SIC
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स्यांत्र (390)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
WND60P16WQ WeEn Semiconductors WND60P16WQ 3.5800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WND60 तमाम से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.12 वी @ 60 ए 50 µA @ 1600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 60 ए -
WNSC051200Q WeEn Semiconductors WNSC051200Q 2.8875
सराय
 ECAD 1127 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC0 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 5 ए 0 एनएस 50 µa @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए 250pf @ 1V, 1MHz
NXPSC12650B6J WeEn Semiconductors NXPSC12650B6J 3.6300
सराय
 ECAD 7568 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) D2PAK तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 12 ए 0 एनएस 80 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 12 ए 380pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D151200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D151200WQ 6.2000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1740-WNSC2D151200WQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.7 वी @ 15 ए 0 एनएस 150 @a @ 1200 V 175 ° C 15 ए 700pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D08650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650DJ 2.1900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 ° C 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
WNSC16650CWQ WeEn Semiconductors WNSC16650CWQ 3.3290
सराय
 ECAD 7958 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC1 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1740-WNSC16650CWQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 16 ए 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 ° C
WNSC2D04650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650TJ 1.5000
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 125pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D06650XQ WeEn Semiconductors WNSC2D06650XQ 0.9150
सराय
 ECAD 4213 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1740-WNSC2D06650XQ Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 ° C 6 ए 198pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D16650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D16650CWQ 2.6160
सराय
 ECAD 1862 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC2D16650CWQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 16 ए 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 ° C
BYV10MX-600PQ WeEn Semiconductors BYV10MX-600PQ 0.5900
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब Byv10 तमाम To-220f तंग 1 (असीमित) 1740-BYV10MX-600PQ Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 10 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 10 ए -
BYC30X-600PSQ WeEn Semiconductors BYC30X-600PSQ 1.4400
सराय
 ECAD 23 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC30 तमाम To-220f तंग 1 (असीमित) 1740-BYC30X-600PSQ Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.75 वी @ 30 ए 45 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 30 ए -
WNSC2D10650BJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650BJ 2.9500
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) D2PAK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 ° C 10 ए 310pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D10650WQ WeEn Semiconductors WNSC2D10650WQ 2.7600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1740-WNSC2D10650WQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 ° C 10 ए 310pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D16650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJQ 4.5500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 3PF तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 16 ए 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 ° C
WNSC2D301200CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D301200CWQ 7.3439
सराय
 ECAD 8131 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 30 ए 1.7 वी @ 15 ए 0 एनएस 150 @a @ 1200 V 175 ° C
WNSC2D1012006Q WeEn Semiconductors WNSC2D1012006Q 1.4521
सराय
 ECAD 4911 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 481pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D101200W6Q WeEn Semiconductors WNSC2D101200W6Q 1.9150
सराय
 ECAD 6055 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.65 वी @ 10 ए 0 एनएस 110 @a @ 1200 V 175 ° C 10 ए 490pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D2012006Q WeEn Semiconductors WNSC2D2012006Q 2.9042
सराय
 ECAD 7419 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.65 वी @ 20 ए 0 एनएस 100 µA @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 20 ए 950pf @ 1V, 1MHz
WNB199V5APTSV WeEn Semiconductors WNB199V5APTSV 0.9319
सराय
 ECAD 8774 0.00000000 तिहाई - थोक शिर सतह rurcur शराबी WNB199 तमाम एक प्रकार का होना - Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 60 ए 55 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 60 ए -
BYV410X-600/L01Q WeEn Semiconductors BYV410X-600/L01Q 0.6979
सराय
 ECAD 9126 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BYV410 तमाम To-220f तंग Ear99 8541.10.0080 600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 20 ए 2.1 वी @ 10 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 ° C
WB60FV60ALZ WeEn Semiconductors WB60FV60ALZ 1.1948
सराय
 ECAD 7510 0.00000000 तिहाई - थोक शिर सतह rurcur शराबी WB60 तमाम एक प्रकार का होना तंग Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 60 ए 55 एनएस 10 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 60 ए -
BYC40W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC40W-1200PQ 1.8808
सराय
 ECAD 1282 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 BYC40 तमाम से 247-2 तंग Ear99 8541.10.0080 450 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 3.3 वी @ 40 ए 91 एनएस 250 µA @ 1200 V 175 ° C 40 ए -
WNSC2D101200D6J WeEn Semiconductors WNSC2D101200D6J 1.3300
सराय
 ECAD 8173 0.00000000 तिहाई - थोक शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 481pf @ 1V, 1MHz
BYV30JT-600PMQ WeEn Semiconductors BYV30JT-600PMQ 0.7721
सराय
 ECAD 9894 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 BYV30 तमाम से 3PF - Ear99 8541.10.0080 480 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.8 वी @ 30 ए 65 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 30 ए -
WB30FC120ALZ WeEn Semiconductors WB30FC120ALZ 1.2113
सराय
 ECAD 5763 0.00000000 तिहाई - थोक शिर सतह rurcur शराबी WB30 तमाम एक प्रकार का होना - Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 3.5 वी @ 30 ए 65 एनएस 250 µA @ 1200 V 175 ° C 30 ए -
BYT28X-500Q WeEn Semiconductors BYT28X-500Q 0.3767
सराय
 ECAD 4290 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BYT28 तमाम To-220f तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 500 वी 10 ए 1.4 वी @ 5 ए 60 एनएस 10 µA @ 500 V 150 ° C
BYV10D-600PJ WeEn Semiconductors BYV10D-600PJ 0.2136
सराय
 ECAD 4015 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Byv10 तमाम डीपैक तंग Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 10 ए 100 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 10 ए -
MUR440J WeEn Semiconductors Mur440j 0.1249
सराय
 ECAD 5660 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC सिया 440 तमाम एसएमसी तंग Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 4 ए 75 एनएस 10 µA @ 400 V 175 ° C 4 ए -
MUR320J WeEn Semiconductors Mur320j 0.1183
सराय
 ECAD 7804 0.00000000 तिहाई - थोक शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC MUR320 तमाम एसएमसी तंग Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 875 mV @ 3 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी 175 ° C 3 ए -
WB100FC120ALZ WeEn Semiconductors WB100FC120ALZ 2.5754
सराय
 ECAD 3492 0.00000000 तिहाई - थोक शिर सतह rurcur शराबी WB100 तमाम एक प्रकार का होना - Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 3.3 वी @ 100 ए 90 एनएस 250 µA @ 1200 V 175 ° C 100 ए -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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