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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - अधिकतम शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
DAN217UMFHTL Rohm Semiconductor DAN217UMFHTL 0.3800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur एससी -85 Dan217 तमाम UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 200 gaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB088LAM-60TFTR Rohm Semiconductor RB088LAM-60TFTR 0.6700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 4 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RB068M-40TR Rohm Semiconductor RB068M-40TR 0.5800
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123F RB068 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 725 mV @ 2 ए 550 पायल @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
MTZJT-7222B Rohm Semiconductor MTZJT-722222b -
सराय
 ECAD 3058 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt722222b Ear99 8541.10.0050 5,000 200 सवार @ 17 वी 22 वी 30 ओम
UFZVTE-1711B Rohm Semiconductor UFZVTE-1711b 0.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.77% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ वी वी 11 वी 10 ओम
RR1VWM6STFTR Rohm Semiconductor RR1VWM6STFTR 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RR1VWM6 तमाम पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.2 वी @ 1 ए 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RFUH10TF6SC9 Rohm Semiconductor RFUH10TF6SC9 2.5600
सराय
 ECAD 978 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 Rfuh10 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFUH10TF6SC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 10 ए 25 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 10 ए -
DA227YT2R Rohm Semiconductor DA227YT2R -
सराय
 ECAD 2623 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 DA227 तमाम EMD4 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RSX101MM-30TFTR Rohm Semiconductor RSX101MM-30TFTR 0.4500
सराय
 ECAD 26 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F Rsx101 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 390 mV @ 1 ए 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RN739DT146 Rohm Semiconductor RN739DT146 0.1411
सराय
 ECAD 6293 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN739 Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 ५० सदा 100 तंग 0.4pf @ 35V, 1MHz पिन - 1 कांपरा 50 वी 7ohm @ 10ma, 100mHz
CDZVT2R10B Rohm Semiconductor Cdzvt2r10b 0.2700
सराय
 ECAD 72 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gapa @ 7 वी 10 वी 30 ओम
RB051LA-40TR Rohm Semiconductor RB051LA-40TR -
सराय
 ECAD 8441 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB051 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 3 ए 1 पायल @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
UDZSTE-1722B Rohm Semiconductor Udzste-1722b 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 17 वी 22 वी 100 ओम
MTZJT-777.5C Rohm Semiconductor MTZJT-777.5C -
सराय
 ECAD 7695 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.5 वी 20 ओम
RBR5L60ATE25 Rohm Semiconductor RBR5L60ATE25 0.3972
सराय
 ECAD 3265 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR5L60 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 550 एमवी @ 5 ए 250 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RB088NS100FHTL Rohm Semiconductor RB088NS100FHTL 1.4000
सराय
 ECAD 27 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 870 mV @ 5 ए 11.8 एनएस 5 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RSAC6.8CST2RA Rohm Semiconductor RSAC6.8CST2RA 0.4500
सराय
 ECAD 16 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 4% - सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rsac6.8 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 1 µa @ 30 V 7.02 वी
CDZVT2R2.4B Rohm Semiconductor Cdzvt2r2.4b 0.2700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 120 µA @ 1 वी 2.4 वी 100 ओम
RB168LAM150TR Rohm Semiconductor RB168LAMA150TR 0.4800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 840 mV @ 1 ए 2.5 @a @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RLZTE-116.8C Rohm Semiconductor RLZTE-116.8C -
सराय
 ECAD 8760 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 2 µa @ 3.5 V 6.8 वी 8 ओम
DA221TL Rohm Semiconductor DA221TL 0.4200
सराय
 ECAD 57 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 DA221 तमाम EMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 20 वी 100ma 1 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
VMZT6.8NT2L Rohm Semiconductor Vmzt6.8nt2l -
सराय
 ECAD 1346 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur एसओटी -723 Vmzt6.8 १५० तंग VMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 1 जोड़ी आम एनोड 6.8 वी
PDZVTR16A Rohm Semiconductor PDZVTR16A 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 PDZVTR16 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 12 वी 16.2 वी 12 ओम
RLZTE-115.1A Rohm Semiconductor Rlzte-115.1a -
सराय
 ECAD 6217 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 5 µa @ 1.5 V 5.1 वी 20 ओम
RBE07V20ATE-17 Rohm Semiconductor RBE07V20ATE-17 -
सराय
 ECAD 1970 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 430 एमवी @ 500 एमए 200 @a @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
BZX84B13VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B13VLFHT116 0.2700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.31% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 13 वी 30 ओम
UFZVFHTE-1715B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1715B 0.3100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.63% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ ११ वी 15 वी 16 ओम
VDZT2R12B Rohm Semiconductor Vdzt2r12b -
सराय
 ECAD 1785 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 Vdzt2 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 पायल @ 9 वी 12 वी 30 ओम
RFV12TG6SGC9 Rohm Semiconductor RFV12TG6SGC9 1.5700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 RFV12 तमाम TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 12 ए 45 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 12 ए -
RFN10BM3SFHTL Rohm Semiconductor RFN10BM3SFHTL 1.0900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RFN10 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 350 वी 1.5 वी @ 10 ए 30 एनएस 10 µA @ 350 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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