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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
YFZVFHTR2.2B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr2.2b 0.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 4.1% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr2.2 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 120 µA @ 700 एमवी 2.32 वी 120 ओम
EDZVT2R4.3B Rohm Semiconductor Edzvt2r4.3b 0.2900
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 100 ओम
UMZ27NFHT106 Rohm Semiconductor UMZ27NFHT106 0.4500
सराय
 ECAD 7335 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.4% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 UMZ27 200 सभा UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 kaga @ 21 वी 27 वी
EDZLDTE618.2B Rohm Semiconductor Edzldte618.2b -
सराय
 ECAD 3381 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzldt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZLDTE618.2BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RB560SS-40T2R Rohm Semiconductor RB560SS-40T2R -
सराय
 ECAD 3686 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) RB560 schottky KMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB560S-40T2RTR Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 640 एमवी @ 500 एमए 40 µa @ 40 V 150 ° C 500ma -
RB081LAM-20TR Rohm Semiconductor RB081AML-20TR 0.4700
सराय
 ECAD 24 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB081 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 5 ए 700 µA @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
SCS230AE2GC11 Rohm Semiconductor SCS230AE2GC11 12.1000
सराय
 ECAD 7144 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS230 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-SCS230AE2GC11 Ear99 8541.10.0080 450 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 15 ए (डीसी) 1.55 वी @ 15 ए 0 एनएस 300 µA @ 600 V 175 ° C
BZX84B13VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B13VLYT116 0.4500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.31% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 13 वी 30 ओम
RB160L-90TE25 Rohm Semiconductor RB160L-90TE25 0.1205
सराय
 ECAD 4993 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB160 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 730 mV @ 1 ए 100 µa @ 90 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
YFZVFHTR7.5B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr7.5b 0.4300
सराय
 ECAD 986 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.62% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr7.5 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.26 वी 8 ओम
RB420S-30TE61 Rohm Semiconductor RB420S-30TE61 -
सराय
 ECAD 1982 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB420S-30TE61TR शिर 3,000
MTZJT-7710C Rohm Semiconductor MTZJT-7710C -
सराय
 ECAD 1566 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
TDZTR10 Rohm Semiconductor Tdztr10 0.3900
सराय
 ECAD 593 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdztr10 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 6 V 10 वी
YDZVFHTR11 Rohm Semiconductor Ydzvfhtr11 0.3600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Ydzvfhtr11 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 7 V 11 वी
PDZVTFTR22B Rohm Semiconductor Pdzvtftr2222b 0.4400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.68% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 PDZVTFTR22 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 17 वी 23.25 वी 14 ओम
KDZVTFTR3.6B Rohm Semiconductor Kdzvtftr3.6b 0.4700
सराय
 ECAD 21 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr3.6 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 60 µA @ 1 वी 3.8 वी
DAN202UMTL Rohm Semiconductor Dan202umtl 0.2800
सराय
 ECAD 13 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -85 DAN202 तमाम UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SCS240KE2HRC11 Rohm Semiconductor SCS240KE2HRC11 24.0400
सराय
 ECAD 5410 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS240 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 20 ए (डीसी) 1.6 वी @ 20 ए 0 एनएस 400 µA @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB557WMFHTL Rohm Semiconductor RB557WMFHTL 0.4300
सराय
 ECAD 140 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-89, SOT-490 RB557 schottky EMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 100ma 490 mV @ 100 Ma 10 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBS3LAM40CTR Rohm Semiconductor RBS3LLAM40CTR 0.4600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbs3llam40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 400 mV @ 3 ए 800 µA @ 20 वी 125 ° C 3 ए -
RR255LA-400TR Rohm Semiconductor RR255LA-400TR -
सराय
 ECAD 1251 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RR255LA-400TR Ear99 8541.10.0080 3,000
BZX84B20VLT116 Rohm Semiconductor BZX84B20VLT116 0.2600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 14 वी 20 वी 55 ओम
BAS116HYFHT116 Rohm Semiconductor BAS116HYFHT116 0.3900
सराय
 ECAD 880 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas116 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 80 वी 1.25 वी @ 150 एमए 3 μs 5 सना हुआ @ 75 वी 150 ° C 215mA 4pf @ 0v, 1MHz
BZX84B6V2LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B6V2LFHT116 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 1.94% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
RBR3L40CDDTE25 Rohm Semiconductor RBR3L40CDDTE25 0.6300
सराय
 ECAD 85 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR3L40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 3 ए 100 µa @ 40 V 150 ° C 3 ए -
TFZGTR5.6B Rohm Semiconductor Tfzgtr5.6b 0.0886
सराय
 ECAD 4444 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr5.6 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 2.5 V 5.6 वी 13 ओम
RLZTE-1116C Rohm Semiconductor RLZTE-1116C -
सराय
 ECAD 8470 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सवार @ १२ वी 16 वी 18 ओम
RFV5BGE6STL Rohm Semiconductor RFV5BGE6STL 1.5000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfv5bge6 तमाम TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 5 ए 40 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 5 ए -
SDZT15R5.6 Rohm Semiconductor SDZT15R5.6 0.0403
सराय
 ECAD 2057 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% 150 ° C सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं SDZT15 100 तंग Smd0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 µa @ 2.5 V 5.6 वी
PTZTE2539A Rohm Semiconductor PTZTE2539A 0.2014
सराय
 ECAD 6160 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.13% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2539 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 3 वी 39 वी 50 ओम
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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