SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म इनपुट सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic सराफक - कनरस एनटीसी rabuthauthur तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) वोलth गेट गेट kaircaur (क अधिकतम) वोलmun
STH275N8F7-2AG STMicroelectronics STH275N8F7-2AG 5.9600
सराय
ECAD 3839 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, S सthuturिपफेट ™ F7 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB STH275 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक H2PAK-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 80 वी 180 ए (टीसी) 10V 2.1MOHM @ 90A, 10V 4.5V @ 250µA 193 सना ± 20 वी 13600 पीएफ @ 50 वी - 315W (टीसी)
RM100N65DF Rectron USA RM100N65DF 0.6500
सराय
ECAD 6339 0.00000000 रत्न - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-DFN (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2516-RM100N65DFTR 8541.10.0080 40,000 n- चैनल 65 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 2.8MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA +20V, -12V 9500 पीएफ @ 25 वी - 142W (टीसी)
IXTA8N65X2 IXYS Ixta8n65x2 3.3100
सराय
ECAD 7966 0.00000000 Ixys अल अलtradaura एक नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Ixta8 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -263 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 8 ए (टीसी) 10V 500MOHM @ 4A, 10V 5V @ 250µA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 800 पीएफ @ 25 वी - 150W (टीसी)
2SK2159-T1-AZ Renesas 2SK2159-T1-AZ -
सराय
ECAD 6837 0.00000000 रत्न - थोक शिर - 2156-2SK2159-T1-AZ 1
BC549A Diotec Semiconductor BC549A 0.0241
सराय
ECAD 3822 0.00000000 सोर - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ५०० तंग को -92 तंग Rohs3 आजthabaira तंग 2796-BC549ATR 8541.21.0000 4,000 30 वी 100 सवार 15na एनपीएन 600MV @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
FQP8N60C Fairchild Semiconductor FQP8N60C 1.2200
सराय
ECAD 4 0.00000000 सराय QFET® थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220-3 तंग Ear99 8542.39.0001 247 n- चैनल 7.5 ए (टीसी) 10V 1.2OHM @ 3.75A, 10V 4V @ 250µA 36 ± 30V 1255 - 147W (टीसी) 10 25
BC858A Yangjie Technology BC858A 0.0170
सराय
ECAD 300 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 १५० तंग एसओटी -23 - रोहस अफ़मार तमाम 4617-BC858ATR Ear99 3,000 30 वी 100 सवार 1ma तमाम 650mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
AONS21307 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Aons21307 0.2614
सराय
ECAD 6543 0.00000000 तमाम शयरा तंगदुरी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-yircut, फmun लैट Aons213 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-DFN (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 785-AONS21307TR Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 17 ए (टीए टीए), 24 टीसी (टीसी) 4.5V, 10V 11MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA ५० सदाबहार @ १० ± 25V 1995 पीएफ @ 15 वी - 5W (TA), 38W (टीसी)
DMT10H9M9SSS-13 Diodes Incorporated DMT10H9M9SSS-13 0.4606
सराय
ECAD 1677 0.00000000 तंग * R टेप ray ryील (ther) शिर DMT10 - तमाम 31-DMT10H9M9SSS-13TR 2,500
BCX56-10TF Nexperia USA Inc. BCX56-10TF 0.4000
सराय
ECAD 12 0.00000000 अफ़संद सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa BCX56 ५०० तंग SOT-89 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 4,000 80 वी 1 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 50MA, 500mA 63 @ 150ma, 2V 155MHz
2SK1449 onsemi 2SK1449 3.2900
सराय
ECAD 900 0.00000000 Onsemi * थोक शिर तंग सराय तमाम 2156-2SK1449-488 1
FDMC4435BZ-F127-L701 onsemi FDMC4435BZ-F127-L701 0.5273
सराय
ECAD 6317 0.00000000 Onsemi PowerTrench® R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8 नताया मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-((3.3x3.3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-FDMC4435BZ-F127-L701TR Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 8.5 ए (टीए), 18 टीसी (टीसी () 4.5V, 10V 20mohm @ 8.5a, 10v 3V @ 250µA ५३ सना ± 25V 2045 पीएफ @ 15 वी - 2.3W (TA), 31W (टीसी)
FZT789AQTA Diodes Incorporated FZT789AQTA 0.3917
सराय
ECAD 1 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa FZT789A १.२ सिपाही एसओटी -223-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 31-FZT789AQTATR Ear99 8541.29.0075 1,000 35 वी 3 ए 100na तमाम 500MV @ 100ma, 3 ए 300 @ 10MA, 2V 100MHz
SIHP240N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP240N60E-GE3 2.9700
सराय
ECAD 419 0.00000000 विशय सिलिकॉनिक ईटी नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 SIHP240 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 12 ए (टीसी) 10V 240mohm @ 5.5a, 10v 5V @ 250µA 23 सना ± 30V 795 पीएफ @ 100 वी - 78W (टीसी)
DMN32D0LVQ-7 Diodes Incorporated DMN32D0LVQ-7 0.4600
सराय
ECAD 4321 0.00000000 तंग सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 DMN32 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 480MW (TA) एसओटी -563 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 680ma (TA) 1.2ohm @ 100ma, 4v 1.2V @ 250µA 0.62NC @ 4.5V 44.8pf @ 15v तमाम
IRF810 Harris Corporation IRF810 0.4600
सराय
ECAD 93 0.00000000 सराय * थोक शिर IRF81 - - तंग 1 (असीमित) सराय Ear99 8542.39.0001 1 -
2SK2631-TL-E onsemi 2sk2631-tl-e -
सराय
ECAD 6259 0.00000000 Onsemi - थोक शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak/tp-fa - रोहस सराय 2156-2SK2631-TL-E-488 1 n- चैनल 800 वी 1 ए (टीए) 15V 10ohm @ 500ma, 15v 5.5V @ 1MA 8 स्याह @ 10 वी ± 30V 300 पीएफ @ 20 वी - 1W (TA), 30W (टीसी)
MJD2873Q-13 Diodes Incorporated MJD2873Q-13 0.4500
सराय
ECAD 2 0.00000000 तंग सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 MJD2873 1.45 डब To-252, (डी-rana) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 2,500 50 वी 2 ए 100na एनपीएन 300mv @ 50ma, 1a 120 @ 500mA, 2V 65MHz
SMMBT3906LT3 onsemi SMMBT3906LT3 0.0200
सराय
ECAD 63 0.00000000 Onsemi सियार, AEC-Q101 थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग SOT-23-3 (to-236) - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 10,000 40 वी 200 एमए - तमाम 400MV @ 5MA, 50mA 100 @ 10MA, 1V 250MHz
DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated DMG9926UDM-7 0.5100
सराय
ECAD 47 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -23-6 DMG9926 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 980MW एसओटी -26 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 2 एन-चैनल 20 वी 4.2 ए 28MOHM @ 8.2a, 4.5V 900MV @ 250µA 8.3NC @ 4.5V 856pf @ 10v सराय -स
PMPB19XP,115 Nexperia USA Inc. PMPB19XP, 115 0.4900
सराय
ECAD 2 0.00000000 अफ़संद - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-udfn ने पैड को को ranahar rab PMPB19 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक DFN2020MD-6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 7.2 ए (टीए () 1.8V, 4.5V 22.5MOHM @ 7.2a, 4.5V 900MV @ 250µA ४३.२ सना ± 12V 2890 पीएफ @ 10 वी - 1.7W (TA), 12.5W (टीसी)
IRF5803TR Infineon Technologies IRF5803TR -
सराय
ECAD 6810 0.00000000 इंफीनन टेक Hexfet® R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vaymaurth 6 ™ (टीएसओपी -6) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 40 वी 3.4 ए (टीए) 4.5V, 10V 112MOHM @ 3.4A, 10V 3V @ 250µA 37 सना ± 20 वी 1110 पीएफ @ 25 वी - 2W (TA)
MSC060SMA070B Microchip Technology MSC060SMA070B 9.6400
सराय
ECAD 8354 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 MSC060 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 90 n- चैनल 700 वी 39 ए (टीसी) 20 वी 75MOHM @ 20A, 20V 2.4V @ 1MA ५६ सना +23v, -10v 1175 पीएफ @ 700 वी - 143W (टीसी)
STD30NF04LT STMicroelectronics STD30NF04LT -
सराय
ECAD 5248 0.00000000 तमाम सthurthirिपफेट ™ ii R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Std30n मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 40 वी 30 ए (टीसी) 5V, 10V 30mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250µA २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 720 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
IXFB70N60Q2 IXYS IXFB70N60Q2 30.0952
सराय
ECAD 8285 0.00000000 Ixys Reyrफेट ™, q2 theircuthe नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-264-3, to-264aa IXFB70 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक PLUS264 ™ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 600 वी 70 ए (टीसी) 10V 88MOHM @ 35A, 10V 5.5V @ 8MA 265 सना ± 30V 12000 पीएफ @ 25 वी - 890W (टीसी)
IPP200N25N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP200N25N3GXKSA1 8.9900
सराय
ECAD 440 0.00000000 इंफीनन टेक ऑपmuth ™ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 IPP200 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीजी-पीजी 220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 250 वी 64 ए (टीसी) 10V 20MOHM @ 64A, 10V 4V @ 270µA 86 सभा @ 10 वी ± 20 वी 7100 पीएफ @ 100 वी - 300W (टीसी)
DD600S17K3B2NOSA1 Infineon Technologies DD600S17K3B2NOSA1 922.2700
सराय
ECAD 20 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला कांपना तमाम - तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1 २ सभ्य - 1700 वी - नहीं
JANSL2N3810L Microchip Technology Jansl2n3810l 198.9608
सराय
ECAD 7220 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/336 थोक शिर -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 78-6 सराय से क सकते हैं हैं 2N3810 350MW से 78-6 - तमाम 150-JANSL2N3810L 1 60V 50mA 10 ए (आईसीबीओ) 2 पीएनपी (rurी) 250MV @ 100µA, 1MA 150 @ 1MA, 5V -
TSM60NB380CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB380CF 2.5238
सराय
ECAD 7234 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TSM60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ITO-220S तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TSM60NB380CF Ear99 8541.29.0095 4,000 n- चैनल 600 वी 11 ए (टीसी) 10V 380MOHM @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 21 सना ± 30V 810 पीएफ @ 100 वी - 62.5W (टीसी)
RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4991 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम