SIC
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अफ़र्याशयस (87)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
P3D06004G2 PN Junction Semiconductor P3D06004G2 2.1000
सराय
 ECAD 6325 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर To-263-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06004G2TR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 14 ए
P3D12020K2 PN Junction Semiconductor P3D12020K2 12.4100
सराय
 ECAD 5644 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D12020K2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 60 @a @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 51 ए
PAA12400BM3 PN Junction Semiconductor PAA12400BM3 882.3600
सराय
 ECAD 3564 0.00000000 ‘ - शिर शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) अँगुला कांपना PAA12400 अफ़राहा - कांपना तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-PAA12400BM3 1 २- चैनल-चैनल 1200V (1.2KV) 350A 7.3MOHM @ 300A, 20V 5V @ 100ma - 29.5pf @ 1000V -
P3D12010K3 PN Junction Semiconductor P3D12010K3 6.5400
सराय
 ECAD 3747 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-247-3 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D12010K3 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 46 ए
P3D06020I2 PN Junction Semiconductor P3D06020I2 8.8400
सराय
 ECAD 9682 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220i-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220i-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06020I2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 35 ए
P3D12005K2 PN Junction Semiconductor P3D12005K2 4.5000
सराय
 ECAD 6239 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D12005K2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 23 ए
P3D12020K3 PN Junction Semiconductor P3D12020K3 12.4100
सराय
 ECAD 1272 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-247-3 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D12020K3 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 70A
P3M171K2K3 PN Junction Semiconductor P3M171K2K3 5.5900
सराय
 ECAD 2230 0.00000000 ‘ ३ ३ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-3L तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3M171K2K3 1 n- चैनल 1700 वी 6 ए 15V 1.4OHM @ 2A, 15V 2.2V @ 2ma (rana) +19v, -8v - 68W
P3D06002T2 PN Junction Semiconductor P3D06002T2 2.1000
सराय
 ECAD 5217 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06002T2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 10 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए
P3M12040K4 PN Junction Semiconductor P3M12040K4 20.9800
सराय
 ECAD 2699 0.00000000 ‘ ३ ३ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-4 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-4L तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3M12040K4 1 n- चैनल 1200 वी 63a 15V 48MOHM @ 40A, 15V 2.2V @ 40ma (rana) +21v, -8v - 349W
P3M06120K4 PN Junction Semiconductor P3M06120K4 9.0500
सराय
 ECAD 2705 0.00000000 ‘ ३ ३ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-4 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-4L तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3M06120K4 1 n- चैनल 650 वी 27 ए 15V 158MOHM @ 10A, 15V 2.2V @ 5MA +20V, -8v - 131W
P1H06300D8 PN Junction Semiconductor P1H06300D8 4.9800
सराय
 ECAD 7689 0.00000000 ‘ - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur तंग Dfn8*8 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P1H06300D8TR 1 n- चैनल 650 वी 10 ए 6V - +10V, -20V - 55.5W
P3M06120K3 PN Junction Semiconductor P3M06120K3 9.0500
सराय
 ECAD 6996 0.00000000 ‘ ३ ३ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-3L तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3M06120K3 1 n- चैनल 650 वी 27 ए 15V 158MOHM @ 10A, 15V 2.2V @ 5MA +20V, -8v - 131W
P3M12017K4 PN Junction Semiconductor P3M12017K4 39.7500
सराय
 ECAD 7138 0.00000000 ‘ ३ ३ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-4 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-4L तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3M12017K4 1 n- चैनल 1200 वी 151 ए 15V 24MOHM @ 75A, 15V 2.5V @ 75ma (rana) +25v, -10v - 789W
P3M12080K4 PN Junction Semiconductor P3M12080K4 11.9000
सराय
 ECAD 9034 0.00000000 ‘ ३ ३ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-4 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-4L तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3M12080K4 1 n- चैनल 1200 वी 47 ए 15V 96MOHM @ 20A, 15V 2.4V @ 5ma (rana) +21v, -8v - 221W
P3D06008E2 PN Junction Semiconductor P3D06008E2 3.3300
सराय
 ECAD 2523 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर टू -252-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06008E2TR Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 36 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 22 ए
P3M12080G7 PN Junction Semiconductor P3M12080G7 11.9000
सराय
 ECAD 1610 0.00000000 ‘ ३ ३ R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-8, DICPAK (7 टैब + टैब), TO-263CA Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) D2PAK-7 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3M12080G7TR 1 n- चैनल 1200 वी 32 ए 15V 96MOHM @ 20A, 15V 2.2V @ 30ma (rana) +19v, -8v - 136W
P3M12040K3 PN Junction Semiconductor P3M12040K3 20.9800
सराय
 ECAD 8887 0.00000000 ‘ ३ ३ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-3L तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3M12040K3 Ear99 8541.29.0095 1 n- चैनल 1200 वी 63a 15V 48MOHM @ 40A, 15V 2.2V @ 40ma (rana) +21v, -8v - 349W
P3D06020T2 PN Junction Semiconductor P3D06020T2 8.8400
सराय
 ECAD 2609 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर - To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06020T2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.6 वी @ 20 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 45 ए 904pf @ 0v, 1MHz
P3D06006T2 PN Junction Semiconductor P3D06006T2 2.5000
सराय
 ECAD 2115 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06006T2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 23 ए
P3D12020G2 PN Junction Semiconductor P3D12020G2 12.4100
सराय
 ECAD 4772 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर To-263-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D12020G2TR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 60 @a @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 49 ए
P3M07013K4 PN Junction Semiconductor P3M07013K4 33.9000
सराय
 ECAD 4850 0.00000000 ‘ ३ ३ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-4 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-4L तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3M07013K4 1 n- चैनल 750 वी 140 ए 15V 16MOHM @ 75A, 15V 2.2V @ 75ma (rana) +19v, -8v - 428W
P3D06010F2 PN Junction Semiconductor P3D06010F2 4.1600
सराय
 ECAD 5570 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220f-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06010F2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 21 ए
P3M173K0T3 PN Junction Semiconductor P3M173K0T3 5.0800
सराय
 ECAD 8943 0.00000000 ‘ ३ ३ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-2 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-220-2L तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3M173K0T3 Ear99 8541.29.0095 1 n- चैनल 1700 वी 4 ए 15V 2.6OHM @ 600mA, 15V 2.2V @ 600) (rana) +19v, -8v - 75W
P3D06010E2 PN Junction Semiconductor P3D06010E2 4.1600
सराय
 ECAD 8153 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर टू -252-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06010E2TR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 28 ए
P3M06060K3 PN Junction Semiconductor P3M06060K3 10.3800
सराय
 ECAD 9755 0.00000000 ‘ ३ ३ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-3L तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3M06060K3 1 n- चैनल 650 वी 48A 15V 79MOHM @ 20A, 15V 2.2V @ 20ma (rana) +20V, -8v - 188W
P3M06300D8 PN Junction Semiconductor P3M06300D8 4.9800
सराय
 ECAD 7160 0.00000000 ‘ ३ ३ R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Dfn8*8 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) Dfn8*8 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3M06300D8TR 1 n- चैनल 650 वी 9 ए 15V 500MOHM @ 4.5A, 15V 2.2V @ 5MA +20V, -8v - 32W
P3D06006G2 PN Junction Semiconductor P3D06006G2 2.5000
सराय
 ECAD 3063 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर To-263-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06006G2TR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 21 ए
P3D06004E2 PN Junction Semiconductor P3D06004E2 2.1000
सराय
 ECAD 8434 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर टू -252-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06004E2TR 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 12 ए
P3D06006I2 PN Junction Semiconductor P3D06006I2 2.5000
सराय
 ECAD 8790 0.00000000 ‘ पी 3 डी नली शिर To-220i-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220i-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06006I2 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 18 ए
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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