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अफ़संद (29505)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
VS-VSKE91/14 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE91/14 35.7970
सराय
 ECAD 7873 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ADD-A-PAK (3) Vske91 तमाम Add-a-Pak® तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsvske9114 Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1400 वी 10 सना हुआ @ 1400 वी -40 ° C ~ 150 ° C 100 ए -
US1BHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1BHE3/61T -
सराय
 ECAD 9494 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA US1 तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
VS-32CTQ025S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-32CTQ025S-M3 0.8966
सराय
 ECAD 7358 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 32CTQ025 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 25 वी 15 ए 490 mV @ 15 ए 1.75 पायल @ 25 वी -55 ° C ~ 150 ° C
VX40M45C-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX40M45C-M3/P 0.8448
सराय
 ECAD 2687 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 112-VX40M45C-M3/P Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 20 ए 600 एमवी @ 20 ए 250 µA @ 45 V -40 ° C ~ 175 ° C
VS-63CPQ100HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-63CPQ100HN3 -
सराय
 ECAD 6646 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 63CPQ100 schottky To247ac तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 112- -63CPQ100HN3 Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 30 ए 790 mV @ 30 ए 300 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C
SML4758A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4758A-E3/61 0.5000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4758 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 5 µA @ 42.6 V 56 वी 110 ओम
VS-5EWX06FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-5EWX06FNTRL-M3 0.3652
सराय
 ECAD 7373 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 5EWX06 तमाम डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS5EWX06FNTRLM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.9 वी @ 5 ए 480 एनएस 20 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 5 ए -
VS-T70HFL60S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T70HFL60S02 31.2900
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 ECAD 188 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला डी -55 टी -मॉड टी 70 तमाम -55 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 200 एनएस 100 µA @ 600 V 70A -
BZD27C18P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C18P-E3-08 0.5300
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 ECAD 8 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27C R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 13 वी 18 वी 15 ओम
VS-80-7649 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -80-7649 -
सराय
 ECAD 3372 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 80-7649 - 112-‘-80-7649 1
MBR2035CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2035CT-E3/45 -
सराय
 ECAD 5828 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR20 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 10 ए 650 mV @ 10 ए 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C
V40PW60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40PW60C-M3/I 1.4900
सराय
 ECAD 228 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 V40PW60 schottky कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 20 ए 680 mV @ 20 ए २.४ सना -40 ° C ~ 150 ° C
VS-15CTQ045-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15CTQ045-N3 -
सराय
 ECAD 1346 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 15CTQ045 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS15CTQ045N3 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 15 ए 700 एमवी @ 15 ए 800 µA @ 45 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
189NQ135 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 189NQ135 -
सराय
 ECAD 7470 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला डी -67 अराध्य 189NQ135 schottky डी -67 अराध्य तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम *189NQ135 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 135 वी 1.07 V @ 180 ए ४.५ सदा 180A 4500pf @ 5v, 1MHz
VIT2080S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT2080S-E3/4W 0.5858
सराय
 ECAD 5565 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa VIT2080 schottky To-262aa तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 920 mV @ 20 ए 700 µA @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C 20 ए -
UGB8HTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ugb8hthe3_a/i -
सराय
 ECAD 5068 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Ugb8 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.75 वी @ 8 ए 50 एनएस 30 µA @ 500 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
VSKC320-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKC320-08 -
सराय
 ECAD 5095 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ३- VSKC320 तमाम मैगm-ए-rana ® तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 800 वी 320A ५० सदाबहार @
VS-10BQ100-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10BQ100-M3/5BT 0.4500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB 10bq100 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 750 mV @ 1 ए 500 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 65pf @ 5v, 1MHz
FES8JT-5410HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8JT-5410HE3/45 -
सराय
 ECAD 8175 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Fes8 तमाम TO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.5 वी @ 8 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
TZX2V7C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX2V7C-TAP 0.2300
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 ECAD 28 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZX कट कट टेप (सीटी) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT TZX2V7 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 5 µA @ 500 एमवी 2.7 वी 100 ओम
BZX55F2V4-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Bzx55f2v4-tr -
सराय
 ECAD 5652 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 50 µa @ 1 वी 2.4 वी 85 ओम
VS-91MT160KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-91MT160KPBF 96.3207
सराय
 ECAD 1321 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - शिर शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला तमाम 91MT160 तमाम तंग-के। तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS91MT160KPBF Ear99 8541.10.0080 15 90 ए तीन फ़ेज़ 1.6 केवी
BZM55B3V0-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55B3V0-TR3 0.0433
सराय
 ECAD 5341 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZM55 R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं BZM55B3V0 ५०० तंग तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 4 µa @ 1 वी 3 वी 600 ओम
V2PL63LHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2pl63lhm3/h 0.4100
सराय
 ECAD 15 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur DO-220AA V2pl63 schottky DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 2 ए 50 µa @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 2 ए 360pf @ 4v, 1MHz
SMZJ3789B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3789B-E3/52 0.5300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMZJ3789 1.5 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 750 50 µa @ 7.6 V 10 वी 5 ओम
SS10P4-E3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P4-E3/87A -
सराय
 ECAD 2381 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS10P4 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 560 mV @ 10 ए 800 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
VS-16CTQ060HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ060HN3 1.1491
सराय
 ECAD 9933 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 16CTQ060 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 8 ए 720 mV @ 8 ए 550 @a @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C
BZG03C91-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C91-M3-18 0.1815
सराय
 ECAD 6388 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG03C-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG03C91 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 1 @a @ 68 V 91 वी 200 ओम
BZT55A12-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55A12-GS18 -
सराय
 ECAD 2330 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण BZT55 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 kay @ 9.1 वी 12 वी 20 ओम
VS-88HF20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88HF20 8.8342
सराय
 ECAD 5204 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 88HF20 तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS88HF20 Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.2 वी @ 267 ए -65 ° C ~ 180 ° C 85 ए -
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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