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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
EMZT6.8ET2R Rohm Semiconductor EMZT6.8ET2R 0.4700
सराय
 ECAD 37 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SOT-553 EMZT6.8 १५० तंग EMD5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 2 जोड़ी आम एनोड 6.8 वी
1N4004AT-82 Rohm Semiconductor 1N4004AT-82 -
सराय
 ECAD 7935 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4004 तमाम Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 400 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
SCS240KE2HRC11 Rohm Semiconductor SCS240KE2HRC11 24.0400
सराय
 ECAD 5410 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS240 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 20 ए (डीसी) 1.6 वी @ 20 ए 0 एनएस 400 µA @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
KDZTR3.9B Rohm Semiconductor Kdztr3.9b 0.1836
सराय
 ECAD 9022 0.00000000 रोटी KDZ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdztr3.9 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 40 µA @ 1 वी 4.1 वी
RB521S-30UNTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30UNTE61 -
सराय
 ECAD 4281 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB521 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB521S-30UNTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
CDZVT2R3.9B Rohm Semiconductor Cdzvt2r3.9b 0.2700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 3.9 वी 100 ओम
CDZVT2R10B Rohm Semiconductor Cdzvt2r10b 0.2700
सराय
 ECAD 72 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gapa @ 7 वी 10 वी 30 ओम
YDZVFHTR27 Rohm Semiconductor Ydzvfhtr27 0.3600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Ydzvfhtr27 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 19 वी 27 वी
CDZT2RA4.7B Rohm Semiconductor Cdzt2ra4.7b 0.0841
सराय
 ECAD 2899 0.00000000 रोटी सीडीजेड R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Sod-923 Cdzt2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 2 @a @ 1 वी 4.7 वी 100 ओम
EDZ9HUTE618.2B Rohm Semiconductor Edz9hute618.2b -
सराय
 ECAD 9394 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edz9hut 100 तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZ9HUTE618.2BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
BZX84C3V3LT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V3LT116 0.2300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
RB215T-90NZC9 Rohm Semiconductor RB215T-90NZC9 3.2900
सराय
 ECAD 895 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB215 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB215T-90NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 20 ए 750 mV @ 10 ए 400 µA @ 90 V 150 ° C
RB205T-60 Rohm Semiconductor RB205T-60 0.9002
सराय
 ECAD 8971 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB205 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 7.5a 580 mV @ 7.5 ए 600 @a @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RLZTE-1112C Rohm Semiconductor RLZTE-1112C -
सराय
 ECAD 4399 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 200 सवार @ 9 वी 12 वी 12 ओम
KDZTR3.6B Rohm Semiconductor Kdztr3.6b 0.1836
सराय
 ECAD 1595 0.00000000 रोटी KDZ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdztr3.6 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 60 µA @ 1 वी 3.8 वी
KDZVTFTR11B Rohm Semiconductor Kdzvtftr11b 0.4700
सराय
 ECAD 5082 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.91% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr11 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 8 V 11.65 वी
RB048RSM10STL1 Rohm Semiconductor RB048RSM10STL1 1.2300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 840 mV @ 8 ए 3.4 @a @ 100 वी 175 ° C 8 ए -
BZX84C36VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C36VLYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 25 वी 36 वी 90 ओम
RB520S-30GCTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30GCTE61 -
सराय
 ECAD 7304 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB520S-30GCTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
RFN16T2DNZC9 Rohm Semiconductor RFN16T2DNZC9 2.2900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RFN16 तमाम To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFN16T2DNZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 16 ए 980 mV @ 8 ए 30 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 ° C
MTZJT-722.2B Rohm Semiconductor MTZJT-722.2B -
सराय
 ECAD 3143 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt722.2b Ear99 8541.10.0050 5,000 2.2 वी
SCS240KE2C Rohm Semiconductor SCS240KE2C -
सराय
 ECAD 8510 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS240 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम SCS240KE2CZ Ear99 8541.10.0080 360 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 20 ए (डीसी) 0 एनएस 400 µA @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB088BM200TL Rohm Semiconductor RB088BM200TL 1.7200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB088 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 10 ए 880 mV @ 5 ए 7 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB532HS-30T15R Rohm Semiconductor RB532HS-30T15R 0.3800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) RB532 schottky DSN0603-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 15,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 500 एमवी @ 100 एमए 100 µa @ 30 V 150 ° C 200MA -
RB706UM-40FHTL Rohm Semiconductor RB706UM-40FHTL 0.3900
सराय
 ECAD 7766 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur एससी -85 RB706 schottky UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 40 वी 30ma 370 mV @ 1 सना हुआ 1 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB521G-30T2R Rohm Semiconductor RB521G-30T2R -
सराय
 ECAD 6149 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-723 RB521 schottky VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 350 एमवी @ 10 एमए 10 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
TFZGTR30B Rohm Semiconductor Tfzgtr30b 0.0886
सराय
 ECAD 4105 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr30 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ २३ वी 30 वी 55 ओम
KDZVTR2.4B Rohm Semiconductor Kdzvtr2.4b 0.4300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.25% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr2.4 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 @a @ 1 वी 2.4 वी
RBR5RSM40BTFTL1 Rohm Semiconductor Rbr5rsm40btftl1 1.2100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 530 mV @ 5 ए 120 µA @ 40 वी 150 ° C 5 ए -
RBQ5RSM10BTL1 Rohm Semiconductor Rbq5rsm10btl1 1.0800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 700 एमवी @ 5 ए 140 µA @ 100 वी 150 ° C 5 ए -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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