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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
TZQ5249B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5249B-GS08 0.0303
सराय
 ECAD 3820 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZQ5249 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 14 वी 19 वी 23 ओम
TZQ5250B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5250B-GS08 0.0303
सराय
 ECAD 3721 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZQ5250 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 kaga @ 15 वी 20 वी 25 ओम
TZQ5264B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5264B-GS08 0.0303
सराय
 ECAD 8894 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZQ5264 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gay @ 46 वी 60 वी 170 ओम
TZQ5267B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5267B-GS08 0.0303
सराय
 ECAD 8210 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZQ5267 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 kay @ 56 वी 75 वी 270 ओम
TZS4679-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4679-GS08 0.3100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZS4679 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 100 एमए 5 µA @ 1 वी 2 वी
TZS4681-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4681-GS08 0.0411
सराय
 ECAD 8744 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZS4681 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 100 एमए 2 @a @ 1 वी 2.4 वी
TZS4682-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4682-GS08 0.3100
सराय
 ECAD 172 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZS4682 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 100 एमए 1 µA @ 1 वी 2.7 वी
TZS4700-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4700-GS08 0.3100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZS4700 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 100 एमए 50 सना 13 वी
TZS4707-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4707-GS08 0.0392
सराय
 ECAD 9312 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZS4707 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 100 एमए 10 सना हुआ @ 15.2 20 वी
TZS4715-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4715-GS08 0.3100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZS4715 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 100 एमए 10 µa @ 27.3 V 36 वी
U3C-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division U3C-M3/57T 0.2003
सराय
 ECAD 6498 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC यू 3 सी तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 900 mV @ 3 ए 150 एनएस 10 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 25pf @ 4v, 1MHz
UH1PB-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH1PB-M3/84A 0.0986
सराय
 ECAD 5940 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA UH1 तमाम DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.05 वी @ 3 ए 40 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2.5a 16PF @ 4V, 1MHz
UH6PD-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH6PD-M3/86A -
सराय
 ECAD 9835 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन UH6 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 वी @ 6 ए 140 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 80pf @ 4v, 1MHz
US1A-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1A-M3/61T 0.0825
सराय
 ECAD 8164 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA US1A तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
US1D-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1D-M3/61T 0.0825
सराय
 ECAD 5480 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA US1D तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
US1J-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1J-M3/61T 0.4100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA Us1j तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
US1K-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1K-M3/61T 0.0812
सराय
 ECAD 6231 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA US1K तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
V10P20-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10P20-M3/86A 1.7000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन V10p20 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.34 वी @ 10 ए 400 µA @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C 2.4 ए -
V10P45S-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10P45S-M3/86A 0.8100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन V10P45 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 570 mV @ 10 ए 800 µA @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C 4.4 ए -
V3P6-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V3p6-m3/84a 0.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA V3p6 schottky DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 630 mV @ 3 ए 900 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2.4 ए 250pf @ 4v, 1MHz
V8P12-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8P12-M3/86A 0.8500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन V8P12 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 120 वी 840 mV @ 8 ए 300 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
V8P20-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8P20-M3/86A 0.7200
सराय
 ECAD 2620 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन V8p20 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.4 वी @ 8 ए 250 µA @ 200 वी -40 ° C ~ 150 ° C 2.2 ए -
VLZ10D-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ10D-GS08 -
सराय
 ECAD 1847 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz10 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 40 µa @ 9.44 V 10.19 वी 8 ओम
VLZ10-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ10-GS08 -
सराय
 ECAD 2406 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz10 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 10 वी 8 ओम
VLZ11-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ11-GS08 -
सराय
 ECAD 2450 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz11 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 11 वी 10 ओम
VLZ12A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ12A-GS08 -
सराय
 ECAD 1251 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz12 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 40 µa @ 10.6 V 11.42 वी 12 ओम
VLZ12B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ12B-GS08 -
सराय
 ECAD 9079 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz12 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 40 µa @ 10.9 V 11.75 वी 12 ओम
VLZ13B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ13B-GS08 -
सराय
 ECAD 9042 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz13 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 40 @a @ 11.9 V 12.88 वी 14 ओम
VLZ16A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ16A-GS08 -
सराय
 ECAD 8534 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz16 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 40 µa @ 14.1 V 15.19 वी 18 ओम
VLZ16-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ16-GS08 -
सराय
 ECAD 8982 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz16 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 16 वी 18 ओम
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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