SIC
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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SZNZ8F18VSMX2WT5G onsemi SZNZ8F18VSMX2WT5G 0.0818
सराय
 ECAD 3846 0.00000000 Onsemi ऑटोमोटिव, AEC-Q101, NZ8F R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.28% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 2-XDFN २५० तंग 2-X2DFNW (1x0.6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-SZNZ8F18VSMX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 14 वी 18 वी 50 ओम
SZNZ8F22VMX2WT5G onsemi SZNZ8F22VMX2WT5G 0.0788
सराय
 ECAD 8095 0.00000000 Onsemi ऑटोमोटिव, AEC-Q101, NZ8F R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 2-XDFN २५० तंग 2-X2DFNW (1x0.6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-SZNZ8F22VMX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 16.8 वी वी 22 वी 55 ओम
NRTS6100PFST3G onsemi Nrts6100pfst3g 0.9000
सराय
 ECAD 4875 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 680 mV @ 6 ए 50 µa @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 827PF @ 1V, 1MHz
FFSH30120A-F155 onsemi FFSH30120A-F155 17.1800
सराय
 ECAD 440 0.00000000 Onsemi - शिर शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम 488 -FFSH30120A -F155 Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.75 वी @ 30 ए 0 एनएस 200 @a @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 46 ए 1740pf @ 1V, 100kHz
SZMM5Z4702T5G onsemi SZMM5Z4702T5G 0.0574
सराय
 ECAD 5137 0.00000000 Onsemi ऑटोमोटिव, AEC-Q101, SZMM5Z4XXXTXG R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 ५०० तंग एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-SZMM5Z4702T5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए ५० सदाबहार @ ११.४ वी 15 वी
NZ8F4V3SMX2WT5G onsemi NZ8F4V3SMX2WT5G 0.0456
सराय
 ECAD 4387 0.00000000 Onsemi Nz8f R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3.37% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 2-XDFN २५० तंग 2-X2DFNW (1x0.6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-NZ8F4V3SMX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 100 ओम
SZNZ8F3V9SMX2WT5G onsemi SZNZ8F3V9SMX2WT5G 0.0490
सराय
 ECAD 4493 0.00000000 Onsemi ऑटोमोटिव, AEC-Q101, NZ8F R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 2-XDFN २५० तंग 2-X2DFNW (1x0.6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-SZNZ8F3V9SMX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 5 µA @ 1 वी 3.9 वी 100 ओम
HVL2010BRP onsemi HVL2010BRP -
सराय
 ECAD 5740 0.00000000 Onsemi * शिर शिर - Rohs3 आजthabaira तंग तमाम 488-HVL2010BRP 1
NZ8F22VSMX2WT5G onsemi NZ8F22VSMX2WT5G 0.0754
सराय
 ECAD 6046 0.00000000 Onsemi Nz8f R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.32% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 2-XDFN २५० तंग 2-X2DFNW (1x0.6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-NZ8F22VSMX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 16.8 वी वी 22 वी 55 ओम
NZ8F4V7SMX2WT5G onsemi NZ8F4V7SMX2WT5G 0.0456
सराय
 ECAD 4769 0.00000000 Onsemi Nz8f R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.34% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 2-XDFN २५० तंग 2-X2DFNW (1x0.6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-NZ8F4V7SMX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 2 @a @ 1 वी 4.7 वी 100 ओम
NZD4V7MUT5G onsemi Nzd4v7mut5g 0.0348
सराय
 ECAD 4471 0.00000000 Onsemi NZD5V1MU R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) 200 सभा 2-x3dfn (0.6x0.3) (0201) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-NZD4V7MUT5GTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 10 एमए 2 @a @ 1 वी 4.7 वी 100 ओम
NRTS6100TFSTAG onsemi NRTS6100TFSTAG 0.2636
सराय
 ECAD 1921 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 8 नताया schottky 8-WDFN (3.3x3.3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-NRTS6100TFSTAGTR Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 680 mV @ 6 ए 50 µa @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 782pf @ 1V, 1MHz
SZNZ8F9V1SMX2WT5G onsemi SZNZ8F9V1SMX2WT5G 0.0691
सराय
 ECAD 5516 0.00000000 Onsemi ऑटोमोटिव, AEC-Q101, NZ8F R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.31% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 2-XDFN २५० तंग 2-X2DFNW (1x0.6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 30 ओम
SZNZ8F6V8MX2WT5G onsemi SZNZ8F6V8MX2WT5G 0.0691
सराय
 ECAD 2366 0.00000000 Onsemi ऑटोमोटिव, AEC-Q101, NZ8F R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 2-XDFN २५० तंग 2-X2DFNW (1x0.6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-SZNZ8F6V8MX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी 40 ओम
SIDC81D120F6YX1SA1 Infineon Technologies SIDC81D120F6YX1SA1 -
सराय
 ECAD 9843 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक शिर SIDC81D - 1 (असीमित) तमाम शिर 1
SIGC121T120R2CSYX1SA1 Infineon Technologies SIGC121T120R2CSYX1SA1 -
सराय
 ECAD 1659 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक शिर SIGC121T120 - 1 (असीमित) तमाम शिर 1
SIGC156T120R2CSYX1SA1 Infineon Technologies SIGC156T120R2CSYX1SA1 -
सराय
 ECAD 6642 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक शिर SIGC156T - 1 (असीमित) तमाम शिर 1
SIDC56D120F6YX1SA1 Infineon Technologies SIDC56D120F6YX1SA1 -
सराय
 ECAD 8578 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक शिर SIDC56D - 1 (असीमित) तमाम शिर 1
IDC51D120T6HX7SA1 Infineon Technologies IDC51D120T6HX7SA1 -
सराय
 ECAD 9812 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक शिर IDC51D120 - 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1
UGS20JH Taiwan Semiconductor Corporation UGS20JH 2.6400
सराय
 ECAD 350 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB तमाम To-263ab (dicpak) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-UGS20JHTR Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 20 ए 50 एनएस 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 20 ए 94.5pf @ 4v, 1MHz
RTBS60M Taiwan Semiconductor Corporation RTBS60M 0.8900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग तमाम टीबीएस - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-RTBS60MTR Ear99 8541.10.0080 1,800 1.3 वी @ 3 ए 5 µA @ 1000 V 6 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
PU4DBH Taiwan Semiconductor Corporation Pu4dbh 0.6300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB तमाम DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 930 mV @ 4 ए 25 एनएस 2 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 78pf @ 4v, 1MHz
SK86C MDD SK86C 0.5855
सराय
 ECAD 6 0.00000000 मंडल एसएमसी R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur schottky तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 700 एमवी @ 8 ए 1 पायल @ 60 वी 8 ए 600pf @ 4v, 1MHz
SB1045L MDD SB1045L 0.7255
सराय
 ECAD 140 0.00000000 मंडल - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur schottky तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3372-SB1045LTR Ear99 8542.39.0001 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 550 mV @ 10 ए 300 µA @ 45 V 10 ए -
SS520C MDD SS520C 0.5555
सराय
 ECAD 6 0.00000000 मंडल एसएमसी R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur schottky तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 850 mV @ 5 ए 1 सना हुआ @ 200 वी 5 ए 400pf @ 4v, 1MHz
SS54C MDD SS54C 0.4555
सराय
 ECAD 240 0.00000000 मंडल एसएमसी R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur schottky तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 एमवी @ 5 ए 1 पायल @ 40 वी 5 ए 600pf @ 4v, 1MHz
SS310C MDD SS310C 0.2975
सराय
 ECAD 444 0.00000000 मंडल एसएमसी R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur schottky तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 3 ए 300 µA @ 100 वी 3 ए 350pf @ 4v, 1MHz
SK106C MDD SK106C 0.7555
सराय
 ECAD 30 0.00000000 मंडल एसएमसी R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur schottky तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 650 mV @ 10 ए 1 पायल @ 60 वी 10 ए 500pf @ 4v, 1MHz
JAN1N4965US/TR Microchip Technology JAN1N4965US/TR 9.4500
सराय
 ECAD 105 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/356 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur एसकmun-एमईएलएफ, ई ई 5 डब डी -5 बी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 105 1.5 वी @ 1 ए 2 @a @ 15.2 V 20 वी 4.5 ओम
JANTX1N6490US/TR Microchip Technology Jantx1n6490us/tr 35.6100
सराय
 ECAD 104 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/406 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Sq-melf, a 1.5 डब डी -5 ए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 1 ए 1 µA @ 1 वी 5.1 वी 7 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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