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अफ़म (14739)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZV55B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B3V6 0.0357
सराय
 ECAD 4368 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZV55B3V6TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 2 @a @ 1 वी 3.6 वी 85 ओम
BZT55C56 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C56 L1G -
सराय
 ECAD 9787 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 kay @ 42 वी 56 वी 135 ओम
BZV55B6V2 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV555B6V2 L1G 0.0509
सराय
 ECAD 4404 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 100 एमए 100 gapa @ 2 वी 6.2 वी 10 ओम
TSZU52C12 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C12 0.0669
सराय
 ECAD 7654 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) Tszu52 १५० तंग 0603 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TSZU52C12TR Ear99 8541.10.0050 20,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 पायल @ 9 वी 12 वी 20 ओम
1SMA5946 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5946 R3G -
सराय
 ECAD 9438 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA5946 1.5 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 ५०० सना 75 वी 140 ओम
1M150ZH Taiwan Semiconductor Corporation 1M150ZH 0.1188
सराय
 ECAD 7472 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1M150 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 114 वी 150 वी 1000 ओम
BZT52C27K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C27K 0.0474
सराय
 ECAD 7130 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZT52C 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C27KTR Ear99 8541.10.0050 6,000 100 kaga @ 21 वी 27 वी 80 ओम
1N4741AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4741AHB0G -
सराय
 ECAD 2432 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4741 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 13.7 V 11 वी 20 ओम
PU1DLWH Taiwan Semiconductor Corporation Pu1dlwh 0.4000
सराय
 ECAD 18 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोड -123W तमाम सोड -123W - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 930 mV @ 1 ए 25 एनएस 2 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 19pf @ 4v, 1MHz
SS120H Taiwan Semiconductor Corporation SS120H 0.0779
सराय
 ECAD 9716 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SS120 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-SS120HTR Ear99 8541.10.0080 15,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 1 ए 100 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 31PF @ 4V, 1MHz
S5DC-K Taiwan Semiconductor Corporation S5DC-K 0.2203
सराय
 ECAD 2101 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-S5DC-CTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.15 वी @ 5 ए 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 34pf @ 4V, 1MHz
BAS316 Taiwan Semiconductor Corporation Bas316 0.0266
सराय
 ECAD 6598 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 Bas316 तमाम Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAS316TR Ear99 8541.10.0070 9,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 1 µa @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
BZD27C68PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68PH 0.2933
सराय
 ECAD 8957 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD27C68PHTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 51 वी 68 वी 80 ओम
SS120FSH Taiwan Semiconductor Corporation SS120FSH 0.0948
सराय
 ECAD 2896 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 SS120 schottky सोद -128 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-SS120FSHTR Ear99 8541.10.0080 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1 ए 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 30pf @ 4v, 1MHz
SF3001PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF3001PTHC0G -
सराय
 ECAD 4716 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SF3001 तमाम To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 15 ए 35 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 30 ए 175pf @ 4v, 1MHz
BZD27C20P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20P RTG -
सराय
 ECAD 5221 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 15 वी 20 वी 15 ओम
1N4740A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740A 0.1642
सराय
 ECAD 4253 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4740 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 10 µa @ 7.6 V 10 वी 7 ओम
SFF1608G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1608G 0.7305
सराय
 ECAD 2524 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक SFF1608 तमाम ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 8 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए 50pf @ 4v, 1MHz
HS1GALH Taiwan Semiconductor Corporation Hs1galh 0.1008
सराय
 ECAD 2942 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur तमाम तंग तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HS1GALHTR Ear99 8541.10.0080 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 50 एनएस 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
S1GLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1GLS RVG -
सराय
 ECAD 7674 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-123h एस 1 जी तमाम Sod-123he तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम S1GLSRVG Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1.2 ए 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1.2 ए -
RS3B M6 Taiwan Semiconductor Corporation Rs3b m6 -
सराय
 ECAD 1803 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-RS3BM6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.3 वी @ 3 ए 150 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
TSSW3U60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSW3U60 RVG 0.6700
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur सोड -123W schottky सोड -123W तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 3 ए 1 पायल @ 60 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
BZT55B18 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B18 L1G -
सराय
 ECAD 7291 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 13 वी 18 वी 50 ओम
RB520G-30 Taiwan Semiconductor Corporation RB520G-30 0.0587
सराय
 ECAD 1117 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-723 schottky SOD-723F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-RB520G-30TR Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 450 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ १० वी 125 ° C 100ma -
S4JH Taiwan Semiconductor Corporation S4JH 0.1868
सराय
 ECAD 4577 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-S4JHTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.15 वी @ 4 ए 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 60pf @ 4v, 1MHz
FRAF10JGH Taiwan Semiconductor Corporation Fraf10jgh 1.1700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-FRAF10JGH Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 10 ए 200 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 59pf @ 4v, 1MHz
BZV55B11 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B11 0.0357
सराय
 ECAD 9550 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZV55B11TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 8.2 वी 11 वी 20 ओम
BZT52C3V9S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V9S 0.0357
सराय
 ECAD 8272 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52C 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C3V9STR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 2.7 µA @ 1 वी 3.9 वी 90 ओम
S1KBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S1KBHR5G -
सराय
 ECAD 1950 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB S1K तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 1 ए 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 12pf @ 4v, 1MHz
MUR310SH Taiwan Semiconductor Corporation Mur310sh 0.2277
सराय
 ECAD 9206 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 875 mV @ 3 ए 25 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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