SIC
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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SZNZ8F2V7SMX2WT5G onsemi SZNZ8F2V7SMX2WT5G 0.0490
सराय
 ECAD 8915 0.00000000 Onsemi ऑटोमोटिव, AEC-Q101, NZ8F R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.93% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 2-XDFN २५० तंग 2-X2DFNW (1x0.6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-SZNZ8F2V7SMX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 20 µA @ 1 वी 2.7 वी 100 ओम
NZ8F20VSMX2WT5G onsemi NZ8F20VSMX2WT5G 0.0754
सराय
 ECAD 6078 0.00000000 Onsemi Nz8f R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.3% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 2-XDFN २५० तंग 2-X2DFNW (1x0.6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-NZ8F20VSMX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 kag 20 वी 55 ओम
SZNZ8F11VMX2WT5G onsemi SZNZ8F11VMX2WT5G 0.0788
सराय
 ECAD 9337 0.00000000 Onsemi ऑटोमोटिव, AEC-Q101, NZ8F R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 2-XDFN २५० तंग 2-X2DFNW (1x0.6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-SZNZ8F11VMX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gapa @ 8 वी 11 वी 30 ओम
NZD8V2MUT5G onsemi NZD8V2MUT5G 0.0315
सराय
 ECAD 8396 0.00000000 Onsemi NZD5V1MU R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) 200 सभा 2-x3dfn (0.6x0.3) (0201) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-NZD8V2MUT5GTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ ५ वी 8.2 वी 30 ओम
NZD6V8MUT5G onsemi Nzd6v8mut5g 0.0348
सराय
 ECAD 6003 0.00000000 Onsemi NZD5V1MU R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) 200 सभा 2-x3dfn (0.6x0.3) (0201) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-NZD6V8MUT5GTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 10 एमए 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी 40 ओम
NZ8F20VMX2WT5G onsemi NZ8F20VMX2WT5G 0.4100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 Onsemi Nz8f R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 2-XDFN २५० तंग 2-X2DFNW (1x0.6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 kag 20 वी 55 ओम
SZNZ8F16VSMX2WT5G onsemi SZNZ8F16VSMX2WT5G 0.0818
सराय
 ECAD 8410 0.00000000 Onsemi ऑटोमोटिव, AEC-Q101, NZ8F R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.31% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 2-XDFN २५० तंग 2-X2DFNW (1x0.6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-SZNZ8F16VSMX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 kaga @ 12 वी 16 वी 50 ओम
SZNZ8F3V3MX2WT5G onsemi SZNZ8F3V3MX2WT5G 0.4100
सराय
 ECAD 2874 0.00000000 Onsemi ऑटोमोटिव, AEC-Q101, NZ8F R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.58% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 2-XDFN २५० तंग 2-X2DFNW (1x0.6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 10 µa @ 1 वी 3.3 वी 100 ओम
SM165KJ800G2 SMC Diode Solutions SM165KJ800G2 50.3700
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तदहेना - कड़ा शिर अँगुला कांपना Sm165kj तमाम टी 2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 800 वी 165 ए 1.25 V @ 165 ए 20 µA @ 800 V -40 ° C ~ 150 ° C
1SS405 Diotec Semiconductor 1SS405 0.2987
सराय
 ECAD 7276 0.00000000 सोर - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 schottky एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira तंग R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2721-1SS405TR 8541.10.0000 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 550 एमवी @ 50 एमए ५०० पायल @ २० वी -55 ° C ~ 125 ° C 50mA 3.9pf @ 0v, 1MHz
GFA00GK-L08H-PRD onsemi GFA00GK-L08H-PRD -
सराय
 ECAD 6645 0.00000000 Onsemi - थोक शिर - Rohs3 आजthabaira तमाम 488-GFA00GK-L08H-PRD शिर 1
GFA008H-L05E-PRD onsemi GFA008H-L05E-PRD -
सराय
 ECAD 9856 0.00000000 Onsemi - थोक शिर - Rohs3 आजthabaira तमाम 488-GFA008H-L05E-PRD शिर 1
GFA0033-L029-PRD onsemi GFA0033-L029-PRD -
सराय
 ECAD 7400 0.00000000 Onsemi - थोक शिर - Rohs3 आजthabaira तमाम 488-GFA0033-L029-PRD शिर 1
GFA007T-L058-PRD onsemi GFA007T-L058-PRD -
सराय
 ECAD 9157 0.00000000 Onsemi - थोक शिर - Rohs3 आजthabaira तमाम 488-GFA007T-L058-PRD शिर 1
TSZL52C12-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C12-F0 RWG -
सराय
 ECAD 1390 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur 1005 (2512 पेरस) 200 सभा 1005 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-TSZL52C12-F0RWGTR Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 पायल @ 9 वी 12 वी 20 ओम
MBD4448HSDW REG Taiwan Semiconductor Corporation MBD4448HSDW REG -
सराय
 ECAD 1074 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 तमाम एसओटी -363 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-MBD4448HSDWREGREREGRER Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सरायना 57 वी 250ma 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBD4448HTW REG Taiwan Semiconductor Corporation MBD4448HTW REG -
सराय
 ECAD 1449 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 तमाम एसओटी -363 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-MBD4448HTWREGRER Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) ३ स 57 वी 250ma 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZS55B10 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B10 RAG -
सराय
 ECAD 5351 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-BZS55B10RAGTR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gapa @ 7.5 वी 10 वी 15 ओम
TSZL52C7V5-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C7V5-F0 RWG -
सराय
 ECAD 2681 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur 1005 (2512 पेरस) 200 सभा 1005 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-TSZL52C7V5-F0RWGTR Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 5 वी 7.5 वी 7 ओम
BZS55B7V5 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B7V5 RAG -
सराय
 ECAD 3057 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-BZS55B7V5RAGTR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 5 वी 7.5 वी 7 ओम
BZS55B8V2 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B8V2 RAG -
सराय
 ECAD 9681 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-BZS55B8V2RAGTR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 6.2 वी 8.2 वी 7 ओम
TSZL52C10-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C10-F0 RWG -
सराय
 ECAD 1110 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur 1005 (2512 पेरस) 200 सभा 1005 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-TSZL52C10-F0RWGTR Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gapa @ 7.5 वी 10 वी 15 ओम
BZS55B33 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B33 RAG -
सराय
 ECAD 6355 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-BZS55B33RAGTR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 24 वी 33 वी 80 ओम
BZS55B27 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B27 RAG -
सराय
 ECAD 3255 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-BZS55B27RAGTR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 20 वी 27 वी 80 ओम
TSZL52C3V3-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C3V3-F0 RWG -
सराय
 ECAD 6622 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur 1005 (2512 पेरस) 200 सभा 1005 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-TSZL52C3V3-F0RWGTR Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 25 µa @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
MBD4448HAQW REG Taiwan Semiconductor Corporation MBD4448HAQW REG -
सराय
 ECAD 7836 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 तमाम एसओटी -363 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-MBD4448HAQWREGREGRERER Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 2 जोड़ी आम एनोड 57 वी 250ma 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी -55 ° C ~ 150 ° C
TSZL52C39-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C39-F0 RWG -
सराय
 ECAD 7034 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur 1005 (2512 पेरस) 200 सभा 1005 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-TSZL52C39-F0RWGTR Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 29 वी 39 वी 90 ओम
BAT43X-M0 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BAT43X-M0 RSG -
सराय
 ECAD 3459 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 schottky Sod-523f - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-BAT43X-M0RSGTR Ear99 8541.10.0070 6,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 1 वी @ 200 एमए 5 एनएस ५०० सदाबहार @ २५ -55 ° C ~ 125 ° C 200MA 10pf @ 1v, 1MHz
BZS55B3V9 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B3V9 RAG -
सराय
 ECAD 4535 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-BZS55B3V9RAGTR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 2 @a @ 1 वी 3.9 वी 85 ओम
BZT52C51-AQ Diotec Semiconductor BZT52C51-AQ 0.4251
सराय
 ECAD 9295 0.00000000 सोर सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F ५०० तंग सोद -123F तंग रोहस 1 (असीमित) सराय 2796-BZT52C51-AQTR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 39 V 51 वी 180 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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