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अफ़र्याशियस (6960)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TFZGTR2.7B Rohm Semiconductor Tfzgtr2.7b 0.0886
सराय
 ECAD 2304 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड TFZGTR2.7 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2.7 वी
RS1E130GNTB Rohm Semiconductor RS1E130GNTB 0.6300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव RS1E मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-एचएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 13 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.7mohm @ 13a, 10v 2.5V @ 1MA 7.9 सना ± 20 वी 420 पीएफ @ 15 वी - 3 letcuni (टीए), 22.2W (टीसी)
RFN10NS6SFHTL Rohm Semiconductor RFN10NS6SFHTL 1.5300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RFN10 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 10 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 169pf @ 0v, 1MHz
SH8KA4TB1 Rohm Semiconductor Sh8ka4tb1 1.1900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) SH8KA4 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 2W (TA) 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 2 the-चैनल (therी) 30V 9 ए (टीए) 21.4MOHM @ 9A, 10V 2.5V @ 1MA 15.5nc @ 10v 640pf @ 15v -
RFN5B6STL Rohm Semiconductor RFN5B6STL -
सराय
 ECAD 5243 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfn5b तमाम सीपीडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 5 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RFUH25TB3SNZC9 Rohm Semiconductor RFUH25TB3SNZC9 1.7000
सराय
 ECAD 914 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFUH25 तमाम To-220fn-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFUH25TB3SNZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 350 वी 1.45 वी @ 20 ए 30 एनएस 10 µA @ 350 V 150 ° C 20 ए -
DTC123EU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTC123EU3HZGT106 0.3800
सराय
 ECAD 437 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 DTC123 200 सभा Umt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 20MA, 5V २५० तंग २.२ किलो २.२ किलो
RBR3LAM40BTR Rohm Semiconductor RBR3ALM40BTR 0.5300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr3alm40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 620 mV @ 3 ए 80 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
BZX84B6V2LYT116 Rohm Semiconductor BZX84B6V2LYT116 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.94% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
1SS133T-77 Rohm Semiconductor 1SS133T-77 -
सराय
 ECAD 8234 0.00000000 रोटी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT 1SS133 तमाम एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 5,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 130ma 2PF @ 0.5V, 1MHz
QH8KC5TCR Rohm Semiconductor QH8KC5TCR 0.8100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड QH8KC5 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.1W (TA) Tsmt8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 60V 3 ए (टीए) 90MOHM @ 3A, 10V 2.5V @ 1MA 3.1NC @ 10V 135pf @ 30V -
MTZJT-7718C Rohm Semiconductor MTZJT-7718C -
सराय
 ECAD 3631 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सदाबहार @ १३ वी 18 वी 30 ओम
RSY160P05TL Rohm Semiconductor RSY160P05TL 1.4800
सराय
 ECAD 11 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, RSY160 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Tcpt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 पी-पी 45 वी 16 ए (टीए) 4V, 10V 50mohm @ 16a, 10v 2.5V @ 1MA २५.५ सना ± 20 वी 2150 पीएफ @ 10 वी - 20W (टीसी)
DTC143ZEBTL Rohm Semiconductor DTC143ZEBTL 0.2700
सराय
 ECAD 20 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 DTC143 १५० तंग EMT3F (SOT-416FL) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 47
DTA044TUBTL Rohm Semiconductor DTA044TUBTL 0.3000
सराय
 ECAD 290 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -85 DTA044 200 सभा Umt3f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 60 सना हुआ 500NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 500µA, 5ma 100 @ 5ma, 10v २५० तंग 47
GDZT8EPT2R14 Rohm Semiconductor GDZT8EPT2R14 -
सराय
 ECAD 8414 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-GDZT8EPT2R14TR Ear99 8541.10.0050 8,000
UDZSTE-173.3B Rohm Semiconductor Udzste-173.3b 0.0616
सराय
 ECAD 5932 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 3.3 वी 120 ओम
SCS312AMC Rohm Semiconductor SCS312AMC 6.5200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 SCS312 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.5 वी @ 12 ए 0 एनएस 60 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 12 ए 600pf @ 1V, 1MHz
RF2001NS2DTL Rohm Semiconductor RF2001NS2DTL 2.2800
सराय
 ECAD 32 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RF2001 तमाम To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 20 ए 930 mV @ 10 ए 30 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
DA221MT2L Rohm Semiconductor DA221MT2L -
सराय
 ECAD 2867 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 DA221 तमाम VMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 20 वी 100ma 1 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UDZLVFHTE-1768 Rohm Semiconductor UDZLVFHTE-1768 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F UDZLVFHTE-1768 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ ५२ वी 68 वी
SCS306AHGC9 Rohm Semiconductor SCS306AHGC9 3.9100
सराय
 ECAD 6279 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS306 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220acp तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.5 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 300pf @ 1V, 1MHz
2SAR572D3TL1 Rohm Semiconductor 2SAR572D3TL1 0.8500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SAR572 १० सन्निक TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0075 2,500 30 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 100ma, 2a 200 @ 500ma, 3V 300MHz
RSX101VA-30TR Rohm Semiconductor RSX101VA-30TR 0.1224
सराय
 ECAD 2214 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rsx101 schottky TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 470 mV @ 1 ए 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RFN20TJ6SGC9 Rohm Semiconductor RFN20TJ6SGC9 1.8100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFN20 तमाम TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 20 ए 140 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए -
RAL025P01TCR Rohm Semiconductor RAL025P01TCR 0.1195
सराय
 ECAD 8207 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड Ral025 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Tumt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 12 वी 2.5 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 62MOHM @ 2.5A, 4.5V 1V @ 1MA 16 सना -8v 2000 पीएफ @ 6 वी - 320MW (TA)
TFZVTR9.1B Rohm Semiconductor Tfzvtr9.1b 0.3700
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzvtr9.1 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 8 ओम
RF201LAM4STR Rohm Semiconductor Rf201lam4str 0.4600
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RF201 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 1.5 ए 30 एनएस 1 µa @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए -
R6025ANZC8 Rohm Semiconductor R6025ANZC8 -
सराय
 ECAD 8515 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3p-3 rurcuth पैक मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3PF तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 360 n- चैनल 600 वी 25 ए (टीसी) 10V 150mohm @ 12.5a, 10v 4.5V @ 1MA 88 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 3250 पीएफ @ 10 वी - 150W (टीसी)
RB088T-40NZC9 Rohm Semiconductor RB088T-40NZC9 1.1500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB088 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 10 ए 770 mV @ 5 ए 3 µa @ 40 वी 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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