SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
MMBZ4683-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4683-G3-18 -
सराय
ECAD 2161 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4683 ३५० तंग -23-3 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 800 पायल @ 1 वी 3 वी
BZX55B36-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B36-TR 0.2200
सराय
ECAD 29 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55B36 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gapa @ 27 वी 36 वी 80 ओम
DZ23C51-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C51-G3-08 0.0483
सराय
ECAD 5662 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी Dz23-g R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम कैथोड 100 gaba @ 38 वी 51 वी 100 ओम
EGP30F-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30F-E3/73 -
सराय
ECAD 7586 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-2010, DO-27, SAUTCUN ईजीपी 30 तमाम GP20 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.25 वी @ 3 ए 50 एनएस 5 µA @ 300 V -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
GDZ9V1B-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ9V1B-HG3-08 0.0509
सराय
ECAD 1144 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, GDZ-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 GDZ9V1 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 30 ओम
SML4738A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sml4738a-e3/5a 0.1815
सराय
ECAD 2497 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4738 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 10 µa @ 6 V 8.2 वी 4.5 ओम
BZX84C3V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C3V3-G3-08 0.0353
सराय
ECAD 8854 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C3V3 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
BZX85C3V0-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C3V0-TR 0.3800
सराय
ECAD 18 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX85 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85C3V0 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 100 µA @ 1 वी 3 वी 20 ओम
BZX84C7V5-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C7V5-HE3-18 0.0323
सराय
ECAD 8795 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C7V5 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 µa @ 5 वी 7.5 वी 15 ओम
NSB8BTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8BTHE3/45 -
सराय
ECAD 4789 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Nsb8 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 8 ए 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 55pf @ 4v, 1MHz
VS-88HFR40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88HFR40 9.0122
सराय
ECAD 7067 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 88HFR40 तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम VS88HFR40 Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 267 ए -65 ° C ~ 180 ° C 85 ए -
UH4PBC-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PBC-M3/86A -
सराय
ECAD 8333 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन UH4 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 2 ए 1.05 V @ 2 ए 25 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C
SE30NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se30nj-m3/i 0.4900
सराय
ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर अफ़स 2-वीडीएफएन तमाम DFN3820A तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 14,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 3 ए 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 19pf @ 4v, 1MHz
VS-ETX1506-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-एटीएक 1.4400
सराय
ECAD 6290 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 ETX1506 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Vsetx1506m3 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3.4 वी @ 15 ए 20 एनएस 36 @a @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
TZX3V9B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX3V9B-TAP 0.0290
सराय
ECAD 1982 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZX टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT TZX3V9 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 वी @ 200 एमए 5 µA @ 1 वी 3.9 वी 100 ओम
BZD27B120P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B120P-M3-18 0.1155
सराय
ECAD 6478 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B-M R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B120 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 91 वी 120 वी 250 ओम
KBP04M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP04M-E4/51 -
सराय
ECAD 4193 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - शिर शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपीएम Kbp04 तमाम KBPM तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 600 1 वी @ 1 ए 5 @a @ 400 वी 1.5 ए सिंगल फेज़ 400 वी
AZ23B12-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B12-E3-08 0.0509
सराय
ECAD 2277 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी Az23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23b12 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 पायल @ 9 वी 12 वी 20 ओम
VS-88-7316 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस -88-7316 -
सराय
ECAD 9431 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 88-7316 - 112-‘-88-7316 1
VI30120SG-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30120SG-M3/4W 0.7273
सराय
ECAD 7850 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa VI30120 schottky To-262aa तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 120 वी 1.28 वी @ 30 ए 500 @a @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C 30 ए -
MSS1P3-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSS1P3-M3/89A 0.4000
सराय
ECAD 29 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur तमाम MSS1P3 schottky Microsmp (DO-219AD) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 1 ए 200 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
GDZ11B-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ11B-HG3-08 0.0523
सराय
ECAD 9084 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, GDZ-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 GDZ11 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gapa @ 8 वी 11 वी 30 ओम
BZD27B36P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B36P-E3-08 0.1155
सराय
ECAD 8628 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B36 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 27 V 36 वी 40 ओम
SSA34-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSA34-E3/61T 0.5300
सराय
ECAD 34 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SSA34 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 490 mV @ 3 ए 200 @a @ 40 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
MMSZ5261B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5261B-HE3_A-08 0.0549
सराय
ECAD 1868 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5261B-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 36 वी 47 वी 105 ओम
RGP02-15E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-15E-M3/73 -
सराय
ECAD 5729 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut RGP02 तमाम DO-204AL (DO-41) - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1500 वी 1.8 वी @ 100 एमए 300 एनएस 5 @a @ 1500 वी -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
UG8BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8BT-E3/45 -
सराय
ECAD 4864 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Ug8b तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 8 ए 30 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
BZG04-33-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-33-HM3-18 0.2079
सराय
ECAD 4295 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG04-M R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG04-33 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 5 µA @ 33 V 39 वी
1N5236B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5236B-TR 0.1900
सराय
ECAD 37 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% - होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5236 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 3 µa @ 6 वी 7.5 वी 6 ओम
SML4753A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sml4753a-e3/5a 0.1815
सराय
ECAD 9067 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4753 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 27.4 V 36 वी 50 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम