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स्याह (421)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तंग तमाम Q @ vr, f
DSR01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSR01S30SC, L3F -
सराय
 ECAD 2781 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) DSR01S30 schottky एससी 2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 620 एमवी @ 100 एमए 700 µA @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 8.2pf @ 0v, 1MHz
CRS20I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30A (TE85L, QM 0.5100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS20I30 schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 490 mV @ 2 ए 60 @a @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए 50pf @ 10v, 1MHz
CUS10S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S40, H3F 0.3500
सराय
 ECAD 33 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS10S40 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 400 एमवी @ 500 एमए 150 µA @ 40 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 120pf @ 0v, 1MHz
TRS8E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C, S1Q -
सराय
 ECAD 9767 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 TRS8E65 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 90 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 44pf @ 650V, 1MHz
CRS11(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS11 (TE85L, Q, M) 0.4800
सराय
 ECAD 32 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS11 schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 360 mV @ 1 ए 1.5 सना हुआ @ 30 वी -40 ° C ~ 125 ° C 1 क -
CRY68(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry68 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Cry68 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 3 वी 6.8 वी 60 ओम
CRG07(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG07 (TE85L, Q, M) 0.4000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRG07 तमाम एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 700 एमए 10 µA @ 400 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
1SS321,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS321, एलएफ 0.3200
सराय
 ECAD 41 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS321 schottky एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 10 वी 1 वी @ 50 सना हुआ ५०० सदाबहार @ १० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 50mA 3.2pf @ 0v, 1MHz
1SS397TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS397TE85LF 0.4100
सराय
 ECAD 8305 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 1SS397 तमाम एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 400 वी 1.3 वी @ 100 एमए 500 एनएस 1 µa @ 400 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 5pf @ 0v, 1MHz
CMS07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS07 (TE12L, Q, M) 0.1916
सराय
 ECAD 2620 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS07 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 450 mV @ 2 ए 500 @a @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
CMF01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF01 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 3559 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMF01 तमाम एम-फ - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 2 ए 100 एनएस 50 µa @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
CRS01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS01 (TE85L, Q, M) 0.3900
सराय
 ECAD 51 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS01 schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 360 mV @ 1 ए 1.5 सना हुआ @ 30 वी -40 ° C ~ 125 ° C 1 क 40pf @ 10v, 1MHz
DSF01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC (TPL3) -
सराय
 ECAD 1853 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) DSF01S30 schottky एससी 2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 500 एमवी @ 100 एमए 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 9.3pf @ 0v, 1MHz
TRS3E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS3E65H, S1Q 1.6100
सराय
 ECAD 400 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TRS3E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 3 ए 0 एनएस 45 µA @ 650 V 175 ° C 3 ए 199pf @ 1V, 1MHz
1SS190TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS190TE85LF 0.3500
सराय
 ECAD 47 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS190 तमाम -59-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 4pf @ 0v, 1MHz
TRS12E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65H, S1Q 3.2700
सराय
 ECAD 400 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TRS12E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 12 ए 0 एनएस 120 µA @ 650 V 175 ° C 12 ए 778PF @ 1V, 1MHz
1SS226,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS226, एलएफ 0.2300
सराय
 ECAD 5380 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS226 तमाम एस-एस - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-1SS226, LFCT Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
HN2S02JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S02JE (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 3286 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 HN2S02 schottky तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 4,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 40 वी 100ma 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CMS04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS04 (TE12L, Q, M) 0.7800
सराय
 ECAD 34 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS04 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 370 mV @ 5 ए 8 सना हुआ @ 30 वी -40 ° C ~ 125 ° C 5 ए 330pf @ 10v, 1MHz
CUS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CUS04 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2743 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS04 schottky यूएस-फ तंग रोहस अफ़मार CUS04 (TE85LQM) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 एमवी @ 700 एमए 100 µa @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 700ma 38PF @ 10V, 1MHz
CTS05S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05S40, L3F 0.3400
सराय
 ECAD 62 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-882 CTS05S40 schottky Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 350 एमवी @ 100 एमए 30 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma 42pf @ 0v, 1MHz
CUS05S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S30, H3F 0.3100
सराय
 ECAD 33 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS05S30 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 340 mV @ 100 ma 150 @a @ 10 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma 55pf @ 0v, 1MHz
1SS406,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS406, H3F 0.2000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 1SS406 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 20 वी 550 एमवी @ 50 एमए ५०० पायल @ २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 50mA 3.9pf @ 0v, 1MHz
HN2S02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S02FU (TE85L, F) 0.4900
सराय
 ECAD 35 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2S02 schottky US6 तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ३ स 40 वी 100ma 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
1SS404,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS404, H3F 0.2000
सराय
 ECAD 55 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 1SS404 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 एमवी @ 300 एमए 50 µa @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 300ma 46pf @ 0v, 1MHz
HN1D03FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03FTE85LF 0.4200
सराय
 ECAD 66 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN1D03 तमाम एससी -74 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी सीए + सीसी 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CLS03(TE16L,PSD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, PSD, Q) -
सराय
 ECAD 6614 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLS03 schottky एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 10 ए 1 पायल @ 60 वी -40 ° C ~ 125 ° C 10 ए 345pf @ 10v, 1MHz
U1GWJ49(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage U1GWJ49 (TE12L, F) -
सराय
 ECAD 1338 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-243aa U1gwj49 schottky पीडबmun-मिनी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 1 ए 500 µA @ 40 V -40 ° C ~ 125 ° C 1 क -
1SV285TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1sv285tph3f 0.0834
सराय
 ECAD 9414 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SV285 ईएससी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 2.35pf @ 4v, 1MHz कसना 10 वी 2.3 सी 1/सी 4 -
DSF01S30SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SL, L3F 0.3500
सराय
 ECAD 62 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं DSF01S30 schottky SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 500 एमवी @ 100 एमए 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 9.02pf @ 2V, 1MHz
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