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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RBR5RSM40BTFTL1 Rohm Semiconductor Rbr5rsm40btftl1 1.2100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 530 mV @ 5 ए 120 µA @ 40 वी 150 ° C 5 ए -
RBQ5RSM10BTL1 Rohm Semiconductor Rbq5rsm10btl1 1.0800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 700 एमवी @ 5 ए 140 µA @ 100 वी 150 ° C 5 ए -
RB088BM-30FHTL Rohm Semiconductor RB088BM-30FHTL 1.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB088 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 10 ए 720 mV @ 5 ए 3 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
PDZVTFTR18B Rohm Semiconductor Pdzvtftr18b 0.4400
सराय
 ECAD 3295 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.39% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr18 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 13 वी 19.15 वी 12 ओम
UDZSTE-1711B Rohm Semiconductor Udzste-1711b 0.3900
सराय
 ECAD 11 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 11 वी 30 ओम
SCS210AGC17 Rohm Semiconductor SCS210AGC17 5.2700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-SCS210AGC17 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 10 ए 0 एनएस 200 µA @ 600 V 175 ° C 10 ए 365pf @ 1V, 1MHz
GDZ8EPT2R14 Rohm Semiconductor GDZ8EPT2R14 -
सराय
 ECAD 3714 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-GDZ8EPT2R14TR Ear99 8541.10.0050 8,000
RBR1L40ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR1L40ADDTE25 0.5900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR1L40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 520 mV @ 1 ए 50 µa @ 40 V 150 ° C 1 क -
RB521ZS-3AZT2R Rohm Semiconductor RB521ZS-3AZT2R -
सराय
 ECAD 8384 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB521 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB521ZS-3AZT2RTR Ear99 8541.10.0070 8,000
RBQ20T45ANZC9 Rohm Semiconductor RBQ20T45ANZC9 1.5000
सराय
 ECAD 995 0.00000000 रोटी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RBQ20 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 650 mV @ 10 ए 140 @a @ 45 V 150 ° C
UFZVFHTE-1722B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1722B 0.3100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.61% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 17 वी 22 वी 30 ओम
PTZTE2522A Rohm Semiconductor PTZTE2522A 0.2014
सराय
 ECAD 7867 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.38% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2522 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 17 वी 23.25 वी 14 ओम
EDZ8HRTE6112B Rohm Semiconductor Edz8hrte6112b -
सराय
 ECAD 2665 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edz8hrt 100 तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZ8HRTE6112BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
PDZVTFTR22B Rohm Semiconductor Pdzvtftr2222b 0.4400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.68% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 PDZVTFTR22 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 17 वी 23.25 वी 14 ओम
TFZGTR11B Rohm Semiconductor Tfzgtr11b 0.0886
सराय
 ECAD 5094 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr11 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ वी वी 11 वी 10 ओम
RBQ3RSM10BTL1 Rohm Semiconductor RBQ3RSM10BTL1 0.9000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 700 एमवी @ 3 ए 80 @a @ 100 वी 150 ° C 3 ए -
EDZVFHT2R22B Rohm Semiconductor Edzvfht2r2222b 0.3400
सराय
 ECAD 23 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.11% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvfht2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 17 वी 22 वी 100 ओम
PTZTFTE252.7B Rohm Semiconductor PTZTFTE252.7B 0.4800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.41% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 200 @a @ 1 वी 2.9 वी 15 ओम
TFZVTR3.0B Rohm Semiconductor Tfzvtr3.0b 0.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzvtr3.0 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 50 µa @ 1 वी 3 वी 80 ओम
EDZFTE6112B Rohm Semiconductor Edzfte6112b -
सराय
 ECAD 6194 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzft 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFTE6112BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
EDZLDTE6111B Rohm Semiconductor Edzldte6111b -
सराय
 ECAD 1756 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzldt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-edzldte6111btr Ear99 8541.10.0050 3,000
RF101L4STE25 Rohm Semiconductor RF101L4STE25 0.1154
सराय
 ECAD 3732 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RF101 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 1 ए 25 एनएस 10 µA @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
TDZVTR15 Rohm Semiconductor TDZVTR15 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड TDZVTR15 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 10 V 15 वी
RBS3LAM40CTR Rohm Semiconductor RBS3LLAM40CTR 0.4600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbs3llam40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 400 mV @ 3 ए 800 µA @ 20 वी 125 ° C 3 ए -
EDZVFHT2R16B Rohm Semiconductor Edzvfht2r16b 0.3400
सराय
 ECAD 25 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvfht2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 kaga @ 12 वी 16 वी 50 ओम
UDZLVFHTE-1756 Rohm Semiconductor UDZLVFHTE-1756 0.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.25% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F UDZLVFHTE-1756 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 @a @ 43 वी 56 वी
KDZVTR8.2B Rohm Semiconductor Kdzvtr8.2b 0.3900
सराय
 ECAD 45 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr8.2 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 5 वी 8.75 वी
BZX84C4V7LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C4V7LYT116 0.4200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.38% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 2 वी 4.7 वी 80 ओम
EDZTE6124B Rohm Semiconductor Edzte6124b -
सराय
 ECAD 7010 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzte6124 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 सवार @ 19 वी 24 वी 120 ओम
UDZWTE-179.1B Rohm Semiconductor UDZWTE-179.1b -
सराय
 ECAD 1519 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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