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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZX84B5V1LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B5V1LYFHT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.96% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
RF071MM2STFTR Rohm Semiconductor RF071MM2STFTR 0.4800
सराय
 ECAD 893 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RF071 तमाम पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 850 एमवी @ 700 एमए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
EDZTE614.7B Rohm Semiconductor Edzte614.7b -
सराय
 ECAD 8117 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzte614 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 1 वी 4.7 वी 100 ओम
RR1LAM4STR Rohm Semiconductor Rr1lam4str 0.4700
सराय
 ECAD 135 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -128 Rr1lam44 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB085B-30GTL Rohm Semiconductor RB085B-30GTL -
सराय
 ECAD 9444 0.00000000 रोटी * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 3,000
PDZVTFTR6.8B Rohm Semiconductor Pdzvtftr6.8b 0.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.62% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr6.8 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 3.5 V 7.25 वी 6 ओम
UMN20NFHTR Rohm Semiconductor UMN20NFHTR 0.1057
सराय
 ECAD 2795 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMN20 तमाम UMD6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ३ स 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 10 सना हुआ @ 20 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RFV15TJ6SGC9 Rohm Semiconductor RFV15TJ6SGC9 1.7500
सराय
 ECAD 921 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFV15 तमाम TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 15 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 15 ए -
SCS302AHGC9 Rohm Semiconductor SCS302AHGC9 2.2000
सराय
 ECAD 790 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS302 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220acp तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.5 वी @ 2 ए 0 एनएस 10.8 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2.15 ए 110pf @ 1V, 1MHz
UFZVFHTE-175.6B Rohm Semiconductor Ufzvfhte-175.6b 0.3100
सराय
 ECAD 483 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 2.5 V 5.6 वी 13 ओम
SCS215AGC Rohm Semiconductor SCS215AGC -
सराय
 ECAD 6096 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS215 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 15 ए 0 एनएस 300 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए 550pf @ 1V, 1MHz
RLZTE-114.7C Rohm Semiconductor RLZTE-114.7C -
सराय
 ECAD 4665 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 5 µA @ 1 वी 4.7 वी 25 ओम
RBR3LAM40CTFTR Rohm Semiconductor RBR3LLAM40CTFTR 0.4600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr3alm40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RFN2L6STE25 Rohm Semiconductor RFN2L6STE25 0.2901
सराय
 ECAD 6956 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RFN2L6 तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 1.5 ए 35 एनएस 1 @a @ 600 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए -
UMZ36NT106 Rohm Semiconductor Umz36nt106 0.4100
सराय
 ECAD 450 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - - सतह rurcur SC-70, SOT-323 UMZ36 200 सभा UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 36 वी
UMR11NTR Rohm Semiconductor Umr11ntr 0.1326
सराय
 ECAD 1383 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMR11 तमाम UMD6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी सीए + सीसी 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84B5V1LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B5V1LFHT116 0.0474
सराय
 ECAD 9006 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 1.96% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
RB168VYM-60FHTR Rohm Semiconductor RB168VYM-60FHTR 0.4300
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 820 mV @ 1 ए 6.15 एनएस 1 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB068LAM-30TR Rohm Semiconductor RB068LAME-30TR 0.5300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB068 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 700 एमवी @ 2 ए 800 पायल @ 30 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
DA221WMTL Rohm Semiconductor DA221WMTL 0.4400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 DA221 तमाम EMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 20 वी 100ma 1 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 150 ° C
UMZ27NT106 Rohm Semiconductor UMZ27NT106 0.4100
सराय
 ECAD 490 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-70, SOT-323 UMZ27 200 सभा UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 kaga @ 21 वी 27 वी
UDZWTE-173.6B Rohm Semiconductor UDZWTE-173.6b -
सराय
 ECAD 4148 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
RF101LAM2STR Rohm Semiconductor RF101ALM2STR 0.4800
सराय
 ECAD 32 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RF101 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 870 mV @ 1 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RLZTE-1120A Rohm Semiconductor RLZTE-1120A -
सराय
 ECAD 1353 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 RLZTE-1120 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 200 सवार @ 15 वी 19.1 वी 28 ओम
RBLQ3LAM10TFTR Rohm Semiconductor Rblq3llam10tftr 0.9500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rblq3 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 640 mV @ 3 ए 30 @a @ 100 वी 175 ° C 3 ए 140pf @ 4v, 1MHz
PDZVTFTR3.9B Rohm Semiconductor Pdzvtftr3.9b 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.41% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr3.9 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 40 µA @ 1 वी 4.15 वी 15 ओम
PDZVTR18B Rohm Semiconductor Pdzvtr18b 0.4100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी पीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.01% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr18 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 13 वी 18 वी 12 ओम
RB540VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB540VM-30TE-17 0.3700
सराय
 ECAD 10 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB540 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 450 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ १० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RB060L-40TE25 Rohm Semiconductor RB060L-40TE25 0.1769
सराय
 ECAD 2742 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB060 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 2 ए 1 पायल @ 40 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RLS-73TE-11 Rohm Semiconductor Rayrएलएस -73te -111 -
सराय
 ECAD 5238 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Rayrएलएस -73 तमाम LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 2,500 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी -65 ° C ~ 175 ° C 130ma 2PF @ 0.5V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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