SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी
IXHX40N150V1HV IXYS IXHX40N150V1HV 42.4200
सराय
ECAD 4538 0.00000000 Ixys - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से TO-247-3 संस IXHX40 To-247plus-hv तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 631203 Ear99 8541.30.0080 30 1.5 केवी - तंग
VS-110RKI120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-110RKI120M 113.4428
सराय
ECAD 5864 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 140 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun 110RKI120 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS110RKI120M Ear99 8541.30.0080 25 200 एमए 1.2 केवी 172 ए 2 वी 2080 ए, 2180 ए 120 1.57 वी 110 ए २० सना हुआ तंग
VS-110RKI120PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-110RKI120PBF 44.1604
सराय
ECAD 5488 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun 110RKI120 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS110RKI120PBF Ear99 8541.30.0080 25 200 एमए 1.2 केवी 172 ए 2 वी 1750 ए, 1830 ए 120 1.57 वी 110 ए २० सना हुआ तंग
VS-111RKI120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-111RKI120 51.5560
सराय
ECAD 5338 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun 111RKI120 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS111RKI120 Ear99 8541.30.0080 25 200 एमए 1.2 केवी 172 ए 2 वी 1750 ए, 1830 ए 120 1.57 वी 110 ए २० सना हुआ तंग
VS-111RKI80PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-111RKI80PBF 42.0576
सराय
ECAD 7367 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun 111RKI80 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS111RKI80PBF Ear99 8541.30.0080 25 200 एमए 800 वी 172 ए 2 वी 1750 ए, 1830 ए 120 1.57 वी 110 ए २० सना हुआ तंग
VS-180RKI40PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-180RKI40PBF 53.3792
सराय
ECAD 5221 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ab, to-93-4 से 180RKI40 से -209AB (से 93) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS180RKI40PBF Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 400 वी 285 ए 2.5 वी 3500A, 3660A १५० सना हुआ 1.35 वी 180 ए ३० सना हुआ तंग
VS-181RKI40PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-181RKI40PBF 53.3792
सराय
ECAD 6743 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ab, to-93-4 से 181RKI40 से -209AB (से 93) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS181RKI40PBF Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 400 वी 285 ए 2.5 वी 3500A, 3660A १५० सना हुआ 1.35 वी 180 ए ३० सना हुआ तंग
VS-181RKI80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-181RKI80 72.3967
सराय
ECAD 9222 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ab, to-93-4 से 181RKI80 से -209AB (से 93) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS181RKI80 Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 800 वी 285 ए 2.5 वी 3500A, 3660A १५० सना हुआ 1.35 वी 180 ए ३० सना हुआ तंग
VS-181RKI80PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-181RKI80PBF 60.3308
सराय
ECAD 2265 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ab, to-93-4 से 181RKI80 से -209AB (से 93) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS181RKI80PBF Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 800 वी 285 ए 2.5 वी 3500A, 3660A १५० सना हुआ 1.35 वी 180 ए ३० सना हुआ तंग
VS-22RIA100M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-22RIA100M 17.1757
सराय
ECAD 4939 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -208aa, से 48-3, कांपो 22RIA100 से -208aa (to -48) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS22RIA100M Ear99 8541.30.0080 100 १३० सना हुआ 1 केवी 35 ए 2 वी 335 ए, 355 ए 60 सना हुआ 1.7 वी 22 ए 10 सना हुआ तंग
VS-22RIA40M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-22RIA40M 17.1757
सराय
ECAD 8741 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -208aa, से 48-3, कांपो 22RIA40 से -208aa (to -48) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS22RIA40M Ear99 8541.30.0080 100 १३० सना हुआ 400 वी 35 ए 2 वी 335 ए, 355 ए 60 सना हुआ 1.7 वी 22 ए 10 सना हुआ तंग
VS-22RIA60M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-22RIA60M 17.1757
सराय
ECAD 4237 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -208aa, से 48-3, कांपो 22RIA60 से -208aa (to -48) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS22RIA60M Ear99 8541.30.0080 100 १३० सना हुआ 600 वी 35 ए 2 वी 335 ए, 355 ए 60 सना हुआ 1.7 वी 22 ए 10 सना हुआ तंग
VS-22RIA80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-22RIA80M 17.1757
सराय
ECAD 9111 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -208aa, से 48-3, कांपो 22RIA80 से -208aa (to -48) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS22RIA80M Ear99 8541.30.0080 100 १३० सना हुआ 800 वी 35 ए 2 वी 335 ए, 355 ए 60 सना हुआ 1.7 वी 22 ए 10 सना हुआ तंग
VS-25RIA100M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25RIA100M 17.1757
सराय
ECAD 4952 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -208aa, से 48-3, कांपो 25RIA100 से -208aa (to -48) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS25RIA100M Ear99 8541.30.0080 100 १३० सना हुआ 1 केवी 40 ए 2 वी 350 ए, 370 ए 60 सना हुआ 1.7 वी 25 ए 10 सना हुआ तंग
VS-25RIA120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25RIA120M 22.1300
सराय
ECAD 90 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -208aa, से 48-3, कांपो 25RIA120 से -208aa (to -48) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS25RIA120M Ear99 8541.30.0080 100 १३० सना हुआ 1.2 केवी 40 ए 2 वी 350 ए, 370 ए 60 सना हुआ 1.7 वी 25 ए 10 सना हुआ तंग
VS-25RIA20M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25RIA20M 17.1757
सराय
ECAD 3703 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -208aa, से 48-3, कांपो 25RIA20 से -208aa (to -48) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS25RIA20M Ear99 8541.30.0080 100 १३० सना हुआ 200 वी 40 ए 2 वी 350 ए, 370 ए 60 सना हुआ 1.7 वी 25 ए 10 सना हुआ तंग
VS-25RIA40M Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस -25RIA40M 17.1757
सराय
ECAD 7695 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -208aa, से 48-3, कांपो 25RIA40 से -208aa (to -48) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS25RIA40M Ear99 8541.30.0080 100 १३० सना हुआ 400 वी 40 ए 2 वी 350 ए, 370 ए 60 सना हुआ 1.7 वी 25 ए 10 सना हुआ तंग
VS-ST083S12PFK1P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST083S12PFK1P 87.7504
सराय
ECAD 4466 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST083 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST083S12PFK1P Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 1.2 केवी 135 ए 3 वी 2060 ए, 2160 ए 200 एमए 2.15 वी 85 ए ३० सना हुआ तंग
VS-ST1000C12K1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST1000C12K1 261.9850
सराय
ECAD 7174 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C अँगुला TO-200AC, K-PUK, A-24 ST1000 ए -24 (के -प तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST1000C12K1 Ear99 8541.30.0080 2 ६०० सना हुआ 1.2 केवी 2913 ए 3 वी 17000 ए, 18100 ए 200 एमए 1.8 वी 1473 ए 100 सवार तंग
VS-ST1000C22K0L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST1000C22K0L 290.1650
सराय
ECAD 3376 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C अँगुला TO-200AC, K-PUK, A-24 ST1000 ए -24 (के -प तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST1000C22K0L Ear99 8541.30.0080 2 ६०० सना हुआ 2.2 केवी 2913 ए 3 वी 17000 ए, 18100 ए 200 एमए 1.8 वी 1473 ए 100 सवार तंग
VS-ST103S04PFL0P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST103S04PFL0P 87.5772
सराय
ECAD 9910 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST103 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsst103s04pfl0p Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 400 वी 165 ए 3 वी 2530 ए, 2650 ए 200 एमए 1.73 वी 105 ए ३० सना हुआ तंग
VS-ST103S08PFN1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST103S08PFN1 -
सराय
ECAD 6368 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST103 से -209ac (से 94) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम VSST103S08PFN1 Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 800 वी 165 ए 3 वी 2530 ए, 2650 ए 200 एमए 1.73 वी 105 ए ३० सना हुआ तंग
VS-ST103S08PFN1P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST103S08PFN1P 78.7084
सराय
ECAD 6979 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST103 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST103S08PFN1P Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 800 वी 165 ए 3 वी 2530 ए, 2650 ए 200 एमए 1.73 वी 105 ए ३० सना हुआ तंग
VS-ST103S08PFN2 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST103S08PFN2 -
सराय
ECAD 7081 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST103 से -209ac (से 94) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम VSST103S08PFN2 Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 800 वी 165 ए 3 वी 2530 ए, 2650 ए 200 एमए 1.73 वी 105 ए ३० सना हुआ तंग
VS-ST103S08PFN2P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST103S08PFN2P 78.7084
सराय
ECAD 1450 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST103 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST103S08PFN2P Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 800 वी 165 ए 3 वी 2530 ए, 2650 ए 200 एमए 1.73 वी 105 ए ३० सना हुआ तंग
VS-ST110S04P0VPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST110S04P0VPBF 63.9532
सराय
ECAD 9298 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST110 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST110S04P0VPBF Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 400 वी 175 ए 3 वी 2270 ए, 2380 ए १५० सना हुआ 1.52 वी 110 ए २० सना हुआ तंग
VS-ST110S04P1V Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST110S04P1V 86.7544
सराय
ECAD 5272 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST110 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST110S04P1V Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 400 वी 175 ए 3 वी 2270 ए, 2380 ए १५० सना हुआ 1.52 वी 110 ए २० सना हुआ तंग
VS-ST110S04P2V Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST110S04P2V 102.3000
सराय
ECAD 6618 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST110 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST110S04P2V Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 400 वी 175 ए 3 वी 2270 ए, 2380 ए १५० सना हुआ 1.52 वी 110 ए २० सना हुआ तंग
VS-ST110S08P0VPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST110S08P0VPBF 66.1868
सराय
ECAD 1896 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST110 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST110S08P0VPBF Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 800 वी 175 ए 3 वी 2270 ए, 2380 ए १५० सना हुआ 1.52 वी 110 ए २० सना हुआ तंग
VS-ST110S12P1VPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST110S12P1VPBF 69.4220
सराय
ECAD 7617 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST110 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST110S12P1VPBF Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 1.2 केवी 175 ए 3 वी 2270 ए, 2380 ए १५० सना हुआ 1.52 वी 110 ए २० सना हुआ तंग
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम