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अफ़संद (29505)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
MB2045C-61HE3J/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB2045C-61HE3J/81 -
सराय
 ECAD 9837 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay MB2045 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800
VF20100S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20100S-E3/45 -
सराय
 ECAD 3765 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक VF20100 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VF20100S-E3/45GI Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 900 एमवी @ 20 ए 500 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C 20 ए -
UF4005-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4005-E3/54 0.4300
सराय
 ECAD 34 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut UF4005 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
SS10P4HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P4HM3/86A -
सराय
 ECAD 9216 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS10P4 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 560 mV @ 10 ए 800 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
VS-8EWF04STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF04STRLPBF -
सराय
 ECAD 5316 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 8EWF04 तमाम डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1.2 वी @ 8 ए 200 एनएस -40 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
SML4742A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4742A-E3/61 0.5000
सराय
 ECAD 120 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% - सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4742 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 9.1 V 12 वी 9 ओम
BZX55A5V6-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55A5V6-TAP -
सराय
 ECAD 3509 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gay @ 1 वी 5.6 वी 25 ओम
GLL4739A-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4739A-E3/97 0.3168
सराय
 ECAD 1027 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf Gll4739 1 डब Melf do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 10 µa @ 7 V 9.1 वी 5 ओम
VS-8EWS10STRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS10STRPBF -
सराय
 ECAD 7804 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 8ews10 तमाम डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 8 ए 50 µa @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
VS-80-6193 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -80-6193 -
सराय
 ECAD 1494 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 80-6193 - 112-‘-80-6193 1
SBL1040HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL1040HE3/45 -
सराय
 ECAD 7043 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SBL1040 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 600 एमवी @ 10 ए 1 पायल @ 40 वी -40 ° C ~ 125 ° C 10 ए -
SML4734AHE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sml4734ahe3/5a -
सराय
 ECAD 8573 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4734 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 10 µA @ 2 वी 5.6 वी 5 ओम
BAV20WS-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV20WS-G3-18 0.0409
सराय
 ECAD 5837 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 BAV20 तमाम Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 gay @ 150 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
MMSZ5245B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5245B-HE3-08 0.2800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5245 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 11 वी 15 वी 16 ओम
BZG04-30-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-30-HM3-08 0.2079
सराय
 ECAD 3682 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG04-M R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG04-30 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 5 µa @ 30 V 36 वी
MMBZ5227C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5227C-E3-18 -
सराय
 ECAD 4892 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5227 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 15 µa @ 1 वी 3.6 वी 24 ओम
AZ23B11-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B11-HE3_A-18 -
सराय
 ECAD 8578 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-AZ23B11-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम एनोड 100 gapa @ 8 वी 11 वी 20 ओम
TZM5232B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5232B-GS18 0.2300
सराय
 ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5232 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 5 µa @ 3 वी 5.6 वी 11 ओम
ZMY6V2-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY6V2-GS08 0.4200
सराय
 ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) ZMY6V2 1 डब Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 ५०० सदाबहार @ २ वी 6.2 वी 2 ओम
MMSZ5256C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5256C-G3-18 0.0483
सराय
 ECAD 6931 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5256 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 kay @ 23 वी 30 वी 49 ओम
VS-8TQ080SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ080SPBF -
सराय
 ECAD 6712 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 8TQ080 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 720 mV @ 8 ए 550 @a @ 80 V -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए 500pf @ 5v, 1MHz
MMSZ5266C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5266C-E3-18 0.0433
सराय
 ECAD 2302 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5266 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 पायल @ 52 वी 68 वी 230 ओम
SBLB1640CTHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1640CTHE3_B/I 1.6100
सराय
 ECAD 800 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SBLB1640 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 8 ए 550 एमवी @ 8 ए 500 µA @ 40 V -40 ° C ~ 125 ° C
EGF1D-2HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1D-2HE3_A/H -
सराय
 ECAD 9565 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-214ba ईजीएफ 1 तमाम DO-214BA (GF1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
S1AFK-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1AFK-M3/6B 0.0858
सराय
 ECAD 1957 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur S1A तमाम DO-221AC (SLIMSMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 14,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.47 µs 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 7.9pf @ 4v, 1MHz
BYV27-050-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV27-050-TR 0.2970
सराय
 ECAD 5130 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Sod-57, lectun BYV27 कांपना सोड -57 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 55 वी 1.07 V @ 3 ए 25 एनएस 1 µa @ 55 V -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए -
SMZJ3800B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3800B-E3/52 0.5300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMZJ3800 1.5 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 750 5 µa @ 22.8 V 30 वी 26 ओम
BZX85C5V6-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Bzx85c5v6-tr 0.3800
सराय
 ECAD 24 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX85 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85C5V6 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1 µa @ 2 वी 5.6 वी 7 ओम
SML4760AHE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4760AHE3/5A -
सराय
 ECAD 3135 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4760 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µA @ 51.7 V 68 वी 150 ओम
BZD27C30P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C30P-E3-18 0.1492
सराय
 ECAD 4073 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27C R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27C30 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 22 वी 30 वी 15 ओम
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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