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स्यांत्र (390)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
BYT79X-600,127 WeEn Semiconductors BYT79X-600,127 1.4600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYT79 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.38 वी @ 15 ए 60 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए -
BYV34X-600,127 WeEn Semiconductors BYV34X-600,127 1.6700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BYV34 तमाम To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 20 ए 1.36 वी @ 10 ए 60 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYR29X-800,127 WeEn Semiconductors BYR29X-800,127 1.2700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYR29 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.7 वी @ 8 ए 75 एनएस 10 µa @ 800 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
BYV25F-600,127 WeEn Semiconductors BYV25F-600,127 0.4125
सराय
 ECAD 1484 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYV25 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.9 वी @ 5 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
BYV25FX-600,127 WeEn Semiconductors BYV25FX-600,127 0.3465
सराय
 ECAD 1669 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYV25 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.9 वी @ 5 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
WNSC101200WQ WeEn Semiconductors WNSC101200WQ 5.4441
सराय
 ECAD 8880 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC1 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 10 ए 0 एनएस 110 @a @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 510pf @ 1V, 1MHz
WND10P08XQ WeEn Semiconductors WND10P08XQ 0.8900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब Wnd10 तमाम To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 10 ए 10 µa @ 800 V 150 ° C 10 ए -
WNSC201200WQ WeEn Semiconductors WNSC201200WQ 9.3555
सराय
 ECAD 8594 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 20 ए 0 एनएस 220 @a @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 1020pf @ 1V, 1MHz
BYV410X-600PQ WeEn Semiconductors BYV410X-600PQ 1.3100
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BYV410 तमाम To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 20 ए 1.75 वी @ 16 ए 55 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYV32EB-300PJ WeEn Semiconductors BYV32EB-300PJ 0.6237
सराय
 ECAD 7112 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BYV32 तमाम D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 300 वी 20 ए 1.25 वी @ 10 ए 35 एनएस 20 µa @ 300 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
WNSC201200CWQ WeEn Semiconductors WNSC201200CWQ 9.8340
सराय
 ECAD 9464 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 10 ए 0 एनएस 110 @A @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 510pf @ 1V, 1MHz
WNSC101200CWQ WeEn Semiconductors WNSC101200CWQ 6.4099
सराय
 ECAD 1793 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC1 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 5 ए 0 एनएस 50 µa @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 250pf @ 1V, 1MHz
WNSC101200Q WeEn Semiconductors WNSC101200Q 5.1150
सराय
 ECAD 2927 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC1 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 10 ए 0 एनएस 110 @A @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 510pf @ 1V, 1MHz
MURS160BJ WeEn Semiconductors Murs160bj 0.4300
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB Murs1 तमाम एसएमबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.25 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
WNS40H100CGQ WeEn Semiconductors WNS40H100CGQ 0.6930
सराय
 ECAD 1458 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa WNS40 schottky To-262 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) - 100 वी 20 ए 710 mV @ 20 ए 50 µa @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
WNSC2D08650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650TJ 1.2300
सराय
 ECAD 3930 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 ° C 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D10650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650DJ 2.7300
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 ° C 10 ए 310pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D06650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D06650TJ 1.9200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 ° C 6 ए 198pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D06650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D06650DJ 1.7300
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 ° C 6 ए 198pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D04650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650DJ 1.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 125pf @ 1V, 1MHz
NXPSC166506Q WeEn Semiconductors NXPSC166506Q 6.5300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 16 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 16 ए 534pf @ 1V, 1MHz
WNSC06650T6J WeEn Semiconductors WNSC06650T6J 2.8400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC0 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC06650T6JCT Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 190pf @ 1V, 1MHz
WNSC08650T6J WeEn Semiconductors WNSC08650T6J 1.7160
सराय
 ECAD 6617 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC0 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 267PF @ 1V, 1MHz
NXPSC126506Q WeEn Semiconductors NXPSC126506Q 3.4650
सराय
 ECAD 6107 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 12 ए 0 एनएस 80 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 12 ए 380pf @ 1V, 1MHz
NXPSC16650B6J WeEn Semiconductors NXPSC16650B6J 4.0425
सराय
 ECAD 8520 0.00000000 तिहाई - नली तंग सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) D2PAK तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 16 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 16 ए 534pf @ 1V, 1MHz
WNSC6D10650Q WeEn Semiconductors WNSC6D10650Q 3.2800
सराय
 ECAD 945 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC6 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC6D10650Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.45 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 500pf @ 1V, 1MHz
WNSC6D04650Q WeEn Semiconductors WNSC6D04650Q 0.9000
सराय
 ECAD 8930 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC6 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC6D04650Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.4 वी @ 4 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 233pf @ 1V, 1MHz
WNSC6D20650WQ WeEn Semiconductors WNSC6D20650WQ 6.6800
सराय
 ECAD 529 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC6 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC6D20650WQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.4 वी @ 20 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V 175 ° C 20 ए 1200pf @ 1V, 1MHz
WNSC6D06650Q WeEn Semiconductors WNSC6D06650Q 1.2375
सराय
 ECAD 9878 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC6 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC6D06650Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.4 वी @ 6 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 ° C 6 ए 327PF @ 1V, 1MHz
WNSC2D20650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CJQ 3.4196
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 3PF तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 480 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 20 ए 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 ° C
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AD9208BBPZ-3000

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