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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - अधिकतम तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
EMZ6.8NTL Rohm Semiconductor Emz6.8ntl 0.4700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-75, SOT-416 EMZ6.8 १५० तंग EMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी 40 ओम
RB088NS100FHTL Rohm Semiconductor RB088NS100FHTL 1.4000
सराय
 ECAD 27 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 870 mV @ 5 ए 11.8 एनएस 5 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UMZ8.2NT106 Rohm Semiconductor UMZ8.2NT106 0.1156
सराय
 ECAD 7910 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-70, SOT-323 UMZ8.2 200 सभा UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड ५०० सदाबहार @ ५ वी 8.2 वी 30 ओम
RB058L-40DDTE25 Rohm Semiconductor RB058L-40DDTE25 0.6400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB058 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 700 एमवी @ 3 ए 5 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RLZTE-1110A Rohm Semiconductor RLZTE-1110A -
सराय
 ECAD 8431 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 200 सवार @ 7 वी 9.7 वी 8 ओम
RB551VM-40FHTE-17 Rohm Semiconductor RB551VM-40FHTE-17 0.3800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB551 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 430 एमवी @ 200 एमए 300 µA @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
MTZJT-777.5C Rohm Semiconductor MTZJT-777.5C -
सराय
 ECAD 7695 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.5 वी 20 ओम
RB088LAM-60TFTR Rohm Semiconductor RB088LAM-60TFTR 0.6700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 4 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RB861YT2R Rohm Semiconductor RB861YT2R -
सराय
 ECAD 3687 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 RB861Y schottky EMD4 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 5 वी 10ma (डीसी) 290 mV @ 1 सना हुआ 30 µA @ 1 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
PDZVTFTR18B Rohm Semiconductor Pdzvtftr18b 0.4400
सराय
 ECAD 3295 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.39% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr18 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 13 वी 19.15 वी 12 ओम
EDZFTE6133B Rohm Semiconductor Edzfte6133b -
सराय
 ECAD 7233 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzft 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFTE6133BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
EDZLDTE616.8B Rohm Semiconductor Edzldte616.8b -
सराय
 ECAD 1296 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzldt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZLDTE616.8BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
1N4148T-77 Rohm Semiconductor 1N4148T-77 -
सराय
 ECAD 9782 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N4148 तमाम जीएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 5,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 75 वी 1 वी @ 10 एमए 4 एनएस 5 @a @ 75 वी -65 ° C ~ 200 ° C 150ma 4pf @ 0v, 1MHz
1SS400TE61 Rohm Semiconductor 1SS400TE61 -
सराय
 ECAD 9057 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SS400 तमाम EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3PF @ 0.5V, 1MHz
RB075BGE40STL Rohm Semiconductor RB075BGE40STL 1.5500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB075 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 750 एमवी @ 5 ए 5 µa @ 40 V 150 ° C 5 ए -
RB721Q-40T-77 Rohm Semiconductor RB721Q-40T-77 -
सराय
 ECAD 3095 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT RB721 schottky एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 5,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 370 mV @ 1 सना हुआ ५०० सदाबहार @ २५ 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30ma 2PF @ 1V, 1MHz
RB531SM-30FHT2R Rohm Semiconductor RB531SM-30FHT2R 0.3700
सराय
 ECAD 32 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB531 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 350 एमवी @ 10 एमए 10 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
VDZT2R22B Rohm Semiconductor VDZT2R22B -
सराय
 ECAD 1972 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 Vdzt2 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 17 वी 22 वी 100 ओम
RB095B-30TL Rohm Semiconductor RB095B-30TL -
सराय
 ECAD 2425 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB095B-30 schottky सीपीडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 3 ए 425 mV @ 3 ए 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB520CM-40T2R Rohm Semiconductor RB520CM-40T2R 0.3900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-923 RB520 schottky Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 710 एमवी @ 100 एमए 15 µa @ 40 V 150 ° C 100ma -
RBR10BM60AFHTL Rohm Semiconductor RBR10BM60AFHTL 0.4305
सराय
 ECAD 9406 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR10 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 10 ए 650 एमवी @ 5 ए 200 @a @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SCS110KGC Rohm Semiconductor SCS110KGC -
सराय
 ECAD 7160 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS110 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.75 वी @ 10 ए 0 एनएस 200 @a @ 1200 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 650pf @ 1V, 1MHz
RB228NS-30FHTL Rohm Semiconductor RB228NS-30FHTL 2.0600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB228 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 30 ए 720 mV @ 15 ए 10 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CDZVT2R2.4B Rohm Semiconductor Cdzvt2r2.4b 0.2700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 120 µA @ 1 वी 2.4 वी 100 ओम
RB168L100DDTE25 Rohm Semiconductor RB168L100DDTE25 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 810 mV @ 1 ए ४०० पायल @ १०० वी 150 ° C 1 क -
RBR5RSM40BTFTL1 Rohm Semiconductor Rbr5rsm40btftl1 1.2100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 530 mV @ 5 ए 120 µA @ 40 वी 150 ° C 5 ए -
RN141STE61 Rohm Semiconductor RN141STE61 0.4100
सराय
 ECAD 968 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 RN141 EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 100 सवार 0.8pf @ 1V, 1MHz पिन - एकल 50 वी 2OHM @ 3MA, 100MHz
RB886YGT2R Rohm Semiconductor RB886YGT2R -
सराय
 ECAD 5903 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 schottky EMD4 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB886YGT2RTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 15 वी 10ma (डीसी) 350 एमवी @ 1 सना हुआ 120 µA @ 5 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UDZSTE-1722B Rohm Semiconductor Udzste-1722b 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 17 वी 22 वी 100 ओम
UDZVFHTE-173.9B Rohm Semiconductor UDZVFHTE-173.9b 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3.46% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.9 वी 100 ओम
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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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