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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
VS-104MT160KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-104MT160KPBF 109.5933
सराय
ECAD 7147 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला तमाम 104MT160 तमाम तंग-के। तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम VS104MT160KPBF Ear99 8541.10.0080 15 100 ए तीन फ़ेज़ 1.6 केवी
BZM55B68-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55B68-TR 0.0433
सराय
ECAD 4024 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZM55 R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं BZM55B68 ५०० तंग तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 51 वी 68 वी 1000 ओम
SML4747HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sml4747he3_a/h 0.1658
सराय
ECAD 6373 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4747 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 15.2 V 20 वी 22 ओम
VS-19TQ015S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-19TQ015S-M3 1.6100
सराय
ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 19TQ015 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 15 वी 360 mV @ 19 ए 10.5 पायल @ 15 वी -55 ° C ~ 125 ° C 19 ए 2000pf @ 5V, 1MHz
VS-2ENH02-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2ENH02-M3/84A 0.3800
सराय
ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA 2ENH02 तमाम DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 2 ए 28 एनएस 2 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए -
VS-6DKH02HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6DKH02HM3/I 0.3465
सराय
ECAD 1982 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, एईसी-क emach 101, फmurेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 8-पॉव 6DKH02 तमाम फmun ५x ६ तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 112 -वीएस -6dkh02hm3/itr Ear99 8541.10.0080 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 200 वी 3 ए 940 mV @ 3 ए 25 एनएस 2 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
EDF1CS-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EDF1CS-E3/45 0.5991
सराय
ECAD 3810 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग EDF1 तमाम डीएफएस तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 1.05 वी @ 1 ए 5 µa @ 150 V 1 ए सिंगल फेज़ 150 वी
AZ23B6V8-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B6V8-G3-18 0.0594
सराय
ECAD 1778 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी एज़ 23-एज़ R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23b6v8 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gay @ 3 वी 6.8 वी 8 ओम
MBRB1635-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1635-E3/81 0.8473
सराय
ECAD 3140 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB1635 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 630 mV @ 16 ए 200 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
3N256-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3N256-E4/51 -
सराय
ECAD 1032 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - शिर शिर -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपीएम 3N256 तमाम KBPM तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 600 1.1 वी @ 3.14 ए 5 @a @ 400 वी 2 ए सिंगल फेज़ 400 वी
TLZ3V6A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ3V6A-GS18 0.0335
सराय
ECAD 9616 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Tlz3v6 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 60 ओम
TZMC56-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC56-M-08 0.0324
सराय
ECAD 5821 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, TZM-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZMC56 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gay @ 43 वी 56 वी 135 ओम
BZX55B2V7-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B2V7-TAP 0.2200
सराय
ECAD 30 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX55 कट कट टेप (सीटी) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55B2V7 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 2.7 वी 85 ओम
GSIB620-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB620-E3/45 2.4800
सराय
ECAD 142 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-SIP, GSIB-5S GSIB620 तमाम जीएसआईबी -5 एस तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 20 950 mV @ 3 ए 10 µa @ 200 वी 2.8 ए सिंगल फेज़ 200 वी
VS-36MT100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-36MT100 18.6300
सराय
ECAD 4714 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक ५ - 36MT100 तमाम डी -63 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 20 10 µA @ 1000 V 35 ए तीन फ़ेज़ 1 केवी
GBL01-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL01-E3/45 1.5800
सराय
ECAD 832 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, जीबीएल GBL01 तमाम जीबीएल तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम GBL01E345 Ear99 8541.10.0080 20 1.1 वी @ 4 ए 5 µA @ 100 वी 3 ए सिंगल फेज़ 100 वी
PTV13B-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV13B-M3/84A 0.1223
सराय
ECAD 1602 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-220AA PTV13 ६०० तंग DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 वी @ 200 एमए 10 µa @ 10 V 14.2 वी 10 ओम
DF1510S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF1510S-E3/77 0.7700
सराय
ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग DF1510 तमाम डीएफएस तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µA @ 1000 V 1.5 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
DF02MA-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF02MA-E3/45 0.6100
सराय
ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) DF02 तमाम डीएफएम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 1 ए 5 µa @ 200 वी 1 ए सिंगल फेज़ 200 वी
TZMB62-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB62-GS18 0.0411
सराय
ECAD 6114 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZM R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZMB62 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 47 वी 62 वी 150 ओम
VS-1KAB100E Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1KAB100E 2.0300
सराय
ECAD 4641 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -yrigh, डी -38 1KAB100 तमाम D-38 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 1.2 ए 10 µA @ 1000 V 1.2 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
51MT80KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 51MT80KB -
सराय
ECAD 5697 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला तमाम 51MT80 तमाम तमाम तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3 55 ए तीन फ़ेज़ 800 वी
VS-GBPC2510W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GBPC2510W 7.3200
सराय
ECAD 5955 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी वीएस-वीएस शिर शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, gbpc-w GBPC2510 तमाम जीबीपीसी-डब तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 1.1 वी @ 12.5 ए 2 gay @ 1 वी 25 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
DF04S Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF04S -
सराय
ECAD 4355 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग DF04 तमाम डीएफएस तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम DF04SIR Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 1 ए 5 @a @ 400 वी 1 ए सिंगल फेज़ 400 वी
SMBZ5919B-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5919B-E3/5B 0.4400
सराय
ECAD 52 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMBZ5919 3 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,200 1.5 वी @ 200 एमए 200 µa @ 3 वी 5.6 वी 5 ओम
VS-1KAB20E Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1KAB20E 1.9500
सराय
ECAD 5754 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -yrigh, डी -38 1KAB20 तमाम D-38 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 1.2 ए 10 µa @ 200 वी 1.2 ए सिंगल फेज़ 200 वी
VS-GBPC2512W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GBPC2512W 7.4700
सराय
ECAD 8594 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी वीएस-वीएस थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, gbpc-w GBPC2512 तमाम जीबीपीसी-डब तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 1.1 वी @ 12.5 ए 2 सना हुआ @ 1200 वी 25 ए सिंगल फेज़ 1.2 केवी
91MT120KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 91MT120KB -
सराय
ECAD 6644 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला तमाम 91MT120 तमाम तमाम तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम *91MT120KB Ear99 8541.10.0080 3 90 ए तीन फ़ेज़ 1.2 केवी
VS-GBPC2512A Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 2512 ए 7.3200
सराय
ECAD 1258 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी वीएस-वीएस शिर शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक 4-rirch, gbpc-a GBPC2512 तमाम जीबीपीसी-जीबीपीसी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 2 पायल @ 1.2 वी 25 ए सिंगल फेज़ 1.2 केवी
GBU6J-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6J-E3/51 2.2100
सराय
ECAD 596 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU GBU6 तमाम जीबीयू तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 250 1 वी @ 6 ए 5 µA @ 600 V 3.8 ए सिंगल फेज़ 600 वी
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम