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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - अधिकतम तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
UMN10NTR Rohm Semiconductor UMN10NTR 0.5000
सराय
 ECAD 20 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMN10 तमाम UMD6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ३ स 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
EDZFTE615.6B Rohm Semiconductor Edzfte615.6b -
सराय
 ECAD 2823 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzft 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFTE615.6BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
UFZVFHTE-1739B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1739B 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.45% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 gaba @ 30 वी 39 वी 85 ओम
CDZT2R13B Rohm Semiconductor Cdzt2r13b 0.0937
सराय
 ECAD 4719 0.00000000 रोटी सीडीजेड R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzt2 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 10 वी 13 वी 37 ओम
RBR3MM60BTR Rohm Semiconductor RBR3MM60BTR 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR3MM60 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 610 mV @ 3 ए 120 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
KDZLVTFTR82 Rohm Semiconductor Kdzlvtftr82 0.4500
सराय
 ECAD 22 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzlvtftr82 1 डब एस एस -123 fl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 @a @ 63 वी 82 वी
EDZVFHT2R24B Rohm Semiconductor Edzvfht2r24b 0.3700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.21% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvfht2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 सवार @ 19 वी 24 वी 120 ओम
BZX84B11VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B11VLFHT116 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 1.82% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 11 वी 20 ओम
RB550VM-30FHTE-17 Rohm Semiconductor RB550VM-30FHTE-17 0.4500
सराय
 ECAD 3795 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB550 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 590 एमवी @ 500 एमए 35 µA @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
RR255M-400TR Rohm Semiconductor RR255M-400TR 0.2940
सराय
 ECAD 5287 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123 RR255 तमाम पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 980 एमवी @ 700 एमए 1 µa @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
KDZVTFTR11B Rohm Semiconductor Kdzvtftr11b 0.4700
सराय
 ECAD 5082 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.91% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr11 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 8 V 11.65 वी
EMZT6.8ET2R Rohm Semiconductor EMZT6.8ET2R 0.4700
सराय
 ECAD 37 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SOT-553 EMZT6.8 १५० तंग EMD5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 2 जोड़ी आम एनोड 6.8 वी
CDZVT2R5.6B Rohm Semiconductor Cdzvt2r5.6b 0.2700
सराय
 ECAD 37 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 1 µa @ 2.5 V 5.6 वी 60 ओम
RB851YXNT2R Rohm Semiconductor RB851YXNT2R -
सराय
 ECAD 4044 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 schottky EMD4 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB851YXNT2RTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 3 वी 30ma (डीसी) 460 mV @ 1 सना हुआ 700 पायल @ 1 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BAS40-04HMFHT116 Rohm Semiconductor BAS40-04HMFHT116 0.2100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 schottky SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 40 वी 120ma (डीसी डीसी) 1 वी @ 40 एमए 10 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB215T-40 Rohm Semiconductor RB215T-40 -
सराय
 ECAD 2436 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB215 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम RB215T40 Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 10 ए 550 mV @ 10 ए 500 µA @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB886YGT2R Rohm Semiconductor RB886YGT2R -
सराय
 ECAD 5903 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 schottky EMD4 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB886YGT2RTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 15 वी 10ma (डीसी) 350 एमवी @ 1 सना हुआ 120 µA @ 5 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SCS230KE2GC11 Rohm Semiconductor SCS230KE2GC11 19.7300
सराय
 ECAD 9057 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS230 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-SCS230KE2GC11 Ear99 8541.10.0080 450 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 15 ए (डीसी) 1.6 वी @ 15 ए 0 एनएस 300 µA @ 1200 V 175 ° C
UDZVFHTE-173.9B Rohm Semiconductor UDZVFHTE-173.9b 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3.46% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.9 वी 100 ओम
RN141STE61 Rohm Semiconductor RN141STE61 0.4100
सराय
 ECAD 968 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 RN141 EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 100 सवार 0.8pf @ 1V, 1MHz पिन - एकल 50 वी 2OHM @ 3MA, 100MHz
RB168L100DDTE25 Rohm Semiconductor RB168L100DDTE25 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 810 mV @ 1 ए ४०० पायल @ १०० वी 150 ° C 1 क -
RBR5RSM40BTFTL1 Rohm Semiconductor Rbr5rsm40btftl1 1.2100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 530 mV @ 5 ए 120 µA @ 40 वी 150 ° C 5 ए -
RN142VMTE-17 Rohm Semiconductor RN142VMTE-17 0.3900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) SC-90, SOD-323F RN142 UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 100 सवार 0.45pf @ 1V, 1MHz पिन - एकल 60V 3OHM @ 3MA, 100MHz
GDZ8EPT2R6.2 Rohm Semiconductor Gdz8ept2r6.2 -
सराय
 ECAD 2269 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-GDZ8EPT2R6.2TR Ear99 8541.10.0050 8,000
YFZVFHTR33B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr3333b 0.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.51% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr33 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ २५ वी 31.1 वी 65 ओम
UDZLVTE-17150 Rohm Semiconductor UDZLVTE-17150 0.3000
सराय
 ECAD 24 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzlvte 200 सभा सोड -323fl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 120 वी 150 वी
RB088LAM100TR Rohm Semiconductor RB088LAMA100TR 0.6100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 870 mV @ 5 ए 3 µa @ 100 वी 150 ° C 5 ए -
RB160L-60TE25 Rohm Semiconductor RB160L-60TE25 0.1613
सराय
 ECAD 8783 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB160 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 1 ए 1 पायल @ 60 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
BAS16T116 Rohm Semiconductor Bas16t116 -
सराय
 ECAD 9143 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas16 तमाम SSD3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-BAS16T116TR Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 ° C 100ma 3.5pf @ 6v, 1MHz
SCS306AMC Rohm Semiconductor SCS306AMC 3.8600
सराय
 ECAD 930 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 SCS306 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.5 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 300pf @ 1V, 1MHz
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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