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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
PTZTE253.9A Rohm Semiconductor PTZTE253.9A 0.2014
सराय
 ECAD 8644 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE253.9 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 40 µA @ 1 वी 3.9 वी 15 ओम
KDZVTR12B Rohm Semiconductor Kdzvtr12b 0.3900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr12 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 9 वी 12.75 वी
KDZLVTFTR62 Rohm Semiconductor Kdzlvtftr62 0.4500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzlvtftr62 1 डब एस एस -123 fl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 @a @ 47 वी 62 वी
RB218NS100FHTL Rohm Semiconductor RB218NS100FHTL 1.7900
सराय
 ECAD 893 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB218 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 870 mV @ 10 ए 7 µa @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
DZ2710000L Rohm Semiconductor DZ2710000L -
सराय
 ECAD 8768 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-DZ2710000LTR Ear99 8541.10.0050 3,000
MTZJT-7713B Rohm Semiconductor MTZJT-7713B -
सराय
 ECAD 4976 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 200 सवार @ 10 वी 13 वी 25 ओम
CDZFHT2RA15B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra15b 0.4100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, CDZFH R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.18% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzfht2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 11 वी 14.66 वी 42 ओम
RBR3L40BTE25 Rohm Semiconductor RBR3L40BTE25 0.6000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR3L40 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 620 mV @ 3 ए 80 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RFUH20NS6SFHTL Rohm Semiconductor RFUH20NS6SFHTL 1.6700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RFUH20 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 20 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 315pf @ 0v, 1MHz
RB521CS-30FHT2RA Rohm Semiconductor RB521CS-30FHT2RA 0.4600
सराय
 ECAD 22 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-923 RB521 schottky VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 350 एमवी @ 10 एमए 10 µa @ 10 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
BZX84B10VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B10VLFHT116 0.2700
सराय
 ECAD 95 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
KDZVTFTR27B Rohm Semiconductor Kdzvtftr27b 0.4700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.04% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr27 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 21 वी 28.9 वी
EDZVFHT2R11B Rohm Semiconductor Edzvfht2r11b 0.3400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.09% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvfht2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gapa @ 8 वी 11 वी 30 ओम
UFZVFHTE-1724B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1724B 0.3100
सराय
 ECAD 5311 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.58% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ वी वी 24 वी 35 ओम
1SS380VMFHTE-17 Rohm Semiconductor 1SS380VMFHTE-17 0.4200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F 1SS380 तमाम UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 10 सना हुआ @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 5PF @ 500MV, 1MHz
TDZVTR18 Rohm Semiconductor Tdzvtr18 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdzvtr18 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 13 वी 18 वी
RB058LAM-60TR Rohm Semiconductor RB058LAM-60TR 0.6100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB058 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 640 mV @ 3 ए 4 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RB228NS150FHTL Rohm Semiconductor RB228NS150FHTL 2.0900
सराय
 ECAD 50 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB228 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 30 ए 880 mV @ 15 ए 25 @a @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CDZT2R5.1B Rohm Semiconductor Cdzt2r5.1b 0.0928
सराय
 ECAD 8571 0.00000000 रोटी सीडीजेड R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Sod-923 Cdzt2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 2 @a @ 1.5 वी 5.1 वी 80 ओम
RB731UT108 Rohm Semiconductor RB731UT108 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RB731 schottky Smt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ३ स 40 वी 30ma 370 mV @ 1 सना हुआ 1 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UDZVTE-1716B Rohm Semiconductor UDZVTE-1716b 0.2700
सराय
 ECAD 18 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 12 वी 16 वी 50 ओम
YFZVFHTR15B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr15b 0.4300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr15 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ ११ वी 14.26 वी 16 ओम
RB160VA-40TR Rohm Semiconductor RB160VA-40TR 0.1360
सराय
 ECAD 1323 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB160 schottky TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 एमवी @ 700 एमए 50 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RF101L2STE25 Rohm Semiconductor RF101L2STE25 0.1261
सराय
 ECAD 7604 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RF101 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 870 mV @ 1 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB530VM-30FHTE-17 Rohm Semiconductor RB530VM-30FHTE-17 0.4600
सराय
 ECAD 945 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB530 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 450 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ १० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RB160MM-50TR Rohm Semiconductor RB160MM-50TR 0.4100
सराय
 ECAD 75 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB160 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 510 mV @ 1 ए 30 µA @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB425DT146 Rohm Semiconductor RB425DT146 0.4900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RB425 schottky Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 100ma 550 एमवी @ 100 एमए 30 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
EDZTE6115B Rohm Semiconductor Edzte6115b -
सराय
 ECAD 9127 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzte6115 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 11 वी 14.7 वी 42 ओम
RBR2LAM60ATFTR Rohm Semiconductor RBR2LAM60ATFTR 0.4500
सराय
 ECAD 17 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RBR2LAMB60 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 75 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
KDZVTFTR2.4B Rohm Semiconductor Kdzvtftr2.4b 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.25% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr2.4 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 @a @ 1 वी 2.55 वी
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AD9208BBPZ-3000

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