SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
GLL4761-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4761-E3/96 0.3053
सराय
ECAD 1866 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf Gll4761 1 डब Melf do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 5 µa @ 56 V 75 वी 175 ओम
VLZ6V8C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ6V8C-GS18 -
सराय
ECAD 9244 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz6v8 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 2 @a @ 4 वी 6.84 वी 8 ओम
UH2B-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH2B-M3/5BT -
सराय
ECAD 6614 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB UH2 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.05 V @ 2 ए 35 एनएस 2 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 42pf @ 4v, 1MHz
BZT52C16-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C16-HE3-18 0.0378
सराय
ECAD 9195 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52C16 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 kaga @ 12 वी 16 वी 13 ओम
BZX84C75-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C75-HE3-08 0.0323
सराय
ECAD 8995 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C75 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 ५० सदाबहार @ ५२.5 75 वी 255 ओम
PTV22B-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV22B-E3/85A -
सराय
ECAD 3397 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C सतह rurcur DO-220AA PTV22 ६०० तंग DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 10 µa @ 17 वी 23.3 वी 14 ओम
DF04S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF04S-E3/77 0.8000
सराय
ECAD 289 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग DF04 तमाम डीएफएस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 1.1 वी @ 1 ए 5 @a @ 400 वी 1 ए सिंगल फेज़ 400 वी
MMSZ5254B-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5254B-HE3_A-18 0.0549
सराय
ECAD 9634 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5254B-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 kaga @ 21 वी 27 वी 41 ओम
1N4946GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4946GPHE3/73 -
सराय
ECAD 2462 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4946 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 1 ए 250 एनएस 1 @a @ 600 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
EDF1AS-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EDF1AS-E3/77 1.2300
सराय
ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग EDF1 तमाम डीएफएस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 1.05 वी @ 1 ए 5 µa @ 50 वी 1 ए सिंगल फेज़ 50 वी
DZ23C3V0-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C3V0-HE3_A-08 -
सराय
ECAD 4388 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, DZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-DZ23C3V0-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम कैथोड 3 वी 80 ओम
BZX84B12-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B12-HE3_A-08 0.0498
सराय
ECAD 7356 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84B12-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
SML4742-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4742-E3/5A 0.4700
सराय
ECAD 16 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4742 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 9.1 V 12 वी 9 ओम
1N4728A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4728A-T -
सराय
ECAD 9169 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4728 1.3 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 100 µA @ 1 वी 3.3 वी 400 ओम
VS-S1059 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 1059 -
सराय
ECAD 8958 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग S1059 - 112-एस-एस 1059 1
MMSZ4687-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4687-E3-18 0.2700
सराय
ECAD 10 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ4687 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 4 µa @ 2 वी 4.3 वी
VF10150C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF10150C-M3/4W 0.5095
सराय
ECAD 8323 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक VF10150 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 5 ए 1.41 वी @ 5 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT55B3V3-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B3V3-GS08 0.0433
सराय
ECAD 3222 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण BZT55B3V3 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए 2 @a @ 1 वी 3.3 वी 90 ओम
PLZ3V3B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Plz3v3b-g3/h 0.2800
सराय
ECAD 43 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3.07% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ac Plz3v3 960 अराय Do-219ac (microsmf) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,500 900 एमवी @ 10 एमए 10 µa @ 1 वी 3.43 वी 70 ओम
GP10M-7009M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10M-7009M3/54 -
सराय
ECAD 9467 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.2 वी @ 1 ए 3 μs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 7PF @ 4V, 1MHz
RS1FLM-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs1flm-m3/h 0.3400
सराय
ECAD 30 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab तमाम Do-219ab (SMF) तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.2 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 7PF @ 4V, 1MHz
1N4752A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4752A-T -
सराय
ECAD 2719 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4752 1.3 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 25.1 V 33 वी 1000 ओम
TZM5240C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5240C-GS08 -
सराय
ECAD 5615 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5240 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 वी @ 200 एमए 3 µa @ 8 V 10 वी 17 ओम
MURS360S-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS360S-M3/52T 0.1280
सराय
ECAD 9211 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB Murs360 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.45 वी @ 3 ए 75 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए -
BZG05C5V6-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C5V6-E3-TRE -
सराय
ECAD 5688 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 2 वी 5.6 वी 7 ओम
SMZJ3795BHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3795bhm3/i -
सराय
ECAD 2892 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB Smzj37 1.5 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 13.7 V 18 वी 12 ओम
AU1FMHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Au1fmhm3/i 0.0980
सराय
ECAD 7998 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab कांपना Do-219ab (SMF) तंग तमाम 112-au1fmhm3/itr Ear99 8541.10.0080 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.85 वी @ 1 ए 75 एनएस 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 8.2pf @ 4v, 1MHz
BZT52B7V5-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B7V5-E3-08 0.3100
सराय
ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52B7V5 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 5 वी 7.5 वी 4 ओम
20CTQ035STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20CTQ035STRL -
सराय
ECAD 8888 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 20CTQ schottky To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 10 ए 640 mV @ 10 ए 2 सना हुआ @ 35 वी -55 ° C ~ 175 ° C
AS4PJ-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS4PJ-M3/87A 0.3036
सराय
ECAD 3783 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन AS4 कांपना To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 962 mV @ 2 ए 1.8 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 2.4 ए 60pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम