SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SCS110KGC Rohm Semiconductor SCS110KGC -
सराय
ECAD 7160 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS110 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.75 वी @ 10 ए 0 एनएस 200 @a @ 1200 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 650pf @ 1V, 1MHz
CDZVT2R24B Rohm Semiconductor Cdzvt2r24b 0.2400
सराय
ECAD 7 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.21% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 सवार @ 19 वी 24 वी 120 ओम
CDZT2RA4.7B Rohm Semiconductor Cdzt2ra4.7b 0.0841
सराय
ECAD 2899 0.00000000 रोटी सीडीजेड R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Sod-923 Cdzt2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 2 @a @ 1 वी 4.7 वी 100 ओम
RB078RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor RB078RSM10STFTL1 1.1800
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन RB078 schottky To-277a तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 840 mV @ 5 ए 1.3 @a @ 100 वी 175 ° C 5 ए -
RB521G-30T2R Rohm Semiconductor RB521G-30T2R -
सराय
ECAD 6149 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-723 RB521 schottky VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 350 एमवी @ 10 एमए 10 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RB215T-90NZC9 Rohm Semiconductor RB215T-90NZC9 3.2900
सराय
ECAD 895 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB215 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB215T-90NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 20 ए 750 mV @ 10 ए 400 µA @ 90 V 150 ° C
RR1LAM6STFTR Rohm Semiconductor Rr1lam6stftr 0.5700
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -128 RR1LAME66 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RR1LAME6STFTRDKR Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 600 V 150 ° C 1 क -
TFZGTR30B Rohm Semiconductor Tfzgtr30b 0.0886
सराय
ECAD 4105 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr30 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ २३ वी 30 वी 55 ओम
CDZVT2R3.9B Rohm Semiconductor Cdzvt2r3.9b 0.2700
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 3.9 वी 100 ओम
BAV70T216 Rohm Semiconductor BAV70T216 -
सराय
ECAD 3527 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV70 तमाम SSD3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-BAV70T216TR शिर 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 70 वी 215ma (डीसी डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 2.5 µA @ 70 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84C10VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C10VLYFHT116 0.3800
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
RB228NS-30FHTL Rohm Semiconductor RB228NS-30FHTL 2.0600
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB228 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 30 ए 720 mV @ 15 ए 10 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UDZVTE-172.4B Rohm Semiconductor UDZVTE-172.4b 0.2700
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2.4 वी
UDZWTE-176.2B Rohm Semiconductor UDZWTE-176.2B -
सराय
ECAD 5168 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
RB886YGT2R Rohm Semiconductor RB886YGT2R -
सराय
ECAD 5903 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 schottky EMD4 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB886YGT2RTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 15 वी 10ma (डीसी) 350 एमवी @ 1 सना हुआ 120 µA @ 5 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UMZ8.2TFHT106 Rohm Semiconductor UMZ8.2TFHT106 0.5700
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.37% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 UMZ8.2 200 सभा UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम कैथोड ५०० सदाबहार @ ५ वी 8.2 वी 30 ओम
UFZVTE-175.6B Rohm Semiconductor UFZVTE-175.6b 0.3900
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 2.5 V 5.6 वी 13 ओम
RB510SM-30FHT2R Rohm Semiconductor RB510SM-30FHT2R 0.2100
सराय
ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB510 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 460 एमवी @ 10 एमए 300 पायल @ 10 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
KDZVTR5.1B Rohm Semiconductor Kdzvtr5.1b 0.3800
सराय
ECAD 18 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr5.1 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 5.4 वी
RB068L-30DDTE25 Rohm Semiconductor RB068L-30DDTE25 0.6200
सराय
ECAD 798 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RB068 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 700 एमवी @ 2 ए 800 पायल @ 30 वी 150 ° C 2 ए -
RFN3BGE2STL Rohm Semiconductor RFN3BGE2STL 1.1300
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfn3b तमाम TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 3 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 ° C 3 ए -
PTZTFTE2518B Rohm Semiconductor PTZTFTE2518B 0.6100
सराय
ECAD 945 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.01% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 13 वी 19.15 वी 12 ओम
RB706UM-40TL Rohm Semiconductor RB706UM-40TL 0.3900
सराय
ECAD 400 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -85 RB706 schottky UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 40 वी 30ma 370 mV @ 1 सना हुआ 1 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBLQ20NL10CFHTL Rohm Semiconductor RBLQ20NL10CFHTL 2.7800
सराय
ECAD 5647 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBLQ20 schottky To-263l - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 710 mV @ 10 ए 70 µA @ 100 वी 150 ° C
RB520S-307STE61 Rohm Semiconductor RB520S-307STE61 -
सराय
ECAD 3346 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB520S-307STE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
EDZTE6127B Rohm Semiconductor Edzte6127b 0.3500
सराय
ECAD 16 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzte6127 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 21 वी 27 वी 150 ओम
VDZT2R15B Rohm Semiconductor Vdzt2r15b -
सराय
ECAD 2108 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 Vdzt2 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 11 वी 14.7 वी 42 ओम
RBR5LAM30BTFTR Rohm Semiconductor RBR5ALM30BTFTR 0.6500
सराय
ECAD 11 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RBR5ALM30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 150 µA @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RBE05VM20ATE-17 Rohm Semiconductor RBE05VM20ATE-17 -
सराय
ECAD 4473 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 430 एमवी @ 500 एमए 200 @a @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
UFZVFHTE-1710B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1710B 0.3100
सराय
ECAD 7934 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.77% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 8 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम