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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RBR1MM30ATR Rohm Semiconductor RBR1MM30ATR 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR1MM30 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
KDZVTFTR20B Rohm Semiconductor Kdzvtftr20b 0.4700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr20 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 15 V 21.2 वी
RB160VYM-60FHTR Rohm Semiconductor RB160VYM-60FHTR 0.0909
सराय
 ECAD 4538 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB160 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 670 mV @ 1 ए 6.65 एनएस 40 @a @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
UDZVTE-1747 Rohm Semiconductor UDZVTE-1747 0.2800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.32% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 36 वी 47 वी 600 ओम
RB420DT146 Rohm Semiconductor RB420DT146 0.3900
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RB420 schottky Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 450 एमवी @ 10 एमए 1 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 6pf @ 10v, 1MHz
TFZVTR5.1B Rohm Semiconductor Tfzvtr5.1b 0.3700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzvtr5.1 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1.5 V 5.1 वी 20 ओम
RB161VA-20TR Rohm Semiconductor RB161VA-20TR 0.1565
सराय
 ECAD 8926 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB161 schottky TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 420 mV @ 1 ए 1 पायल @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
UDZWTE-173.9B Rohm Semiconductor UDZWTE-173.9b -
सराय
 ECAD 8864 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
BZX84B27VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B27VLYT116 0.4500
सराय
 ECAD 350 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.85% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 सवार @ 19 वी 27 वी 80 ओम
RBQ30NS45BTL Rohm Semiconductor RBQ30NS45BTL 2.1800
सराय
 ECAD 711 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBQ30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 590 mV @ 30 ए 350 µA @ 45 V 150 ° C 30 ए -
RR1VWM4STFTR Rohm Semiconductor RR1VWM4STFTR 0.3800
सराय
 ECAD 30 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rr1vwm4 तमाम पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 1 ए 10 µA @ 400 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
CDZVT2R5.1B Rohm Semiconductor Cdzvt2r5.1b 0.2700
सराय
 ECAD 38 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 2 @a @ 1.5 वी 5.1 वी 80 ओम
MTZJT-776.8B Rohm Semiconductor MTZJT-776.8B -
सराय
 ECAD 5600 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 2 µa @ 3.5 V 6.8 वी 20 ओम
RF1005TF6SFHC9 Rohm Semiconductor RF1005TF6SFHC9 2.0300
सराय
 ECAD 954 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RF1005 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 10 ए 40 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
RRE07VSM4STR Rohm Semiconductor RRE07VSM4STR 0.4400
सराय
 ECAD 8336 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RRE07 तमाम TUMD2SM तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 700 एमए 1 µa @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
RLZTE-1122D Rohm Semiconductor RLZTE-1122D -
सराय
 ECAD 8640 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 RLZTE-1122 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 200 सवार @ 17 वी 21.2 वी 30 ओम
RB085B-30TL Rohm Semiconductor RB085B-30TL -
सराय
 ECAD 6182 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB085B-30 schottky सीपीडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 5 ए 480 mV @ 4 ए 300 µA @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
KDZVTR3.9B Rohm Semiconductor Kdzvtr3.9b 0.3800
सराय
 ECAD 16 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr3.9 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 40 µA @ 1 वी 4.15 वी
RB496KATR Rohm Semiconductor RB496KATR 0.5300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-एसएमडी (5 लीड), किल्कस लीड RB496 schottky Tumd5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 20 वी 1 क 430 mV @ 1 ए 800 @a @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB530CM-30T2R Rohm Semiconductor RB530CM-30T2R 0.2600
सराय
 ECAD 58 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB530 schottky Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 460 एमवी @ 10 एमए 300 पायल @ 10 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
DA380UT106 Rohm Semiconductor DA380UT106 0.4600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-70, SOT-323 DA380 तमाम UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 10 सना हुआ @ 20 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
PDZVTR2.0B Rohm Semiconductor Pdzvtr2.0b 0.4000
सराय
 ECAD 277 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr2.0 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 µA @ 500 एमवी 2 वी 25 ओम
RB238NS-60TL Rohm Semiconductor RB238NS-60TL 2.1500
सराय
 ECAD 862 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB238 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 40 ए 860 mV @ 20 ए 12 @a @ 60 वी 150 ° C
SCS302AJTLL Rohm Semiconductor SCS302AJTLL 2.6300
सराय
 ECAD 499 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SCS302 Sic (सिलिकॉन antairchama) LPTL तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.5 V @ 2.15 ए 0 एनएस 10.8 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2.15 ए 110pf @ 1V, 1MHz
RFS60TZ6SGC13 Rohm Semiconductor RFS60TZ6SGC13 7.6400
सराय
 ECAD 638 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 RFS60 तमाम To-247ge तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFS60TZ6SGC13 Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 650 वी 2.3 वी @ 60 ए 55 एनएस 10 µA @ 650 V 175 ° C 60 ए -
1SS355VMTE-17 Rohm Semiconductor 1SS355VMTE-17 0.2000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F 1SS355 तमाम UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3PF @ 0.5V, 1MHz
RBR3L30ATE25 Rohm Semiconductor RBR3L30ATE25 0.2136
सराय
 ECAD 8021 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA Rbr3l30 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 580 mV @ 3 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
TDZVTR16 Rohm Semiconductor Tdzvtr16 0.3800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdzvtr16 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 11 वी 16 वी
PTZTE2511A Rohm Semiconductor PTZTE2511A 0.2014
सराय
 ECAD 4877 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2511 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 8 V 11 वी 8 ओम
RB095BM-90FHTL Rohm Semiconductor RB095BM-90FHTL 0.9500
सराय
 ECAD 13 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB095 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 6 ए 750 एमवी @ 3 ए 8.4 एनएस 150 µA @ 90 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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