SIC
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अफ़र्याशय, 2160 (2160)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
GBL02 GeneSiC Semiconductor GBL02 2.9400
सराय
 ECAD 3877 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, जीबीएल तमाम जीबीएल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 4 ए 5 µa @ 200 वी 4 ए सिंगल फेज़ 200 वी
MSRT200100D GeneSiC Semiconductor MSRT200100D 110.1030
सराय
 ECAD 9867 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT200 तमाम तीन ray तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRT200100D Ear99 8541.10.0080 40 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1000 वी 200A 1.2 वी @ 200 ए 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
S400Y GeneSiC Semiconductor S400Y 92.3505
सराय
 ECAD 7620 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum S400 तमाम DO-205AB (DO-9) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S400YGN Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.2 वी @ 400 ए 10 µa @ 50 वी -60 ° C ~ 200 ° C 400 ए -
DB152G GeneSiC Semiconductor DB152G 0.2325
सराय
 ECAD 4573 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.321 ", 8.15 मिमी) DB152 तमाम तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) DB152GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µA @ 100 वी 1.5 ए सिंगल फेज़ 100 वी
MSRT100120D GeneSiC Semiconductor MSRT100120D 87.1935
सराय
 ECAD 5976 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT100 तमाम तीन ray तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRT100120D Ear99 8541.10.0080 40 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1200 वी 100 ए 1.1 वी @ 100 ए 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR8040R GeneSiC Semiconductor MBR8040R 22.1985
सराय
 ECAD 8534 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR8040 शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR8040RGN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 750 एमवी @ 80 ए 1 पायल @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C 80 ए -
MUR20040CT GeneSiC Semiconductor MUR20040CT 101.6625
सराय
 ECAD 6926 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MUR20040 तमाम सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MUR20040CTGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 100 ए 1.3 वी @ 50 ए 90 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S12K GeneSiC Semiconductor S12K 4.2345
सराय
 ECAD 2809 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S12KGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 12 ए -
MBR2X050A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A180 43.6545
सराय
 ECAD 6918 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X050 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 180 वी 50 ए 920 mV @ 50 ए 3 सना हुआ @ 180 वी -40 ° C ~ 150 ° C
1N3673AR GeneSiC Semiconductor 1N3673AR 6.3300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3673AR तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1055 Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 12 ए -
DB104G GeneSiC Semiconductor DB104G 0.1980
सराय
 ECAD 2293 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.321 ", 8.15 मिमी) DB104 तमाम तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) DB104GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 400 V 1 ए सिंगल फेज़ 400 वी
MBRT40030 GeneSiC Semiconductor MBRT40030 118.4160
सराय
 ECAD 9037 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT40030GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 200A 750 एमवी @ 200 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GKR26/16 GeneSiC Semiconductor GKR26/16 -
सराय
 ECAD 9036 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 5 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.55 वी @ 60 ए 4 सना हुआ @ 1600 वी -40 ° C ~ 180 ° C 25 ए -
G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J 8.0400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 अफ़र्याशियस G3R ™ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-8, DICPAK (7 टैब + टैब), TO-263CA G3R450 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-263-7 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-G3R450MT17J Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 1700 वी 9 ए (टीसी) 15V 585MOHM @ 4A, 15V 2.7V @ 2MA 18 स्याह @ 15 वी ± 15V 454 पीएफ @ 1000 वी - 91W (टीसी)
1N4593R GeneSiC Semiconductor 1N4593R 35.5695
सराय
 ECAD 2449 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 1N4593R तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N4593RGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.5 वी @ 150 ए ५.५ पन्ना @ ०० वी ०० -60 ° C ~ 200 ° C 150A -
MBRH24030 GeneSiC Semiconductor MBRH24030 76.4925
सराय
 ECAD 9685 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 720 एमवी @ 240 ए 1 पायल @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
S70JR GeneSiC Semiconductor S70JR 9.8985
सराय
 ECAD 6030 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt S70J तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S70JRGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 70 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
KBU1004 GeneSiC Semiconductor KBU1004 0.8205
सराय
 ECAD 9721 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, KBU तमाम KBU तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Kbu1004gn Ear99 8541.10.0080 400 1.05 वी @ 10 ए 10 µA @ 400 V 10 ए सिंगल फेज़ 400 वी
MBRT12035R GeneSiC Semiconductor MBRT12035R 75.1110
सराय
 ECAD 1990 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT12035 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT12035RGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 35 वी 60 ए 750 एमवी @ 60 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S12M GeneSiC Semiconductor S12M 4.2345
सराय
 ECAD 1831 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S12MGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 12 ए -
1N3211 GeneSiC Semiconductor 1N3211 7.0650
सराय
 ECAD 1199 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N3211 तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3211GN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.5 वी @ 15 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
MURTA50020R GeneSiC Semiconductor MURTA50020R 174.1546
सराय
 ECAD 7352 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MURTA50020 तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MURTA50020RGN Ear99 8541.10.0080 24 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 200 वी 250A 1.3 वी @ 250 ए 150 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40020CTRL -
सराय
 ECAD 7809 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर schottky सोर तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 20 वी 200A 580 एमवी @ 200 ए 3 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA30060D GeneSiC Semiconductor MSRTA30060D 159.9075
सराय
 ECAD 4464 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला कांपना MSRTA300 तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRTA30060D Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 600 वी 300 ए 1.1 वी @ 300 ए 20 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
UFT7360M GeneSiC Semiconductor UFT7360M -
सराय
 ECAD 3893 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला D61-3m तमाम D61-3m - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 70A 1.7 वी @ 35 ए 90 एनएस 20 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST8380M GeneSiC Semiconductor FST8380M -
सराय
 ECAD 2519 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला D61-3m schottky D61-3m तंग 1 (असीमित) FST8380MGN Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 80 ए (डीसी) 840 mV @ 80 ए 1.5 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA200120D GeneSiC Semiconductor MSRTA200120D 142.3575
सराय
 ECAD 5712 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला कांपना MSRTA200 तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRTA200120D Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1200 वी 200A 1.1 वी @ 200 ए 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E 1.6500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ कट कट टेप (सीटी) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 4 ए 0 एनएस 5 @a @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 11 ए 186pf @ 1V, 1MHz
MSRT25060A GeneSiC Semiconductor MSRT25060A 54.2296
सराय
 ECAD 1769 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT25060 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 250 ए (डीसी) 1.2 वी @ 250 ए 15 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
GB20SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247 -
सराय
 ECAD 1966 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 GB20SLT12 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 2 वी @ 20 ए 0 एनएस 200 @a @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 20 ए 968pf @ 1V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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