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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
UMN11NTN Rohm Semiconductor Umn11ntn 0.4300
सराय
ECAD 33 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMN11 तमाम UMD6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RF2001NS3DFHTL Rohm Semiconductor RF2001NS3DFHTL 2.0400
सराय
ECAD 5553 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RF2001 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 300 वी 20 ए 1.3 वी @ 10 ए 25 एनएस 10 µa @ 300 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBR1MM60ATR Rohm Semiconductor RBR1MM60ATR 0.4400
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR1MM60 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 530 mV @ 1 ए 75 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
1N4148T-72 Rohm Semiconductor 1N4148T-72 -
सराय
ECAD 1301 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N4148 तमाम जीएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 5,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 75 वी 1 वी @ 10 एमए 4 एनएस 5 @a @ 75 वी -65 ° C ~ 200 ° C 150ma 4pf @ 0v, 1MHz
RB168LAM150TFTR Rohm Semiconductor RB168LAMA150TFTR 0.5000
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 2.5 @a @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB058LAM-60TFTR Rohm Semiconductor RB058LAM-60TFTR 0.4900
सराय
ECAD 18 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB058 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 640 mV @ 3 ए 35.3 एनएस 4 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RFN3B2STL Rohm Semiconductor RFN3B2STL -
सराय
ECAD 1374 0.00000000 रोटी * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 2,500
RB531VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB531VM-40TE-17 0.3400
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB531 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 610 एमवी @ 100 एमए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
EDZFJTE6111B Rohm Semiconductor Edzfjte611111b -
सराय
ECAD 1565 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfjt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFJTE6111BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RB058LAM-40TR Rohm Semiconductor RB058LAM-40TR 0.5300
सराय
ECAD 33 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB058 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 690 mV @ 3 ए 5 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RBR40NS40AFHTL Rohm Semiconductor RBR40NS40AFHTL 3.1200
सराय
ECAD 990 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 40 ए 550 एमवी @ 20 ए 430 µA @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
FDZT40RB5.1 Rohm Semiconductor Fdzt40rb5.1 0.3400
सराय
ECAD 150 0.00000000 रोटी अस्तित्व R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur ०१००५ (०४०२ सटेर) 100 तंग Smd0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 40,000 2 @a @ 1.5 वी 5.1 वी
PTZTE2512A Rohm Semiconductor PTZTE2512A 0.5200
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2512 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 9 वी 12 वी 8 ओम
RRE02VS4SGTR Rohm Semiconductor RRE02VS4SGTR -
सराय
ECAD 7748 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rre02 तमाम Tumd2s तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 400 वी 1.1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RB051L-40TE25 Rohm Semiconductor RB051L-40TE25 0.5100
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB051 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 3 ए 1 पायल @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RF201L2STE25 Rohm Semiconductor RF201L2STE25 0.1769
सराय
ECAD 8092 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RF201 तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 870 mV @ 2 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RFUS20TF6S Rohm Semiconductor RFUS20TF6S 0.8970
सराय
ECAD 8995 0.00000000 रोटी - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFUS20 तमाम To-220nfm - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 20 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए -
RB095BM-30FHTL Rohm Semiconductor RB095BM-30FHTL 1.6100
सराय
ECAD 5148 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB095 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 6 ए 425 mV @ 3 ए 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RFN1L6STE25 Rohm Semiconductor RFN1L6STE25 0.1409
सराय
ECAD 9980 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RFN1L6 तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.45 वी @ 800 एमए 35 एनएस 1 @a @ 600 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 800ma -
KDZVTR43A Rohm Semiconductor Kdzvtr43a 0.4700
सराय
ECAD 14 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.98% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr43 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 33 V 43 वी
RB160MM-60TR Rohm Semiconductor RB160MM-60TR 0.4600
सराय
ECAD 431 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB160 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 550 mV @ 1 ए 50 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB058L-60TE25 Rohm Semiconductor RB058L-60TE25 0.6600
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB058 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 640 mV @ 3 ए 4 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RLZTE-113.6B Rohm Semiconductor RLZTE-113.6b -
सराय
ECAD 4340 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 60 ओम
RF05VA2STR Rohm Semiconductor RF05VA2STR 0.1038
सराय
ECAD 2609 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rf05va2 तमाम TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 एमवी @ 500 एमए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
RB051LAM-40TR Rohm Semiconductor RB051LAM-40TR 0.4800
सराय
ECAD 20 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB051 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 3 ए 1 पायल @ 20 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
BZX84C6V2LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C6V2LFHT116 0.1600
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.45% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
TDZVTR6.8 Rohm Semiconductor Tdzvtr6.8 0.3800
सराय
ECAD 143 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 8.82% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdzvtr6.8 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 3.5 V 6.8 वी
EDZGTE615.1B Rohm Semiconductor Edzgte615.1b -
सराय
ECAD 2013 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzgt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZGTE615.1BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RBR2MM40ATR Rohm Semiconductor RBR2MM40ATR 0.4500
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR2MM40 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 620 mV @ 2 ए 50 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
IMN11T110 Rohm Semiconductor IMN11T110 0.5000
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-74, SOT-457 IMN11 तमाम Smt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम