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स्याह (421)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - अधिकतम तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
1SS417CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417CT, L3F 0.3000
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड 1SS417 schottky फंसी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 620 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 15pf @ 0v, 1MHz
CRG09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG09 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 9954 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRG09 तमाम एस-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) CRG09 (TE85LQM) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 700 एमए 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
CRZ47(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47 (TE85L, Q) -
सराय
 ECAD 3679 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F CRZ47 700 सभा एस-फ तंग 1 (असीमित) CRZ47TR-NDR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µA @ 37.6 V 47 वी 65 ओम
TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS8V65H, LQ 2.7700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को Sic (सिलिकॉन antairchama) 4-ईपी-ईपी (8x8) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 8 ए 0 एनएस 90 µA @ 650 V 175 ° C 8 ए 520pf @ 1V, 1MHz
CTS520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS520, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 758 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-882 CTS520 schottky Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 600 एमवी @ 200 एमए 5 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 16pf @ 0v, 1MHz
U20DL2C48A(TE24L,Q Toshiba Semiconductor and Storage U20DL2C48A (TE24L, Q -
सराय
 ECAD 3820 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB U20DL2 तमाम टू -220 एसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 20 ए 980 mV @ 10 ए 35 एनएस 50 µa @ 200 वी -
1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403, H3F 0.3700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 1SS403 तमाम यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 200 वी 1.2 वी @ 100 एमए 60 एनएस 1 µa @ 200 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3pf @ 0v, 1MHz
1SS307E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307E, L3F 0.1900
सराय
 ECAD 98 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SS307 तमाम एससी -79 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.3 वी @ 100 एमए 10 सना हुआ @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 6pf @ 0v, 1MHz
HN2D01FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01FU (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 6360 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2D01 तमाम US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ३ स 80 वी 80MA 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CUHS15F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F60, H3F 0.4900
सराय
 ECAD 9628 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड schottky US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 730 mV @ 1.5 ए 50 µa @ 60 V 150 ° C 1.5 ए 130pf @ 0v, 1MHz
1SS184,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS184, lf 0.2400
सराय
 ECAD 26 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS184 तमाम एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CMH01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH01 (TE12L, Q, M) 0.7300
सराय
 ECAD 4215 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMH01 तमाम एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 3 ए 100 एनएस 10 µa @ 200 वी -40 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
CUS05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CUS05 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2964 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS05 schottky यूएस-फ - रोहस अफ़मार CUS05 (TE85LQM) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 370 एमवी @ 700 एमए 1 पायल @ 20 वी -40 ° C ~ 125 ° C 1 क 40pf @ 10v, 1MHz
1SS309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS309 (TE85L, F) 0.4100
सराय
 ECAD 385 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 1SS309 तमाम एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 4 आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
1SS294,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS294, एलएफ 0.3300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS294 schottky एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 25pf @ 0v, 1MHz
TRS12N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB, S1F (s -
सराय
 ECAD 3099 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 TRS12N65 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Trs12n65fbs1f (s Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 6 ए (डीसी) 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 90 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TRS4V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS4V65H, LQ 1.8500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को Sic (सिलिकॉन antairchama) 4-ईपी-ईपी (8x8) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.34 वी @ 4 ए 0 एनएस 55 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 263pf @ 1V, 1MHz
1SS300,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS300, एलएफ 0.2200
सराय
 ECAD 127 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 1SS300 तमाम कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
HN1D01F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01F (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3088 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN1D01 तमाम SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CUS10F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F30, H3F 0.3400
सराय
 ECAD 43 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS10F30 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 1 ए 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 170pf @ 0v, 1MHz
CMZ27(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ27 (TE12L, Q, M) 0.5400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 CMZ27 2 डब एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 19 वी 27 वी 30 ओम
1SS388(TL3,F,D) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS388 (टीएल 3, डी, डी,) -
सराय
 ECAD 7479 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SS388 schottky ईएससी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 4,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 45 वी 600 एमवी @ 50 एमए 5 @a @ 10 वी -40 ° C ~ 100 ° C 100ma 18pf @ 0v, 1MHz
CRS09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS09 (TE85L, Q, M) 0.5000
सराय
 ECAD 174 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS09 schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 460 mV @ 1.5 ए 50 µa @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 90pf @ 10v, 1MHz
CRZ43(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ43 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 6678 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ43 700 सभा एस-फ तंग रोहस अफ़मार CRZ43 (TE85LQM) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µA @ 34.4 V 43 वी 40 ओम
CUS02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CUS02 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2445 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS02 schottky यूएस-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 470 mV @ 1 ए 100 µa @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
1SS322(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS322 (TE85L, F) 0.2800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 1SS322 schottky कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 18pf @ 0v, 1MHz
CRH01(TE85R,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01 (TE85R, Q, M) 0.5200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRH01 तमाम एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 1 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
1SV308,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV308, L3F 0.4300
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 1SV308 ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 ५० सदा 0.5pf @ 1V, 1MHz पिन - एकल 30V 1.5OHM @ 10MA, 100MHz
CRG09A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CRG09A, LQ (एम) -
सराय
 ECAD 8559 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRG09 तमाम एस-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) CRG09ALQ (एम) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 700 एमए 5 @a @ 400 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
CMS15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS15 (TE12L, Q, M) 0.6800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS15 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 3 ए 300 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 3 ए 102pf @ 10v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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