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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
PDZVTR33B Rohm Semiconductor PDZVTR33B 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी पीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.71% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr33 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 25 वी 35 वी 18 ओम
RB557WMTL Rohm Semiconductor RB557WMTL 0.4900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 RB557 schottky EMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 100ma 490 mV @ 100 Ma 10 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB050LA-40TFTR Rohm Semiconductor RB050LA-40TFTR -
सराय
 ECAD 8907 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB050 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB050LA-40TFTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 3 ए 100 µa @ 40 V 150 ° C 3 ए -
YFZVFHTR24B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr24b 0.4300
सराय
 ECAD 844 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr24 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ वी वी 23.19 वी 35 ओम
RB521VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB521VM-40TE-17 0.3700
सराय
 ECAD 39 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB521 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 540 एमवी @ 200 एमए 90 µA @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
TDZVTR11 Rohm Semiconductor Tdzvtr11 0.3800
सराय
 ECAD 7398 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdzvtr11 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 7 V 11 वी
RLZTE-115.6B Rohm Semiconductor RLZTE-115.6b -
सराय
 ECAD 6442 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 5 µA @ 2.5 V 5.6 वी 13 ओम
DAN222ZMT2L Rohm Semiconductor DAN222ZMT2L 0.3700
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 Dan222 तमाम VMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 ° C
BZX84C22VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C22VLFHT116 0.1600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.67% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 15 वी 22.05 वी 55 ओम
KDZVTFTR3.3B Rohm Semiconductor Kdzvtftr3.3b 0.4700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr3.3 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 80 @a @ 1 वी 3.5 वी
FDZT40RB6.8 Rohm Semiconductor FDZT40RB6.8 -
सराय
 ECAD 5091 0.00000000 रोटी अस्तित्व R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur ०१००५ (०४०२ सटेर) 100 तंग Smd0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 40,000 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी
EDZUCTE615.6B Rohm Semiconductor Edzucte615.6b -
सराय
 ECAD 5729 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur सराय 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-edzucte615.6btr Ear99 8541.10.0050 3,000
TFZVTR8.2B Rohm Semiconductor Tfzvtr8.2b 0.3700
सराय
 ECAD 561 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzvtr8.2 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ५ वी 8.2 वी 8 ओम
TDZTR15 Rohm Semiconductor Tdztr15 0.3900
सराय
 ECAD 267 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdztr15 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 10 V 15 वी
RB160A90T-32 Rohm Semiconductor RB160A90T-32 -
सराय
 ECAD 8923 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-41, RB160 schottky एक प्रकार का होना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 730 mV @ 1 ए 100 µa @ 90 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB162M-60TR Rohm Semiconductor RB162M-60TR 0.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123F RB162 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 650 mV @ 1 ए 100 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
BAS16HMT116 Rohm Semiconductor Bas16hmt116 0.3500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas16 तमाम SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 215mA 2pf @ 0v, 1MHz
RFV8BM6STL Rohm Semiconductor RFV8BM6STL 1.0200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfv8bm6 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 8 ए 45 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
RB521ZS8A30TE61 Rohm Semiconductor RB521ZS8A30TE61 -
सराय
 ECAD 5109 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 8-XFDFN RB521 schottky 8-HMD (1.6x0.8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 4 कांयम 30 वी 100ma 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
PTZTE2510A Rohm Semiconductor PTZTE2510A 0.2014
सराय
 ECAD 7613 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2510 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 7 V 10 वी 6 ओम
GDZT2R6.8 Rohm Semiconductor GDZT2R6.8 -
सराय
 ECAD 2216 0.00000000 रोटी जीडीजेड R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) Gdzt2r 100 तंग GMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी
RB520CS-30FHT2RA Rohm Semiconductor RB520CS-30FHT2RA 0.3800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-923 RB520 schottky VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 450 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ १० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RR268MM-600TR Rohm Semiconductor RR268MM-600TR 0.4000
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123F RR268 तमाम पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 980 mV @ 1 ए 10 µA @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
BZX84C20VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C20VLFHT116 -
सराय
 ECAD 5294 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 14 वी 20 वी 55 ओम
RBR1VWM40ATFTR Rohm Semiconductor RBR1VWM40ATFTR 0.5800
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RBR1VWM schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 520 mV @ 1 ए 50 µa @ 40 V 150 ° C 1 क -
RLZTE-114.7B Rohm Semiconductor RLZTE-114.7B -
सराय
 ECAD 9242 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 5 µA @ 1 वी 4.7 वी 25 ओम
UFZVFHTE-1730B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1730B 0.3100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.53% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ २३ वी 30 वी 55 ओम
RB168L-40TE25 Rohm Semiconductor RB168L-40TE25 0.1092
सराय
 ECAD 9488 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 650 mV @ 1 ए 550 पायल @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RFN10NS3STL Rohm Semiconductor RFN10NS3STL 2.0600
सराय
 ECAD 991 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RFN10 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 350 वी 1.5 वी @ 10 ए 30 एनएस 10 µA @ 350 V 150 ° C 10 ए -
PDZVTR11B Rohm Semiconductor Pdzvtr11b 0.4500
सराय
 ECAD 666 0.00000000 रोटी पीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.58% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr11 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 8 V 11.65 वी 8 ओम
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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