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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RBR1VWM40ATR Rohm Semiconductor RBR1VWM40ATR 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RBR1VWM schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RBR1VWM40ATR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 520 mV @ 1 ए 50 µa @ 40 V 150 ° C 1 क -
1SS4009HLTE61 Rohm Semiconductor 1SS4009HLTE61 -
सराय
 ECAD 5082 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-1SS4009HLTE61TR शिर 3,000
RRE04EA6DFHTR Rohm Semiconductor RRE04EA6DFHTR 0.4400
सराय
 ECAD 240 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-23-5 पतली, TSOT-23-5 Rre04 तमाम TSMD5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 600 वी 400ma 1.1 वी @ 200 एमए 1 @a @ 600 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TFZVTR2.4B Rohm Semiconductor Tfzvtr2.4b 0.3700
सराय
 ECAD 265 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzvtr2.4 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 120 µA @ 1 वी 2.4 वी 100 ओम
UFZVFHTE-1711B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1711B 0.3100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.77% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ वी वी 11 वी 10 ओम
RB095BM-90FHTL Rohm Semiconductor RB095BM-90FHTL 0.9500
सराय
 ECAD 13 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB095 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 6 ए 750 एमवी @ 3 ए 8.4 एनएस 150 µA @ 90 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UDZVFHTE-178.2B Rohm Semiconductor UDZVFHTE-178.2B 0.3500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.07% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ५ वी 8.2 वी 30 ओम
RFUH20TF6SC9 Rohm Semiconductor RFUH20TF6SC9 3.0200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFUH20 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFUH20TF6SC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 20 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 20 ए -
RBR2L60BTE25 Rohm Semiconductor RBR2L60BTE25 0.2637
सराय
 ECAD 3122 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR2L60 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 520 mV @ 2 ए 150 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
CDZT2R4.7B Rohm Semiconductor Cdzt2r4.7b 0.0928
सराय
 ECAD 3616 0.00000000 रोटी सीडीजेड R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Sod-923 Cdzt2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 2 @a @ 1 वी 4.7 वी 100 ओम
RB520S-30GDTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30GDTE61 -
सराय
 ECAD 8093 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB520S-30GDTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
CDZT2R3.6B Rohm Semiconductor Cdzt2r3.6b 0.0928
सराय
 ECAD 5374 0.00000000 रोटी सीडीजेड R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Sod-923 Cdzt2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 100 ओम
RSX301LAM30TFTR Rohm Semiconductor RSX301LM330TFTR 0.6500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RSX301 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
TDZTR13 Rohm Semiconductor Tdztr13 0.1088
सराय
 ECAD 3422 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdztr13 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 9 वी 13 वी
RB520S-30LDTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30LDTE61 -
सराय
 ECAD 3705 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB520S-30LDTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
BZX84C36VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C36VLFHT116 0.1600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 7.41% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 2.7 वी 100 ओम
RBQ20NS65AFHTL Rohm Semiconductor RBQ20NS65AFHTL 1.2500
सराय
 ECAD 51 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBQ20 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 65 वी 20 ए 690 mV @ 10 ए 140 µA @ 65 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BAT54HMT116 Rohm Semiconductor BAT54HMT116 0.2400
सराय
 ECAD 51 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 800 एमवी @ 100 एमए 50 एनएस 2 @a @ 25 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 12pf @ 1V, 1MHz
RB050LA-40ZDTR Rohm Semiconductor RB050LA-40ZDTR -
सराय
 ECAD 1730 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB050 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB050LA-40ZDTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 3 ए 100 µa @ 40 V 150 ° C 3 ए -
RB161VA-20TR Rohm Semiconductor RB161VA-20TR 0.1565
सराय
 ECAD 8926 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB161 schottky TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 420 mV @ 1 ए 1 पायल @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB085B-30TL Rohm Semiconductor RB085B-30TL -
सराय
 ECAD 6182 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB085B-30 schottky सीपीडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 5 ए 480 mV @ 4 ए 300 µA @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RF1005TF6SFHC9 Rohm Semiconductor RF1005TF6SFHC9 2.0300
सराय
 ECAD 954 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RF1005 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 10 ए 40 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
MTZJT-776.8B Rohm Semiconductor MTZJT-776.8B -
सराय
 ECAD 5600 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 2 µa @ 3.5 V 6.8 वी 20 ओम
KDZVTR3.9B Rohm Semiconductor Kdzvtr3.9b 0.3800
सराय
 ECAD 16 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr3.9 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 40 µA @ 1 वी 4.15 वी
DA380UT106 Rohm Semiconductor DA380UT106 0.4600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-70, SOT-323 DA380 तमाम UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 10 सना हुआ @ 20 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
PDZVTR2.0B Rohm Semiconductor Pdzvtr2.0b 0.4000
सराय
 ECAD 277 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr2.0 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 µA @ 500 एमवी 2 वी 25 ओम
RB496KATR Rohm Semiconductor RB496KATR 0.5300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-एसएमडी (5 लीड), किल्कस लीड RB496 schottky Tumd5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 20 वी 1 क 430 mV @ 1 ए 800 @a @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB238NS-60TL Rohm Semiconductor RB238NS-60TL 2.1500
सराय
 ECAD 862 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB238 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 40 ए 860 mV @ 20 ए 12 @a @ 60 वी 150 ° C
SCS302AJTLL Rohm Semiconductor SCS302AJTLL 2.6300
सराय
 ECAD 499 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SCS302 Sic (सिलिकॉन antairchama) LPTL तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.5 V @ 2.15 ए 0 एनएस 10.8 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2.15 ए 110pf @ 1V, 1MHz
RB530CM-30T2R Rohm Semiconductor RB530CM-30T2R 0.2600
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 ECAD 58 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB530 schottky Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 460 एमवी @ 10 एमए 300 पायल @ 10 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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