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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZX84B2V7-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B2V7-HE3_A-18 -
सराय
ECAD 2115 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84B2V7-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 20 µA @ 1 वी 2.7 वी 100 ओम
AZ23C18-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C18-HE3_A-08 -
सराय
ECAD 1973 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-AZ23C18-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम एनोड ५० सटीक 18 वी 45 ओम
BZT52C33-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C33-HE3_A-18 0.0533
सराय
ECAD 1923 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52C33-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gaba @ 25 वी 33 वी 80 ओम
BZT52B3V0-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B3V0-HE3_A-08 0.0533
सराय
ECAD 6650 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52B3V0-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 10 µa @ 1 वी 3 वी 95 ओम
BZX84B8V2-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B8V2-HE3_A-18 0.0498
सराय
ECAD 9545 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84B8V2-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 700 पायल @ 5 वी 8.2 वी 15 ओम
BZT52C3V3-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C3V3-HE3_A-18 0.0533
सराय
ECAD 2811 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52C3V3-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
MMSZ5253B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5253B-HE3_A-08 0.0549
सराय
ECAD 2139 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5253B-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 सवार @ 19 वी 25 वी 35 ओम
MMSZ5229B-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5229B-HE3_A-18 0.0549
सराय
ECAD 5778 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5229B-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 22 ओम
AZ23C5V1-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C5V1-HE3_A-18 -
सराय
ECAD 3517 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-AZ23C5V1-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम एनोड 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
MMSZ5262C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5262C-HE3_A-18 0.0566
सराय
ECAD 1939 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5262C-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 39 वी 51 वी 125 ओम
BZX84C27-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C27-HE3_A-18 0.0498
सराय
ECAD 1157 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84C27-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 50 सना 27 वी 80 ओम
BZX84C16-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C16-HE3_A-08 0.0498
सराय
ECAD 3007 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84C16-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 50 सना 16 वी 40 ओम
MMSZ4708-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4708-HE3_A-18 0.0533
सराय
ECAD 6482 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ4708-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 10 सना हुआ @ 16.7 22 वी
BZX84B3V6-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B3V6-HE3_A-08 0.0498
सराय
ECAD 5316 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84B3V6-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
BZT52C27-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C27-HE3_A-08 0.0533
सराय
ECAD 4313 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52C27-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 20 वी 27 वी 80 ओम
MMSZ5235B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5235B-HE3_A-08 0.0549
सराय
ECAD 9596 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5235B-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µa @ 5 वी 6.8 वी 5 ओम
BZT52B39-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B39-HE3_A-08 0.0533
सराय
ECAD 5020 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52B39-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 29 वी 39 वी 87 ओम
BZT52C10-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C10-HE3_A-08 0.0533
सराय
ECAD 3342 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52C10-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gapa @ 7.5 वी 10 वी 15 ओम
MMSZ5249B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5249B-HE3_A-08 0.0549
सराय
ECAD 3922 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5249B-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 14 वी 19 वी 23 ओम
BZX84B12-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B12-HE3_A-08 0.0498
सराय
ECAD 7356 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84B12-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
BZX84B56-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B56-HE3_A-18 0.0498
सराय
ECAD 7802 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84B56-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 ५० सदाबहार @ ३ ९ .२ 56 वी 200 ओम
BZT52C3V3-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C3V3-HE3_A-08 0.0533
सराय
ECAD 7990 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52C3V3-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
MMSZ5243B-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5243B-HE3_A-18 0.0549
सराय
ECAD 4342 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5243B-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए ५०० सवार @ ९। ९। 13 वी 13 ओम
BZT52C11-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C11-HE3_A-18 0.0533
सराय
ECAD 3096 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52C11-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gapa @ 8.5 वी 11 वी 20 ओम
VSSAF5M63HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF5M63HM3/H 0.5500
सराय
ECAD 2259 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur VSSAF5M63 schottky DO-221AC (SLIMSMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 660 mV @ 5 ए 10 µa @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 2.6 ए 700pf @ 4v, 1MHz
V3PL63-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V3pl63-m3/h 0.4700
सराय
ECAD 3988 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur DO-220AA V3pl63 schottky DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 590 mV @ 3 ए 70 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 3 ए 460pf @ 4v, 1MHz
VX60M153PW-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX60M153PW-M3/P 3.1800
सराय
ECAD 6107 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® थोक शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 VX60M153 schottky To-247ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-VX60M153PW-M3/P 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 30 ए 1.07 वी @ 30 ए 250 µA @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C
V10PL63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10pl63-m3/i 0.6700
सराय
ECAD 8927 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन V10pl63 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 10 ए 250 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 10 ए 2100pf @ 4v, 1MHz
VS-80-7649 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -80-7649 -
सराय
ECAD 3372 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 80-7649 - 112-‘-80-7649 1
VS-80-5651 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -80-5651 -
सराय
ECAD 1996 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 80-5651 - 112-‘-80-5651 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम