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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
PDZVTFTR6.8B Rohm Semiconductor Pdzvtftr6.8b 0.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.62% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr6.8 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 3.5 V 7.25 वी 6 ओम
UMN20NFHTR Rohm Semiconductor UMN20NFHTR 0.1057
सराय
 ECAD 2795 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMN20 तमाम UMD6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ३ स 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 10 सना हुआ @ 20 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RFV15TJ6SGC9 Rohm Semiconductor RFV15TJ6SGC9 1.7500
सराय
 ECAD 921 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFV15 तमाम TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 15 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 15 ए -
RF301BGE2STL Rohm Semiconductor RF301BGE2STL 0.8300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RF301 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 930 mV @ 3 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RBR5L30BTE25 Rohm Semiconductor RBR5L30BTE25 0.3972
सराय
 ECAD 6810 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR5L30 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 490 mV @ 5 ए 150 µA @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
SCS302AHGC9 Rohm Semiconductor SCS302AHGC9 2.2000
सराय
 ECAD 790 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS302 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220acp तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.5 वी @ 2 ए 0 एनएस 10.8 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2.15 ए 110pf @ 1V, 1MHz
UFZVFHTE-175.6B Rohm Semiconductor Ufzvfhte-175.6b 0.3100
सराय
 ECAD 483 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 2.5 V 5.6 वी 13 ओम
SCS215AGC Rohm Semiconductor SCS215AGC -
सराय
 ECAD 6096 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS215 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 15 ए 0 एनएस 300 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए 550pf @ 1V, 1MHz
RLZTE-114.7C Rohm Semiconductor RLZTE-114.7C -
सराय
 ECAD 4665 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 5 µA @ 1 वी 4.7 वी 25 ओम
RBR3LAM40CTFTR Rohm Semiconductor RBR3LLAM40CTFTR 0.4600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr3alm40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RFN2L6STE25 Rohm Semiconductor RFN2L6STE25 0.2901
सराय
 ECAD 6956 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RFN2L6 तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 1.5 ए 35 एनएस 1 @a @ 600 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए -
UMZ36NT106 Rohm Semiconductor Umz36nt106 0.4100
सराय
 ECAD 450 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - - सतह rurcur SC-70, SOT-323 UMZ36 200 सभा UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 36 वी
RBE2VAM20ATR Rohm Semiconductor RBE2VAM20ATR 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rbe2vam20 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 460 mV @ 2 ए 700 µA @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
UMR11NTR Rohm Semiconductor Umr11ntr 0.1326
सराय
 ECAD 1383 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMR11 तमाम UMD6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी सीए + सीसी 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB238T100HZC9 Rohm Semiconductor RB238T100HZC9 2.2000
सराय
 ECAD 10 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB238 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 40 ए 860 mV @ 20 ए 24.7 एनएस 20 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84B5V1LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B5V1LFHT116 0.0474
सराय
 ECAD 9006 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 1.96% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
RBS3MM40BTR Rohm Semiconductor RBS3MM40BTR 0.4700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBS3MM40 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 3 ए 600 µA @ 20 वी 125 ° C 3 ए -
RB168VYM-60FHTR Rohm Semiconductor RB168VYM-60FHTR 0.4300
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 820 mV @ 1 ए 6.15 एनएस 1 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB068LAM-30TR Rohm Semiconductor RB068LAME-30TR 0.5300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB068 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 700 एमवी @ 2 ए 800 पायल @ 30 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
DA221WMTL Rohm Semiconductor DA221WMTL 0.4400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 DA221 तमाम EMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 20 वी 100ma 1 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 150 ° C
PTZTE2522B Rohm Semiconductor PTZTE252222b 0.2014
सराय
 ECAD 7423 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2522 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 17 वी 23.9 वी 14 ओम
UMZ27NT106 Rohm Semiconductor UMZ27NT106 0.4100
सराय
 ECAD 490 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-70, SOT-323 UMZ27 200 सभा UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 kaga @ 21 वी 27 वी
UDZWTE-173.6B Rohm Semiconductor UDZWTE-173.6b -
सराय
 ECAD 4148 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
RF101LAM2STR Rohm Semiconductor RF101ALM2STR 0.4800
सराय
 ECAD 32 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RF101 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 870 mV @ 1 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RLZTE-1120A Rohm Semiconductor RLZTE-1120A -
सराय
 ECAD 1353 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 RLZTE-1120 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 200 सवार @ 15 वी 19.1 वी 28 ओम
RBLQ3LAM10TFTR Rohm Semiconductor Rblq3llam10tftr 0.9500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rblq3 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 640 mV @ 3 ए 30 @a @ 100 वी 175 ° C 3 ए 140pf @ 4v, 1MHz
PDZVTFTR3.9B Rohm Semiconductor Pdzvtftr3.9b 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.41% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr3.9 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 40 µA @ 1 वी 4.15 वी 15 ओम
PDZVTR18B Rohm Semiconductor Pdzvtr18b 0.4100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी पीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.01% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr18 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 13 वी 18 वी 12 ओम
RB540VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB540VM-30TE-17 0.3700
सराय
 ECAD 10 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB540 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 450 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ १० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RB160SS-40HWT2R Rohm Semiconductor RB160SS-40HWT2R -
सराय
 ECAD 9272 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) RB160 schottky KMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB160S-40HWT2RTR Ear99 8541.10.0080 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 एमवी @ 700 एमए 50 µa @ 40 V 150 ° C 1 क -
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    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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