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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
UDZWTE-178.2B Rohm Semiconductor UDZWTE-178.2B -
सराय
ECAD 6646 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
EDZ9HUTE6122B Rohm Semiconductor Edz9hute6122b -
सराय
ECAD 5707 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edz9hut 100 तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZ9HUTE6122BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
MTZJT-7211B Rohm Semiconductor MTZJT-7211b -
सराय
ECAD 6724 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt7211b Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सदाबहार @ वी वी 11 वी 20 ओम
BZX84B16VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B16VLYFHT116 0.4200
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 11 वी 16 वी 40 ओम
BZX84B22VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B22VLYT116 0.4500
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.82% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 15 वी 22 वी 55 ओम
RB228NS150TL Rohm Semiconductor RB228NS150TL 2.2000
सराय
ECAD 520 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB228 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 30 ए 880 mV @ 15 ए 25 @a @ 150 V 150 ° C
PDZVTFTR5.1B Rohm Semiconductor Pdzvtftr5.1b 0.4400
सराय
ECAD 14 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr5.1 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 5.4 वी 8 ओम
KDZVTFTR2.0B Rohm Semiconductor Kdzvtftr2.0b 0.4700
सराय
ECAD 7 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr2.0 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 µA @ 500 एमवी 2.12 वी
BAT54SHYT116 Rohm Semiconductor BAT54SHYT116 0.4100
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 30 वी 200ma (डीसी) 800 एमवी @ 100 एमए 50 एनएस 2 @a @ 25 वी 150 ° C
RF071LAM4STR Rohm Semiconductor Rf071lam4str 0.4100
सराय
ECAD 61 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RF071 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 700 एमए 25 एनएस 10 µA @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RFN2L6SDDTE25 Rohm Semiconductor RFN2L6SDDTE25 0.6500
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RFN2L6 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 1.5 ए 35 एनएस 1 @a @ 600 वी 150 ° C 1.5 ए -
RB851YGT2RB Rohm Semiconductor RB851YGT2RB -
सराय
ECAD 4663 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 schottky EMD4 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB851YGT2RBTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 3 वी 30ma (डीसी) 460 mV @ 1 सना हुआ 700 पायल @ 1 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
PDZVTR30B Rohm Semiconductor Pdzvtr30b 0.4500
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी पीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.25% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr30 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 23 वी 32 वी 18 ओम
RBR15BGE60ATL Rohm Semiconductor RBR15BGE60ATL 1.8400
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR15 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 15 ए 580 mV @ 7.5 ए 400 µA @ 60 V 150 ° C
UFZVFHTE-179.1B Rohm Semiconductor Ufzvfhte-179.1b 0.3100
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.59% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 8 ओम
RBR2MM60CTR Rohm Semiconductor RBR2MM60CTR 0.5300
सराय
ECAD 3137 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR2MM60 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 550 mV @ 2 ए 120 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RBR15BM30ATL Rohm Semiconductor RBR15BM30ATL 1.5000
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR15 schottky TO-252 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 7.5a 510 mV @ 7.5 ए 200 µa @ 30 V 150 ° C
UDZWTE-173.9B Rohm Semiconductor UDZWTE-173.9b -
सराय
ECAD 8864 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
UDZWTE-1715B Rohm Semiconductor UDZWTE-1715b -
सराय
ECAD 9363 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
UDZVTE-1747 Rohm Semiconductor UDZVTE-1747 0.2800
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.32% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 36 वी 47 वी 600 ओम
RB540SM-40FHT2R Rohm Semiconductor RB540SM-40FHT2R 0.2000
सराय
ECAD 8 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB540 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 710 एमवी @ 100 एमए 15 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RFU20TM5S Rohm Semiconductor RFU20TM5S 1.0260
सराय
ECAD 7856 0.00000000 रोटी - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RFU20 तमाम To-220fn - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 530 वी 2 वी @ 20 ए 30 एनएस 10 µA @ 530 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए -
RB510SM-40FHT2R Rohm Semiconductor RB510SM-40FHT2R 0.2100
सराय
ECAD 16 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB510 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 480 एमवी @ 10 एमए 2 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
KDZVTFTR33B Rohm Semiconductor Kdzvtftr3333b 0.4700
सराय
ECAD 8 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr33 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 25 वी 35 वी
EDZGTE613.9B Rohm Semiconductor Edzgte613.9b -
सराय
ECAD 9970 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzgt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZGTE613.9BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
KDZVTFTR20B Rohm Semiconductor Kdzvtftr20b 0.4700
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr20 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 15 V 21.2 वी
RB160VYM-60FHTR Rohm Semiconductor RB160VYM-60FHTR 0.0909
सराय
ECAD 4538 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB160 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 670 mV @ 1 ए 6.65 एनएस 40 @a @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
1SR153-400T-31 Rohm Semiconductor 1SR153-400T-31 -
सराय
ECAD 7086 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-41, 1SR153-400 तमाम एक प्रकार का होना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1SR153400T31 Ear99 8541.10.0080 2,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 800 एमए 400 एनएस 10 µA @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
KDZTFTR3.9B Rohm Semiconductor Kdztftr3.9b -
सराय
ECAD 2628 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.41% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdztftr3.9 1 डब पेडु - Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 40 µA @ 1 वी 3.9 वी
SCS215KGC17 Rohm Semiconductor SCS215KGC17 11.5900
सराय
ECAD 9936 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-SCS215KGC17 Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 15 ए 0 एनएस 300 µA @ 1200 V 175 ° C 15 ए 790pf @ 1V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम