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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
CDZFHT2RA18B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra18b 0.4100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, CDZFH R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzfht2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 13 वी 17.96 वी 65 ओम
EDZTE613.3B Rohm Semiconductor Edzte613.3b -
सराय
 ECAD 9070 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000
RBR1MM30ATFTR Rohm Semiconductor RBR1MM30ATFTR 0.3800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR1MM30 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
TDZTR11 Rohm Semiconductor Tdztr11 0.1088
सराय
 ECAD 7121 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdztr11 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 7 V 11 वी
MTZJT-724.7B Rohm Semiconductor MTZJT-724.7B -
सराय
 ECAD 1708 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt724.7b Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 1 वी 4.7 वी 80 ओम
RBR15BM60ATL Rohm Semiconductor RBR15BM60ATL 0.6600
सराय
 ECAD 6566 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR15 schottky TO-252 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 7.5a 580 mV @ 7.5 ए 400 µA @ 60 V 150 ° C
PDZVTR8.2B Rohm Semiconductor Pdzvtr8.2b 0.4500
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी पीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.29% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr8.2 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 5 वी 8.75 वी 4 ओम
EDZTE612.0B Rohm Semiconductor Edzte612.0b -
सराय
 ECAD 2316 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000
UDZVTE-1711B Rohm Semiconductor UDZVTE-1711b 0.2700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 11 वी 30 ओम
RB521S-30GJTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30GJTE61 -
सराय
 ECAD 3332 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB521 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB521S-30GJTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
CDZVT2R4.3B Rohm Semiconductor Cdzvt2r4.3b 0.2700
सराय
 ECAD 14 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 100 ओम
BAV70HMFHT116 Rohm Semiconductor BAV70HMFHT116 0.2300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV70 तमाम SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 215ma (डीसी डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB095BM-40FHTL Rohm Semiconductor RB095BM-40FHTL 0.9500
सराय
 ECAD 575 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB095 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 6 ए 550 mV @ 3 ए 11.4 एनएस 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB088T100HZC9 Rohm Semiconductor RB088T100HZC9 0.9900
सराय
 ECAD 418 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB088 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 870 mV @ 5 ए 8.2 एनएस 5 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
PTZTE2515A Rohm Semiconductor PTZTE2515A 0.2014
सराय
 ECAD 8445 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2515 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 11 वी 15 वी 10 ओम
SCS120AGC Rohm Semiconductor SCS120AGC -
सराय
 ECAD 8846 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS120 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 20 ए 0 एनएस 400 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 860pf @ 1V, 1MHz
VDZT2R7.5B Rohm Semiconductor Vdzt2r7.5b -
सराय
 ECAD 4455 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 Vdzt2 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.5 वी 30 ओम
SCS220KGC Rohm Semiconductor SCS220KGC -
सराय
 ECAD 8611 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS220 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 20 ए 0 एनएस 400 µA @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 1060pf @ 1V, 1MHz
CDZVT2R13B Rohm Semiconductor Cdzvt2r13b 0.2400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.23% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 10 वी 13 वी 37 ओम
RFN2LAM6STFTR Rohm Semiconductor RFN2LAM6STFTR 0.6100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RFN2LAME 6 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 1.5 ए 35 एनएस 1 @a @ 600 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए -
CDZVT2R2.2B Rohm Semiconductor Cdzvt2r2.2b 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 120 µA @ 700 एमवी 2.2 वी 100 ओम
RFN10B3STL Rohm Semiconductor RFN10B3STL -
सराय
 ECAD 7450 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RFN10 तमाम सीपीडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 350 वी 1.5 वी @ 10 ए 30 एनएस 10 µA @ 350 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
1SR139-400T-32 Rohm Semiconductor 1SR139-400T-32 -
सराय
 ECAD 7521 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-41, 1SR139 तमाम एक प्रकार का होना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RLZTE-1124C Rohm Semiconductor RLZTE-1124C -
सराय
 ECAD 4134 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 RLZTE-1124 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सदाबहार @ वी वी 23.2 वी 35 ओम
RSX051VAM30TR Rohm Semiconductor RSX051VAM30TR 0.3300
सराय
 ECAD 12 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rsx051 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 390 एमवी @ 500 एमए 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
RF081MM2STFTR Rohm Semiconductor RF081MM2STFTR 0.4500
सराय
 ECAD 11 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RF081 तमाम पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 1 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 800ma -
UFZVTE-1727B Rohm Semiconductor UFZVTE-1727B 0.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.53% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ २१ वी 27 वी 45 ओम
RF305B6STL Rohm Semiconductor RF305B6STL -
सराय
 ECAD 6017 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RF305 तमाम सीपीडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
BZX84C6V8LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C6V8LYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 4 वी 6.8 वी 15 ओम
RBR3LAM30ATR Rohm Semiconductor RBR3ALM30ATR 0.4900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -128 Rbr3llam30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 580 mV @ 3 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
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