconductor Edzfhte615.6b -
सराय
ECAD 9101 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfht 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFHTE615.6BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
DAN222MFHT2L Rohm Semiconductor DAN222MFHT2L 0.3700
सराय
ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 Dan222 तमाम VMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम