SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
TZM5241F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5241F-GS08 -
सराय
ECAD 2523 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5241 ५०० तंग Sod-80 sautun - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 वी @ 200 एमए 2 @a @ 8.4 वी 11 वी 600 ओम
UG1C-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG1C-M3/73 -
सराय
ECAD 6031 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut Ug1 तमाम DO-204AL (DO-41) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 1 ए 25 एनएस 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 7PF @ 4V, 1MHz
VS-MBRB20100CTTRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB20100CTTRRP -
सराय
ECAD 2661 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB20 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 800 mV @ 10 ए 100 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C
BY396P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY396P-E3/54 -
सराय
ECAD 9502 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun BY396 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.25 वी @ 3 ए 500 एनएस 10 µA @ 100 वी -50 ° C ~ 125 ° C 3 ए 28PF @ 4V, 1MHz
MMBZ5251C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5251C-E3-18 -
सराय
ECAD 3214 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5251 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gaba @ 17 वी 22 वी 29 ओम
G3SBA60-5410M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60-5410M3/51 -
सराय
ECAD 3679 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU G3SBA60 तमाम जीबीयू तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 1 वी @ 2 ए 5 µA @ 600 V 2.3 ए सिंगल फेज़ 600 वी
FESB8BT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8BT-E3/81 0.7496
सराय
ECAD 9295 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Fesb8 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 8 ए 35 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
GUR460-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GUR460-E3/54 -
सराय
ECAD 1346 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun GUR460 तमाम Do-201ad - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.28 वी @ 4 ए 60 एनएस 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 4 ए -
AZ23B16-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B16-E3-18 0.0509
सराय
ECAD 1928 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी Az23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23b16 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 kaga @ 12 वी 16 वी 40 ओम
BZG05C51-E3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C51-E3-TR3 -
सराय
ECAD 4227 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सवार @ ३ ९ वी 51 वी 115 ओम
BZX384C6V2-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C6V2-G3-08 0.2900
सराय
ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C6V2 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
SMPZ3921B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smpz3921b-e3/84a -
सराय
ECAD 3191 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-220AA Smpz39 ५०० तंग DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 वी @ 200 एमए 200 µa @ 5.2 V 6.8 वी 2.5 ओम
AZ23B33-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B33-HE3-18 0.0534
सराय
ECAD 6126 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23b33 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gaba @ 25 वी 33 वी 80 ओम
SMZJ3804BHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3804BHE3/5B -
सराय
ECAD 1436 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB Smzj38 1.5 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,200 5 @a @ 32.7 V 43 वी 53 ओम
V60D100CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60d100chm3/i 2.5900
सराय
ECAD 930 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 लीड + टैब) V60D100 schottky TO-263AC (SMPD) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 30 ए 810 mV @ 30 ए 1 पायल @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C
1N4762A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4762A-T -
सराय
ECAD 8262 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4762 1.3 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 @a @ 62.2 V 82 वी 3000 ओम
KBP01M-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP01M-M4/51 -
सराय
ECAD 3157 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - शिर शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपीएम Kbp01 तमाम KBPM तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 600 1 वी @ 1 ए 5 µA @ 100 वी 1.5 ए सिंगल फेज़ 100 वी
BZX84C27-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C27-HE3_A-18 0.0498
सराय
ECAD 1157 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84C27-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 50 सना 27 वी 80 ओम
BZT52B10-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B10-HE3_A-18 -
सराय
ECAD 9015 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52B10-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 100 gapa @ 7.5 वी 10 वी 15 ओम
BZX384B3V9-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B3V9-E3-08 0.2700
सराय
ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384B3V9 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 1 वी 3.9 वी 90 ओम
BZT52C27-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C27-HE3_A-08 0.0533
सराय
ECAD 4313 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52C27-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 20 वी 27 वी 80 ओम
Z4KE180AHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z4KE180AHE3/54 -
सराय
ECAD 1397 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut Z4ke180 1.5 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,500 1 वी @ 500 एमए 500 NA @ 136.8 V 180 वी 1300 ओम
BYT56K-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division तंग 56k-tr 0.5346
सराय
ECAD 7957 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Sod-64, अकthu BYT56 कांपना सोड -64 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.4 वी @ 3 ए 100 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
BZX84C7V5-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C7V5-HE3_A-18 0.0498
सराय
ECAD 3247 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84C7V5-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 µa @ 5 वी 7.5 वी 15 ओम
V20PW60HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20pw60hm3/i 1.0700
सराय
ECAD 4 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 V20pw60 schottky कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 660 mV @ 20 ए ३.६ सना -40 ° C ~ 150 ° C 20 ए 2250pf @ 4V, 1MHz
VS-80-7628 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -80-7628 -
सराय
ECAD 5510 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 80-7628 - 112-‘-80-7628 1
UGB10CCTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ugb10ccthe3_a/i -
सराय
ECAD 6057 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB तमाम To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 112-ugb10ccthe3_a/itr Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 5 ए 1.1 वी @ 5 ए 25 एनएस 10 µa @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
RGL41A-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41A-E3/97 0.1284
सराय
ECAD 3516 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) Rgl41 तमाम Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZX384B10-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B10-E3-18 0.2700
सराय
ECAD 15 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384B10 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
BZG05C91-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C91-HM3-08 0.4200
सराय
ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05C-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05C91 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 200 एमए ५०० पायल @ ६ वी 91 वी 250 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम